2021年12月9日
40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V
摘要： 编辑：ll 40N120-ASEMI低功耗场效应管40A 1200V 型号：40N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：40A 电压：1200V 恢复时间： 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：10uA 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55~+150℃ MOS 阅读全文
posted @ 2021-12-09 11:33 ASEMI首芯 阅读(754) 评论(0) 推荐(0)
25N120-ASEMI低功耗mos管25N120
摘要： 编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-5 阅读全文
posted @ 2021-12-09 10:51 ASEMI首芯 阅读(328) 评论(0) 推荐(0)