摘要：本文报道了在6英寸N+衬底上400–600伏、4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示和制作，为了优化器件性能，改变了工艺和设计参数，如最高温度(900℃和1000℃)、不同的沟道设计[积累模式(ACCU)和反转模式(INV)]和沟道长度，并进行了实验分析，报告了400–600伏、4H-碳化硅横向金属氧化物半导体场效应晶体管的器件设计、布局、制造和电气特性。 阅读全文

摘要：本文通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟，得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为。在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区，测量到击穿电压在372至981伏范围内时，导通电阻从1000下降至54兆欧姆·cm2。最佳测量品质因数(FOM,V2BD/RON)值为12.3MW/cm2，1μm深的RESURF区域和6×1012cm-2的较高的RESURF注入剂量甚至会导致FOM值高于43 MW/cm2。 阅读全文

摘要：本文报道了一个具有大电流处理能力(10 A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示。为了在横向结构中实现高击穿电压，实现了减小表面电场(RESURF)结构以减轻表面电场拥挤。一个single RESURF(P-top) 被设计在一个6英寸的N型区域。衬底表现出120伏/微米的电压支持能力，导致600伏的击穿电压。交叉栅极指状物的总宽度为198毫米，具有高电流支持能力。对于相对低电压横向场效应晶体管（<600V）,为了进一步提高导通电阻，需要更加关注实现低沟道、接触、金属和JFET区域电阻，而不是低漂移层电阻。本文讨论了所提出的600伏、10安、4H-碳化硅横向单个RESURF金属氧化物半导体场效应晶体管的器件设计、制造和电学特性。 阅读全文

摘要：在不使用外延层在同轴的半绝缘SIC衬底上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管。LDIMOSFET使用离子注入工艺从而形成电流通路层。共面波导作为栅极和漏极之间的漂移区。通过使用同轴半绝缘衬底和最优化的共面波导参数，1093伏特下的击穿电压和89.8兆欧姆·厘米2的特定导通电阻从20微米长的共面波导器件中被获得到。实验中得到的场效应晶体管的沟道迁移率为21.7cm2*V-1*S-1,品质因数（BV2/Ron,sp）为13.3 MW/cm2。 阅读全文