2025年11月21日
AET3152AP禾纳P沟道场效应管芯片，pin to pin替代TDM3307不更改电路
摘要： AET3152AP pin to pin替代TDM3307不更改电路，禾纳P沟道场效应管芯片具有-30V的漏源电压、更高-40A的连续漏极电流以及低导通电阻（RDS(ON)在VGS=-10V时为11mΩ）。它支持快速开关操作，符合RoHS标准，不含卤素和锑。 AET3152AP芯片特性： 使用场景及 阅读全文
posted @ 2025-11-21 11:37 SM18027661972 阅读(5) 评论(0) 推荐(0)