随笔分类 - 硬件笔记
摘要:下图在产品电路中非常常见,常见到直接复制粘贴,鲜少问几个为什么,然而在考虑软件的处理上,需要将NTC的非线性处理成线性化,其原因是软件的查表方式,会占用一定的内存资源,且因为电阻的容差,其测量值也不准确。为了让软件更好的处理、测量值更为准确、电路更为通用,所以最好将NTC处理成近似线性。 参考一:N
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摘要:此笔记源起于使用ADC直接连接NTC测量温度的扩展,其实之前也记录过ADC前端RC电路元件如何的取值笔记,那时并不太明白,只是根据ADI的视频简单的记录了下计算公式和步骤。 参考一:使用外部组件提高 SAR ADC 精确度 参考二:通过单端 ADC 监测 NTC 热敏电阻电路 1. NTC测温电路,
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摘要:最大传输功率,不仅适用于低频,也适用于高频。在个人的认知里,也同样可以用来解释高速信号的匹配原理,而不仅仅只是从阻抗不匹配造成的反射来解释。 电路分析图 1. 由以上电路可知,负载功率表示如下 2. 由复功率、能量守恒可知 3. 复阻抗的虚部,属于无功功率,发送等于接收,所以可以只计算电阻下的有功功
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摘要:本次分析的电路,同样来源于技术交流群群友发的图,在此进行分析。 原理图如下,此电路是一个220V市电转5V直流的功能。 分析如下: 1. 当V1处于正半周,上正下负时,电流路径如红色箭头,C1、C2、C3被充电,C1、C2上正下负,C3左负右正,如下。 2. 当V1处于负半周,上负下正时,电流路径如
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摘要:很多时候我们控制一个灯,或者只需给高、低电平的电路,通常使用一个三极管或者MOS管来简单的控制。然而最近在一个技术交流群里,群友发了一个PWM开关控制电路图,其意是为了防止程序跑飞,出现一些不愿看到、或者安全方面的情况,需要用PWM来控制。在输入为恒高、恒低时,被控制的后级电路处于预设的逻辑状态。以
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摘要:在电源电路中了,经常会看见RC电路并联在电源路径上,其作用是吸收瞬间的电压尖峰,这里记录其参数的计算步骤,当然这也是学习TI(SLVA255)和Maxim(AN3835)的应用文档来的。 SLVA255中的原理图 计算步骤: 1. 使用示波器量测开关节点的波形,量出前两个尖峰的时间,计算出其频率Fs
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摘要:TTL电平有多种,如5V,3.3V,2.5V,1.8V,以下以3.3V、1.8V的UART电平转换为例 1. 方式一,使用二极管方式 2. 方式二,使用电阻分压 总结: 1. 这里的电路仅是作为一种临时可用的电平转换电路,其中第一种亲测速率可支持115200,D1使用的是肖特基二极管 2. D1选择
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摘要:本文介绍在没有专用的SIM卡接口的情况下,使用UART与SIM卡进行通信的电路设计。 参考连接一:https://blog.csdn.net/weixin_42151788/article/details/108389068 参考连接二:https://www.cnblogs.com/utank/p
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摘要:前段时间公司一款生产了很久的产品出现一个很奇怪的问题,先放上等效图 说明: 1. INPUT左边是一个连接器,相当于直接到地的一个开关,所以这里用一个SW1替代 2. 设备在上电后,SW1处于断开状态,所以INPUT为高,这时TO_MCU检测为高;当SW1按下时,NPUT为低,此时TO_MCU为低
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摘要:Intel FPGA Cyclone IV系列启动配置方式共用五种,如下 以上每种配置在数据手册<<cyclone4-handbook>>有具体说明,以下截取AS部分,又分单个设备和多个设备,对于配置部分的内容,一定要仔细研究,这章最好通读,下面的小字不可忽略,有很多重要的信息,如PCB Layou
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摘要:FPGA中,很多PIN脚都是可以交换的,但有些管脚却是专用的,比如硬件系统设计要使用DDR颗粒时,FPGA与DDR之间的连线需要注意。如下以Altera FPGA Cyclone IV为例 1. FPGA TOP与BOTTOM的BANK适合用来接DDR,因为这两边的速率高一些 2. FPGA 支持的
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摘要:最近发现公司的设备,在一上电的时候就出现火花,说实话,是把我下了一跳,还担心设备会不会被打坏,因为这个现象,就在网上看看有没有类似的案列,有没有什么解决方案,百度到的有三种方案,其中这个帖子的收获很大:https://www.dzsc.com/dzbbs/20070425/2007651741592
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摘要:最近验证了下稳压二极管在大电流损坏后特性,验证电路如下 要验证稳压管损坏后的特性,那首先得将其损坏。 为损坏做的动作: 1. 当R1在510Ω~75KΩ时,电压V1增加到近30V稳压管都能正常工作。 2. 当R1 = 28Ω(两个50Ω并联后,实测值),电压V1 = 13V时,三级管损坏,这时电源显
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摘要:本文的电路与电源过压保护电路,PMOS无法关断的问题探索是一样的,但其选型不一定合适,这里将参数的选择进一步做一个说明,之前看到一个观点:电路都是计算出来的。也就是小到每个电阻电容的值都是经过计算的,这样自己设计的电路才能了如指掌,知道其优缺点在哪里,才能做到心中有数,当然本人与其相差远不止十万八千
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摘要:最近有涉及使用三极管、MOS管搭建输入电压过压保护电路,之所以使用分立元件搭建,是因为成本低。但是因为实际的电路没有达到预期,所以搭建仿真电路仿真,但是发现仿真电路的PMOS一直都无法关断,理论上说不通,奇怪的很,决定研究下,仿真电路如下 以上电路按理当输入电压大于6.3V时,Q2应该会关断,可是在
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摘要:因为目前工作涉及到电池这块,经常会考虑是否需要使用升、降压芯片,将电池的能量最大化利用。看原理图时,有了些疑惑,比如设备正常使用时为3.8V,而电池电压在3.5~4.4V变化,按照常规思维,最先应该想到的是用升降压芯片,但是为什么要使用降压,或者升压呢?如果升压,4.4V再升压,那岂不是设备要挂掉?
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摘要:最近在看《PDN设计之电源完整性》一书,发现第五章5.5节处的内容挺违反直觉的,公式如下 R1 电容1的ESR R2 电容2的ESR L1 电容1的ESL C2 电容2容值 从公式来看,增加电容的ESR,可以减少并联电容的并联谐振峰值阻抗!减少ESL,增加C2容值也是能减低并联峰值阻抗,但是增加ES
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摘要:有时候由于需要,需要用到UART的单线半双工模式,比如一个从设备只有一根信号线进行收发,主设备希望使用UART来进行通信,或者就是单纯的为了减少走线数量,虽然只减少了一根,我也不知道这有多大的意义? UART单线半双工模式速度最高只有14400(根据Microchip的AN2658文档),以下是文档
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摘要:万用表经常会提到几位半,如三位半、四位半、六位半,对于位和半位的理解如下: 1. 位 能完整显示0~9数字的位数,有多少位就是几位。 2. 半位 不能完整显示0~9位的位数,就称为半位,半位只有一位,且是最高位。 例子: 1. 三位半(3 1/2): 1.1 最大数值显示:1999 1.2 半位(最
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摘要:硬件工程师在调试板子的时候,经常要在板子上搭建一些电路进行调试验证,也经常会用到两个电阻进行并联来达到硬件工程师的某些目的,这里给出一种可以快速估算任意两个电阻并联后阻值估算的方法,这个也是今天突然想到的方法,本人晚上又特地跟标准公式对比了下,发现相差不大,完全可以在不需要计算器的情况下,进行口头估
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