摘要：
半导体笔记 半导体器件 肖特基势垒和欧姆接触 肖特基势垒：当两种材料接触时，由于两种材料的费米能级位置不同，接触后必须两侧的费米能级一致，接触面的真空能级相同。载流子扩散流动必须使接触面两侧的费米能级相等才能达到平衡状态。所以接触后半导体的能带因内建电场而弯曲，这样接触面形成了电子的势垒，称为肖特基 阅读全文
posted @ 2020-09-05 20:41
望溪
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摘要：
模拟CMOS 衬底噪声：由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声。解决方法：在两个电阻之间加入一个P+注入区（作为P衬底晶圆的衬底接触）。P+注入区保护电路免受载流子的影响，由于注入区是一个环形，所以成为保护环。 共质心版图 共质心（共同的中心）版图有助于改善两电阻之间的匹配性能（代价是两元件之间 阅读全文
posted @ 2020-09-05 17:06
望溪
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摘要：
一、电流镜 失配对电流镜的影响 阈值电压失配 对于一个电流镜而言，阈值电压时确定其总体精度的关键因素。 假设阈值电压失配平均分布在M1和M2管上，那么： 跨导参数失配 共源共栅电流镜 $I_o$仍然是由M1和M2的栅源电压决定的，改变M3和M4只能改变M1/M2的漏源电压，影响漏极电流的匹配 直流工 阅读全文
posted @ 2020-09-05 16:59
望溪
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posted @ 2020-09-05 16:58
望溪
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