2025年7月28日

禾纳AET3156AP芯片，增强型P沟道MOSFET芯片，AET3156数据手册，禾纳代理

摘要： 禾纳推出的AET3156AP是一款增强型p沟道MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准 ATE3156AP特 阅读全文

posted @ 2025-07-28 10:07 TEL13699759787 阅读(12) 评论(0) 推荐(0)

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