摘要：
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求 首先，由于SiC MOSFET器件需要工作 阅读全文
posted @ 2021-12-12 17:50
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摘要：
SIC MOSFET的特性 1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。 2、随着门极电压的升高，导通电阻越小，表现更接近于压控电阻。 3、开通需要门极电荷较小，总体驱动功率较低，其体二极管Vf较高，但反向恢复性很好，可以降低开通损耗。 4、具有更小的结电容，关 阅读全文
posted @ 2021-12-12 17:44
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摘要：
（一）初识SiC 科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC：技术和市场 数据来源：知乎、英飞凌官网、ST官网 一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起 上世纪五十年代以来，以硅（Si）材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。然而，由于硅材料的带隙较窄、 阅读全文
posted @ 2021-12-12 17:41
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