信息安全系统设计基础期中总结

搜索指令：man -k

例： man -k  k1 | grep k2 | grep 数字

搜索同时含有k1 k2 最后的数字代表区段，常用的： 1.Linux 2.系统调用 3.c语言

 

Vim指令：

进入插入模式：i

退出插入模式：Esc

命令行：:

保存并退出：wq

只退出不保存：q

 

Gcc与Gdb：

Gcc:

预处理：gcc –E hello.c –o hello.i; gcc –E调用cpp 生成中间文件

编 译 ：gcc –S hello.i –o hello.s; gcc –S调用ccl 翻译成汇编文件

汇 编 ：gcc –c hello.s –o hello.o; gcc -c 调用as 翻译成可重定位目标文件

链 接 ：gcc hello.o –o hello ; gcc -o 调用ld** 创建可执行目标文件

（编译加-g才能用Gdb）

Gdb:

基本指令：

gdb programm(启动GDB)

l 查看所载入的文件

b 设断点 info

b 查看断点情况

run 开始运行程序

bt 打印函数调用堆栈

p 查看变量值

c 从当前断点继续运行到下一个断点

n 单步运行（不进入）

s 单步运行（进入）

quit 退出GDB

断点设置：

1.行断点 b [行数或函数名] <条件表达式>

2.函数断点 b [函数名] <条件表达式>

3.条件断点 b [行数或函数名] <if表达式>

4.临时断点 tbreak [行数或函数名] <条件表达式>

命令行模式常见功能键

i 切换到插入模式，在目前的光标所在处插入输入的文字，已存在的文字会向后退

 

a 切换到插入模式，并从目前光标所在位置的下一个位置开始输入文字

 

o 切换到插入模式，且从行首开始插入新的一行

 

0（数字0） 光标移到本行的开头

 

G 光标移动到文件的最后

 

nG 光标移动到第n 行

 

$ 移动到光标所在行的“行尾”

 

n<Enter> 光标向下移动n 行

 

dd 删除光标所在行

 

ndd 从光标所在行开始向下删除n 行

 

yy 复制光标所在行

 

nyy 复制光标所在行开始的向下n 行

 

u 恢复前一个动作

插入模式常见功能键

插入模式的功能键只有一个，即按“Esc”键可回到命令行模式。

底行模式常见功能键

:w 将编辑的文件保存到磁盘中

 

:q 退出vi（系统对做过修改的文件会给出提示）

 

:q! 强制退出vi（对修改过的文件不作保存）

 

:wq 存盘后退出

 

:w [filename] 另存一个名为filename 的文件

 

:set nu 显示行号，设定之后，会在每一行的前面显示对应行号

 

:set nonu 取消行号显示

寄存器使用惯例

程序寄存器组是唯一能被所有过程共享的资源。

这个惯例是为了防止一个过程P调用另一个过程Q时寄存器中的值被覆盖。惯例如下：

%eax,%edx,%ecx  调用者保存寄存器（Q可覆盖，P的数据不会被破坏）%ebx,%esi,%edi  被调用者保存寄存器（Q在覆盖这些值前必须压入栈并在返回前回复他们）%ebp,%esp   惯例保持%eax用来保存返回值

也就是说，当我们想嗷保存一个值以待以后运算可用的时候，有两种选择：

1.由调用者保存。在调用之前就压进栈。

2.由被调用者保存，在刚被调用的时候就压进栈，并在返回之前恢复。

随机访问存储器

　　　　随机访问存储器（RAM）分为：静态的RAM(SRAM)和动态的RAM(DRAM)

　　　　SRAM用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。

　　　　DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区。

　　　　

　　　　静态RAM

　　　　　　SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里

　　　　　　也就是说，只要有电，它就会永远地保持它的值。即使有干扰

　　　　

　　　　动态RAM

　　　　　　DRAM将每个位存储为对一个电容充电

　　　　　　DRAM存储器单元对干扰非常敏感，当电容的电压被扰乱后，它就永远不会再恢复了

 

　　　　传统的DRAM

                DRAM芯片中的单元（位）被分成d个超单元，每个超单元都由w个DRAM单元组成。一个d×w的DRAM总共存储了dw位信息。超单元被组织成一个r行c列的长方形阵列，这里rc=d。每个超单元都有形如（i，j）的地址，i表示行，j表示列。

 

           存储器模块

　　　　　　DRAM芯片包装在存储器模块中，它是查到主板的扩展槽中。常见的包装包括168个引脚的双列直插存储器模块，它以64位为块传送数据到存储控制器和从存储控制器传出的数据，还包括72个引脚的单列直插存储器模块，它以32位为块传送数据。

 

　　　　增强的DRAM

　　　　　　对DRAM的改进：

　　　　　　　　（1）快页模式DRAM

　　　　　　　　（2）扩展数据输出DRAM

　　　　　　　　（3）同步DRAM

　　　　　　　　（4）双倍数据速率同步DRAM

　　　　　　　　（5）RambusDRAM(RDRAM)

　　　　　　　　（6）视屏DRAM

 

　　　　非易失性存储器

　　　　　　若断点，DRAM和SRAM会丢失信息，即易失的。

　　　　　　相反的，断电后仍保存信息，则为非易失的存储器。

 

　　　　访问主存

　　　　　　数据流通过称为总线的共享电子电路在处理和DRAM主存之间来来回回。

　　　　　　每次CPU和主存之间的数据传送都是通过一系列步骤来完成的，这些步骤称为总线事物。

　　　　　　读事物从主存传送数据到CPU。

　　　　　　写事物从CPU传送数据到主存。

 

期中感想：

　　　　　　经过了半个学期的学习，逐渐由被动学习转向主动学习，随着学习的推进，自己对此事的认识也由被动的迫于环境，

不得不学，转变为主观上主动的去学习，认为应该学，且必须好好学。所以我每天都挤时间坚持在线学习、写作业。通过学习，

我的确转变了学习观念，深感学习的重要性，只有通过学习才会促进自己的专业知识和理论水平的提升。有效的学习，应该是会学、

会用的学习，虽然目前有一些知识还不是很牢固，但是我坚信，只要经过努力，最终一定会取得一个优异的成绩。