SDRAM中的一些疑惑点

1.Precharge与Refresh的区别？

plj:两者都是对存储单元的电容进行充电、回写。但差异在于：

     Precharge是对(一个或所有Bank)的所有工作行(active row)操作，并且是随机的，被操作工作行的地址在各Bank中不一相同。

　  Refresh是对所有行依次操作，且是有固定周期的，被操作行在各Bank中均相同。

2.AutoRefresh与SelfRefresh的区别？

plj:AutoRefresh是user依照指定周期发给芯片的刷新命令

　　SelfRefresh是芯片内部逻辑发给自己的刷新命令

　　无论何种Refresh均不需要提供地址，它是芯片内部的自动操作。

3.R/W带与不带Auto Precharge的区别？

plj:带AutoPrecharge时：在R时，芯片自动在(最后一个有效输出数据)前(CL-1)个时钟时产生Precharge命令。

                                  在W时，芯片自动在(最后一个有效输出数据)后(Twr)时间产生Precharge命令。

     不带AutoPrecharge时，需要user在上述时刻自己产生Precharge命令。

4.CL参数只有效于Read操作。

5. 每个Bank中只能有一个Row处于active状态，且可以进行R/W。

    如果想操作同Bank中的另外一个Row，必须使用Precharge关闭当前工作Row，然后再active目的Row，这样才能R/W

6. 每个Bank均active一个Row，依次在各个Bank间操作Row，这样避免R/W时消耗的多余时钟周期，可以提高数据传输带宽

 

 

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1.正常Read时的Precharge
    Auto_Precharge和手动Precharge都在最后一个有效数据(LVD)前CL-1个时钟上升沿发出
2. 手动Precharge终结Read
    手动Precharge在最后一个有效数据(LVD)前CL-1个时钟上升沿发出
3.手动Burst Terminate终结Read
    Burst Terminate在最后一个有效数据(LVD)前CL-1个时钟上升沿发出


4.正常Write时的Precharge
    Auto_Precharge和手动Precharge都在最后一个有效数据(LVD)后tWR/tDPL时间的时钟上升沿发出
5. 手动Precharge终结Write
    手动Precharge在最后一个有效数据(LVD)后tWR/tDP时间的时钟上升沿发出
                   或者在Precharge同时使能DQM屏蔽掉同时刻写入的数据
6.手动Burst Terminate终结Write
    Burst Terminate在最后一个有效数据(LVD)后1个时钟上升沿发出


7.Burst Terminate与手动Precharge在终结Read/Write中的区别？
   带AutoPrecharge的R/W过程中，禁止使用BT和手动Precharge命令。
   Burst Terminate适用于 全页R/W、不带AutoPrecharge的突发R/W