摘要: IGBT功率半导体器件 IGBT在MOSFET基础上升级,市场空间增速快。IGBT 作为半导体功率器件中的全控器件,由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。 IGBT 的开关特 阅读全文
posted @ 2022-04-17 06:42 吴建明wujianming 阅读(2779) 评论(0) 推荐(0)