2020年10月7日
[Fundamental of Power Electronics]-PART I-4.开关实现-4.2 功率半导体器件概述
摘要： 4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压，同时保持低正向压降和导通电阻。一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长。击穿电压，导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征。 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数：在PN结的至 阅读全文
posted @ 2020-10-07 19:51 Siwei_Yang 阅读(3290) 评论(0) 推荐(0)