06 2023 档案
摘要：编辑-Z 本文将全面深入地探讨光耦LTV-6341的应用与性能。首先，我们将介绍光耦LTV-6341的基本概念和工作原理，然后，我们将详细分析其在电子设备中的应用，接着，我们将对其性能进行深入的分析，最后，我们将对光耦LTV-6341的未来发展进行预测。 1、光耦LTV-6341的基本概念和工作原理
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摘要：编辑-Z 在电子设备的设计和制造过程中，光耦合器是一种至关重要的组件。它们在电路中起到隔离作用，防止电流反向流动，从而保护设备免受损坏。其中，光耦LTV-155E是一款广受欢迎的光耦合器，以其卓越的性能和可靠的稳定性赢得了工程师们的青睐。本文将深入探讨光耦LTV-155E的特性、应用以及其带来的优势
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摘要：编辑-Z 在电子元件领域，MOS管是一种重要的半导体器件，它在电子设备中起着至关重要的作用。今天，我们将重点介绍一款特别的MOS管——IXFH4N100Q，探讨其性能特点和应用领域。 首先，让我们了解一下什么是MOS管。MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于电子设备中的半导体
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摘要：编辑-Z 在当今的照明市场中，LED驱动器的需求正在迅速增长。这是因为LED驱动器不仅能提供稳定的电流，保证LED灯的正常工作，而且还能有效地延长LED灯的使用寿命。在众多的LED驱动器中，TLD2314EL无疑是一款表现出色的产品。本文将详细介绍TLD2314EL的特性和优势。 TLD2314EL
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摘要：编辑-Z 本文将对可控硅BTA16的工作原理与应用进行详细的分析。首先，我们将介绍可控硅BTA16的基本概念和工作原理，然后，我们将探讨其在电力电子设备中的应用，接着，我们将分析其在电力调节中的作用，最后，我们将讨论其在电力系统保护中的应用。全文将从理论和实践两个方面，全面解析可控硅BTA16的工作
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摘要：编辑-Z BTA41参数描述： 型号：BTA41 封装：TO-3P RMS导通电流IT(RMS)：40A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：420A 峰值栅极电流IGM：8A 平均栅极功耗PG：1W 存储接点温度范围Tstg：-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj：-40 to +125℃ V
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摘要：编辑-Z BT139-800E是一种高压三端双向可控硅开关，近年来由于其卓越的性能和多功能性而广受欢迎。这种强大的半导体器件广泛应用于各种应用，包括电机控制、照明控制和温度调节。 BT139-800E的特点 1.高压能力：BT139-800E设计用于处理高压，最大重复关断状态电压（VDRM）为800
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摘要：编辑-Z BT139-600E参数描述： 型号：BT139-600E 断态重复峰值电压VDRM：600V RMS导通电流IT(RMS)：16A 非重复峰值导通电流ITSM：155A 峰值栅极电流IGM：2A 峰值栅极功率PGM：5W 储存温度Tstg：-40~ 150℃ 结点温度Tj：125℃ 栅极
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摘要：编辑-Z 本文主要介绍了MUR20100DCR二极管的性能与应用。我们将对MUR20100DCR二极管的基本性能、不同领域的应用和优势与不足进行分析。 1、MUR20100DCR二极管的基本性能 MUR20100DCR二极管是一种高性能的超快速二极管，具有高电压、高电流和低漏电流等特点。它采用了先进
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摘要：编辑-Z MUR20100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款共阴极快恢复对管。MUR20100DC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR20100DC采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR
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摘要：编辑-Z MUR80120PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款高耐压大电流快恢复二极管。MUR80120PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR80120PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成
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摘要：编辑-Z MUR80100PT是一种高性能、超快恢复二极管，设计用于各种应用，包括电源、逆变器和电机控制系统。本文将提供一个全面的指南，以了解MUR80100PT的特点和应用，以及它在提高电子设备的效率和可靠性方面的重要性。 MUR80100PT的特点 1.超快恢复时间：MUR80100PT拥有仅3
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摘要：编辑-Z MUR8060PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款高耐压大电流快恢复二极管。MUR8060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR8060PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MU
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摘要：编辑-Z 本文将对光耦LTV-61L进行深入的探讨，主要从其工作原理、应用领域、使用注意事项以及市场前景四个方面进行详细的阐述。光耦LTV-61L是一种常用的光电器件，其工作原理简单，应用领域广泛，但在使用过程中也需要注意一些问题。同时，随着科技的发展，光耦LTV-61L的市场前景也将更加广阔。 1
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摘要：编辑-Z LTV-60L参数描述： 型号：LTV-60L 封装：LSOP-6 储存温度TST：-55~125℃ 工作温度TA：-40~105℃ 隔离电压VISO：5000VRMS 电源电压VCC：7V 平均正向输入电流IF：20mA 输入功率耗散PI：40mW 输出集电极电流IO：50mA 输出集电
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摘要：编辑-Z 本文将对光耦LTV-50L进行详细的介绍，包括其工作原理、性能特点、应用领域以及注意事项。通过阅读本文，您将对光耦LTV-50L有更深入的了解，以便在实际应用中更好地发挥其作用。 1、光耦LTV-50L的工作原理 光耦LTV-50L是一种光电器件，其工作原理是利用光信号在输入端和输出端之间
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摘要：编辑-Z LTV-M601参数描述： 型号：LTV-M601 平均正向输入电流IF：20mA 反向输入电压VR：5V 功耗PI：40mW 输出集电极电流IO：50mA 输出集电极电压VO：7V 输出集电极功耗Po：85mW 电源电压VCC：7V 工作温度Topr：-40 ~ +85℃ 储存温度Tst
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摘要：编辑-Z LTV-M501光耦是一种常用的光电隔离器件，具有高速、高耐压、低功耗等特点。本文将从四个方面对LTV-M501光耦进行详细阐述，包括其结构和工作原理、特点和优势、应用领域以及市场前景。通过对LTV-M501光耦的全面介绍，帮助读者更好地了解和应用该器件。 1、LTV-M501光耦的结构和
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摘要：编辑-Z 本文将详细介绍光耦LTV-6314的工作原理和应用领域。首先，我们将介绍光耦的基本概念和工作原理。然后，我们将详细解析LTV-6314的特点和性能参数。接下来，我们将探讨LTV-6314在电力控制、通信设备和工业自动化等领域的应用。最后，我们将总结光耦LTV-6314的优势和适用性。 1、
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摘要：编辑-Z LTV-6341参数描述： 型号：LTV-6341 储存温度Tstg：-55~ +150℃ 工作温度Topr：-40~ +125℃ 总输出电源电压(VCC –VEE)：35V 平均正向输入电流IF：25mA 反向输入电压VR：5V 输入电流（上升/下降时间）：500ns 功耗PI：45mW
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摘要：编辑-Z 在电子设备的设计和制造过程中，光耦合器是一种至关重要的组件。它们在电路中起到隔离作用，防止电流反向流动，从而保护设备免受损坏。其中，光耦LTV-5314是一种广受欢迎的光耦合器，以其卓越的性能和可靠的稳定性赢得了工程师们的青睐。本文将深入探讨光耦LTV-5314的特性、应用以及其带来的优势
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摘要：编辑-Z LTV-5341参数描述： 型号：LTV-5341 储存温度Tstg：-55~+125℃ 工作温度Topr：-40~+110℃ 总输出电源电压(VCC –VEE)：35V 平均正向输入电流IF：20mA 峰值瞬态输入电流IF(TRAN)：1A 输入功率耗散PI：40mW 输出IC功耗PO：
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摘要：编辑-Z 在电子设备的设计和制造过程中，光耦合器是一种至关重要的组件。它们在电路中起到隔离作用，保护电子设备免受电压冲击和电流过载的影响。今天，我们将深入探讨一种特殊的光耦合器——LTV-0314，它的特性、应用以及优势。 一、LTV-0314的特性 LTV-0314是一种高性能的光耦合器，它具有以
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摘要：编辑-Z 光耦LTV-152是一种广泛应用于电子设备中的光电器件，它的主要功能是实现电路之间的隔离和信号传输。本文将深入探讨光耦LTV-152的特性和应用，帮助读者更好地理解和使用这种重要的电子元件。 一、光耦LTV-152的特性 1. 高隔离电压：光耦LTV-152具有高达5000Vrms的隔离电
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摘要：编辑-Z LTV-155E参数描述： 型号：LTV-155E 储存温度Tstg：-55~+125℃ 工作温度Topr：-40~+105℃ 输出IC结温度TJ：125℃ 总输出电源电压(VCC –VEE)：35V 平均正向输入电流IF：25mA 反向输入电压VR：5V 峰值瞬态输入电流IF(TRAN)
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摘要：编辑-Z LTV-3120是一种高性能光耦，由于其可靠性、效率和多功能性，在各种应用中都很受欢迎。本文将全面了解LTV-3120其功能、应用以及它如何改进您的电子设计。 什么是光电耦合器？ 光耦，也称为光隔离器，是一种利用光在两个隔离电路之间传输电信号的电子元件。它由一个LED（发光二极管）和一个光
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摘要：编辑-Z FQL40N50参数描述： 型号：FQL40N50 漏源电压VDSS：500V 漏极电流ID：40A 漏极电流-脉冲IDM：160A 栅极-源极电压VGSS：±30V 功耗PD：460W 操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流IDSS：1uA 栅极
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摘要：编辑-Z BYC30W-600P参数描述： 型号：BYC30W-600P 重复峰值反向电压VRRM：600V 峰值工状向电压VRWM：600V 反向电压VR：600V 平均正向电流IF：30A 正向电压VF：1.38V 反向恢复时间trr：18ns 正向重复峰值电流IFRM：60A 非重复峰值正向电
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摘要：编辑-Z IXFH4N100Q参数描述： 型号：IXFH4N100Q VDSS：1000V VDGR：1000V VGS：±20 ID25：4A IDM：16A PD：150W TJ，Tstg：-55 to +150℃ Weight：6g VGS(th)：5V IGSS：±100 nA IDSS：5
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摘要：编辑-Z 在当今世界，电力电子在各种应用中发挥着至关重要的作用，从电源和电机驱动到电动汽车和可再生能源系统。这些应用中的关键部件之一是功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。IXFA14N85XHV是一款先进的功率MOSFET，具有高性能、高可靠性和高效率。在本综合指南中，我们将探讨IXF
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摘要：编辑-Z TLE7244SL参数描述： 型号：TLE7244SL 数字电源电压VDD：3.0 V ~ 5.5 V 模拟电源电压VDDA：4.5 V ~ 5.5 V 每个通道在Tj=150°C时的最大导通状态电阻RDS(ON,max)：1.7 Ω 额定负载电流IL (nom)：290 mA 过载关断阈
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摘要：编辑-Z TLE6208-6G是一款高度集成、通用且高效的汽车半桥驱动器，由英飞凌设计。这种功能强大的设备专门设计用于满足汽车应用的苛刻要求，如控制直流电机、螺线管和电阻负载。在本文中，我们将深入研究TLE6208-6G的功能、优点和应用，并探讨它如何提高各种汽车系统的性能和效率。 TLE6208-
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摘要：编辑-Z TLE4250-2G参数描述： 型号：TLE4250-2G 输入电压VI：45V 输出电压VQ：40V 结点温度Tj：-40~ 150℃ 储存温度Tstg：-50~150℃ 输出电容器要求CQ：1µF 连接到焊接点RthJSP：30K/W 电源纹波抑制PSRR：48dB 输出电流限制IQ,
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摘要：编辑-Z TLD5097EL是一款创新的LED驱动器，在照明行业掀起了波澜。这项先进的技术提供了广泛的好处，包括提高能源效率、延长使用寿命和增强性能。在本综合指南中，我们将探讨TLD5097EL的功能和优点，并提供如何有效利用该LED驱动器优化照明解决方案的提示。 什么是TLD5097EL？ TLD
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摘要：编辑-Z TLD2314EL参数描述： 型号：TLD2314EL 电源电压VS：40V 输出电压VOUTx：40V 状态电压VST：6V 输出电流IOUTx：130 mA 结温Tj：-40~ 150℃ 储存温度Tstg：-55~ 150℃ 正常工作的电源电压范围：5.5~40V 上电复位阈值VS(P
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摘要：编辑-Z 本文将对TDK5100F射频模块进行详细的介绍与分析，包括其性能特点、应用领域、使用方法。通过对这三个方面的阐述，希望能够帮助读者更好地了解TDK5100F射频模块的优势和应用场景。 1、TDK5100F射频模块的性能特点 TDK5100F射频模块是一款高性能的无线通信模块，具有以下几个显
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摘要：编辑-Z 本文将对SPW47N60C3功率MOSFET的性能与应用进行分析。我们将介绍SPW47N60C3的基本性能参数，然后从四个方面对其性能进行详细阐述，包括电气性能、热性能、封装与可靠性以及应用领域。 1、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET，
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摘要：编辑-Z SPA17N80C3参数描述： 型号：SPA17N80C3 持续漏极电流ID：17A 脉冲漏极电流：51A 栅极-源极电压VGS：±20V 功率耗散Ptot：42W 操作和储存温度Tj,Tstg：-55~+150℃ 漏源击穿电压：800V 栅极阈值电压VGS(th)：3V 零栅极电压漏极电
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摘要：编辑-Z IKCM10H60GA参数描述： 型号：IKCM10H60GA 最大闭锁电压VCES：600V P-N的直流链路电源电压VPN：450V 输出电流IC：10A 最大峰值输出电流：16A 短路耐受时间tSC：5µs 每个IGBT的功耗Ptot：23.1W 工作接点温度范围TJ：-40~ 15
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摘要：编辑-Z 摘要：本文主要介绍IKW25N120T2功率晶体管的特点、应用领域、性能参数以及选型建议。 1、IKW25N120T2的特点 IKW25N120T2是一款N沟道MOSFET功率晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等特点。此外，它还具有过温保护、过电流保护等功能，能够保证设备的安全
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摘要：编辑-Z IMBF170R1K0M1参数： 漏源电压：1700V 直流漏极电流：5.2A 功率耗散：68W 工作结温：-55~175℃ 储存温度：-55~150℃ 漏极源导通状态电阻：1000mΩ 栅极-源极阈值电压：4.5V 输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N
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摘要：编辑-Z IPA50R190CE参数描述： 型号：IPA50R190CE 持续漏极电流：24.8A 脉冲漏极电流：63A 栅极-源极电压：20V 功耗：32W 操作和储存温度：-40~150℃ 连续二极管正向电流：8.1A 漏源击穿电压：500V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极电流：1uA 漏极
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浙公网安备 33010602011771号