05 2023 档案

ASEMI单向可控硅BT169D参数，BT169D规格，BT169D大小
摘要：编辑-Z 单向可控硅BT169D参数： 型号：BT169D 断态重复峰值电压VDRM：600V 平均通电电流IT(AV)：0.6A R.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A 通态浪涌电流ITSM：10A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值门功率耗散PGM：0.5W 工作接点温度Tj：-40~ 阅读全文
posted @ 2023-05-30 16:50 强元芯 阅读(405) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理KY可控硅BT169的工作原理及应用领域
摘要：编辑-Z 本文主要介绍了可控硅BT169的工作原理及其在各个领域的用。首先，我们将详细阐述可控硅BT169的工作原理，包括结构特点、工作过程等；其次，我们将探讨可控硅BT169在家用电器、工业控制、电力电子等领域的应用。 1、可控硅BT169的工作原理 可控硅BT169是一种三端双向可控硅，具有结构 阅读全文
posted @ 2023-05-30 16:49 强元芯 阅读(286) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI单向可控硅BT151参数，BT151封装，BT151体积
摘要：编辑-Z 单向可控硅BT151参数： 型号：BT151 存储接点温度范围Tstg：-40~150℃ 工作接点温度范围Tj：-40~125℃ 断态重复峰值电压VDRM：650V 重复峰值反向电压VRRM：650V RMS导通电流IT(RMS)：12A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A 峰值栅极 阅读全文
posted @ 2023-05-29 16:37 强元芯 阅读(832) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI双向可控硅BT137性能特点, BT137应用及购买指南
摘要：编辑-Z 本文将详细介绍可控硅BT137的性能特点、应用领域以及购买时需要注意的事项，帮助您更好地了解和选择BT137可控硅。 一、BT137可控硅简介 可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端半导体器件，具有高功率、高压、高温等优点，广泛应用于各 阅读全文
posted @ 2023-05-29 16:37 强元芯 阅读(546) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅BT136参数，BT136规格，BT136说明
摘要：编辑-Z 长电可控硅BT136参数： 型号：BT136 RMS通态电流IT(RMS)：6A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：25A 峰值栅极电流IGM：2A 平均栅极功耗PG(AV)：0.5W 存储接点温度范围Tstg：-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj：-40 to +125℃ 额定重 阅读全文
posted @ 2023-05-27 15:58 强元芯 阅读(376) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅BT134的工作原理，BT134的应用领域
摘要：编辑-Z 本文将对可控硅BT134的工作原理及应用领域进行详细阐述。首先，我们将介绍可控硅BT134的基本概念和工作原理；其次，我们将探讨可控硅BT134在电力电子领域的应用；接着，我们将分析可控硅BT134在家用电器中的应用；最后，我们将讨论可控硅BT134在工业自动化领域的应用。 1、可控硅BT 阅读全文
posted @ 2023-05-27 15:58 强元芯 阅读(359) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理韦达可控硅2P4M参数，2P4M图片，2P4M大小
摘要：编辑-Z 韦达可控硅2P4M参数： 型号：2P4M 断态重复峰值电压VDRM：600V 重复峰值反向电压VRRM：600V RMS导通电流IT(RMS)：2A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值栅极功率PGM：0.5W IGT：50μA VGT：0.6V 阅读全文
posted @ 2023-05-26 16:40 强元芯 阅读(367) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理韩景元可控硅C106M参数，C106M封装，C106M尺寸
摘要：编辑-Z 韩景元可控硅C106M参数： 型号：C106M 断态重复峰值电压VDRM：600V 通态电流IT(RMS)：4A 通态浪涌电流ITSM：30A 平均栅极功耗PG(AV)：0.2W 峰值门功率耗散PGM：1W 工作接点温度Tj：-40~125℃ 储存温度TSTG：-40~150℃ 断态重复峰 阅读全文
posted @ 2023-05-26 16:39 强元芯 阅读(44) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理韩景元可控硅BT131规格，BT131大小，BT131体积
摘要：编辑-Z 韩景元可控硅BT131参数： 型号：BT131 断态重复峰值电压VDRM：600-800V 通态电流IT(RMS)：1A 通态浪涌电流ITSM：12A 平均栅极功耗PG(AV)：0.3W 峰值栅极电流IGM：1.2A 工作接点温度Tj：-40~125℃ 储存温度TSTG：-40~150℃ 阅读全文
posted @ 2023-05-25 16:28 强元芯 阅读(197) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电MCR100-6可控硅的性能与应用分析
摘要：编辑-Z 本文主要介绍了新型MCR100-6晶闸管的性能与应用。首先，从晶闸管的基本原理和结构出发，分析了MCR100-6晶闸管的性能特点；其次，探讨了MCR100-6晶闸管在各种电子电路中的应用；最后，对MCR100-6晶闸管的发展前景进行了展望。 1、MCR100-6晶闸管的基本原理和结构 MC 阅读全文
posted @ 2023-05-25 16:28 强元芯 阅读(332) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅MCR100-8特征，MCR100-8应用
摘要：编辑-Z 长电可控硅MCR100-8参数： 型号：MCR100-8 VDRM/VRRM：600V IT(RMS)：0.8A 结点温度Tj：-40~125℃ 储存温度Tstg：-55 ~ 150℃ 通态电压VTM：1.7V 栅极触发电压VGT：0.8V 正向或反向阻断电流峰值：10µA 保持电流IH： 阅读全文
posted @ 2023-05-24 16:29 强元芯 阅读(709) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电MAC97A6三端双向可控硅晶闸管综合指南
摘要：编辑-Z MAC97A6是一种流行的三端双向可控硅开关管，因其在各种应用中的多功能性和可靠性而获得广泛认可。这种半导体器件被设计用于控制交流（AC）负载，并且通常用于各种电子设备，例如电动工具、照明系统和电机控制。在本文中，我们将探讨MAC97A6三端双向可控硅的规格和应用，并讨论其在电子领域的重要 阅读全文
posted @ 2023-05-24 16:28 强元芯 阅读(261) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅MAC97A8图片，MAC97A8大小
摘要：编辑-Z 长电可控硅MAC97A8参数： 型号：MAC97A8 VDRM/VRRM：600V IT(RMS)：1A ITSM：8A 栅极电流（峰值）：1A 栅极电压（峰值）：5V 栅极功率（峰值）：5W 结点温度Tj：-40~+125℃ 储存温度Tstg：-40~+150℃ 额定重复峰值关断状态电流 阅读全文
posted @ 2023-05-23 16:34 强元芯 阅读(363) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅PCR606：性能特点与应用领域
摘要：编辑-Z 可控硅（Thyristor）是一种半导体器件，具有高功率、高效率、高可靠性等优点。PCR606是一款常用的可控硅型号，广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍PCR606的性能特点、工作原理以及在各个领域的应用。 一、PCR606性能特点 1. 高功率：PCR606具有高功率的特点，可以承 阅读全文
posted @ 2023-05-23 16:33 强元芯 阅读(133) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理长电可控硅PCR406参数，PCR406封装
摘要：编辑-Z 长电可控硅PCR406参数： 型号：PCR406 VDRM：400V IT(RMS)：0.6A 结点温度Tj：-40~+125℃ 储存温度：Tstg：-40~+150℃ 通态电压VTM：1.7V 栅极触发电压VGT：0.8V 断态重复峰值电压：400V 保持电流IH：5mA 栅极触发电流I 阅读全文
posted @ 2023-05-22 16:30 强元芯 阅读(198) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理英飞凌IPA65R650CE功率MOS管中文资料
摘要：编辑-Z IPA65R650CE是一款高性能功率晶体管，旨在满足现代电子应用日益增长的需求。这种先进的半导体器件提供了高效、低功耗和优异热性能的独特组合，使其成为广泛应用的理想选择，包括电源、电机驱动和可再生能源系统。 IPA65R650CE的主要功能 1.高压额定值：IPA65R650CE是一款6 阅读全文
posted @ 2023-05-22 16:29 强元芯 阅读(27) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB072N15N3G原厂MOS管
摘要：编辑-Z IPB072N15N3G参数描述： 型号：IPB072N15N3G 持续漏极电流：100A 脉冲漏极电流：400A 雪崩能量，单脉冲：780 mJ 栅极-源极电压：±20V 功率耗散：300W 操作和储存温度：-55 to 175℃ 漏源击穿电压：150V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏 阅读全文
posted @ 2023-05-19 16:54 强元芯 阅读(171) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理英飞凌IPB107N20N3G功率MOS管的性能与应用分析
摘要：编辑-Z 本文主要介绍了新型IPB107N20N3G功率MOSFET的性特点及其在各种应用场景中的优势。全文分为四个方面进行阐述： 1、IPB107N20N3G功率MOSFET的基本性能参数 IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。首先，它的 阅读全文
posted @ 2023-05-19 16:54 强元芯 阅读(168) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB60R099CP原厂MOS管
摘要：编辑-Z IPB60R099CP参数描述： 型号：IPB60R099CP 持续漏极电流：31A 脉冲漏极电流：93A 雪崩电流，重复：11A 栅极-源极电压：±20V 功率耗散：255W 操作和储存温度：-55 to 150℃ 连续二极管正向电流：18A 二极管脉冲电流：93A 漏源击穿电压：600 阅读全文
posted @ 2023-05-18 16:37 强元芯 阅读(54) 评论(0) 推荐(0)
IPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌IPB60R950C6功率晶体管介绍
摘要：编辑-Z IPB60R950C6是一款高性能的功率晶体管，它采用了最新的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和低开关损耗等优点，适用于高效率的开关电源和逆变器等应用。本文将从其特点、应用、参数和优势四个方面进行详细阐述。 1、特点 IPB60R950C6具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容 阅读全文
posted @ 2023-05-18 16:36 强元芯 阅读(17) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管
摘要：编辑-Z IPB64N25S3-20参数描述： 型号：IPB64N25S3-20 持续漏极电流：64A 脉冲漏极电流：256A 雪崩电流，单脉冲：27A 栅极-源极电压：±20V 功率耗散：300W 操作和储存温度：-55 to +175℃ 漏源击穿电压：250V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极 阅读全文
posted @ 2023-05-17 16:36 强元芯 阅读(81) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理亚德诺ADM3202ARUZ-REEL7芯片的应用和特点
摘要：编辑-Z 摘要：本文主要介绍了ADM3202ARUZ-REEL7芯片的应用和特点。首先对芯片做了简单介绍，然后分别从电气特性、功耗、通信协议、可靠性四个方面对其进行了详细阐述。最后对ADM3202ARUZ-REEL7芯片进行了全面总结。 一、电气特性 ADM3202ARUZ-REEL7是一种完全符合 阅读全文
posted @ 2023-05-17 16:35 强元芯 阅读(67) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺ADM706SARZ-REEL原厂芯片
摘要：编辑-Z ADM706SARZ-REEL参数描述： 型号：ADM706SARZ-REEL VCC工作电压范围：1.0-5.5V 电源电流：100μA 重置阈值滞后：20 mV 复位脉冲宽度：200 ms PFI输入阈值：1.25V PFI输入电流：+0.01nA VCC：-0.3V to +6V 所 阅读全文
posted @ 2023-05-16 16:24 强元芯 阅读(213) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理亚德诺ADM3251EARWZ-REEL芯片的功能及应用介绍
摘要：编辑-Z 本文介绍了ADM3251EARWZ-REEL芯片的基本参数和优势，并从电气隔离、EMC滤波、数据速率和应用场景四个方面对其特点和应用进行详细阐述。最后总结了ADM3251EARWZ-REEL芯片的实际应用情况和前景。 一、电气隔离的作用 ADM3251EARWZ-REEL芯片是一种带有电气 阅读全文
posted @ 2023-05-16 16:24 强元芯 阅读(168) 评论(0) 推荐(0)
ADUC834BSZ-ASEMI代理亚德诺ADUC834BSZ原厂芯片
摘要：编辑-Z ADUC834BSZ特征： 2个独立ADC（16位和24位分辨率） 24位无缺失代码，主ADC 21位rms（18.5位p-p）有效分辨率@20 Hz 偏移漂移10 nV/C，增益漂移0.5 ppm/C 62 KB片上闪存/EE程序存储器 4 KB片上闪存/EE数据存储器 闪光/EE，10 阅读全文
posted @ 2023-05-15 16:48 强元芯 阅读(48) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺ADP5054ACPZ-R7供电管理芯片介绍
摘要：编辑-Z 本文主要介绍ADP5054ACPZ-R7供电管理芯片的基本特性和应用场景。该芯片支持多路输出，具有高效和可靠性的特点，适用于各种电力系统和工业控制设备。 1、ADP5054ACPZ-R7的基本特性 ADP5054ACPZ-R7是一款高度集成的供电管理芯片，具有以下特点： （1）支持6路输出 阅读全文
posted @ 2023-05-15 16:47 强元芯 阅读(212) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理亚德诺ADUM131E1BRWZ-RL数字隔离器介绍
摘要：编辑-Z 本文将详细介绍ADUM131E1BRWZ-RL的特点和用途，包括其优点、应用领域、工作原理以及使用方法等方面，帮助读者更好地了解该产品。 1、优点 ADUM131E1BRWZ-RL是一种数字隔离器，具有高速传输、高精度、低功耗和可靠性强等优点。本节将从这几个方面对其优点进行详细介绍。 高速 阅读全文
posted @ 2023-05-13 15:35 强元芯 阅读(166) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺ADUM1250ARZ-RL7原厂芯片
摘要：编辑-Z ADUM1250ARZ-RL7参数描述： 型号：ADUM1250ARZ-RL7 输入电源电流：2.8 mA 泄漏电流：0.01μA 逻辑输入阈值：500-700 mV 逻辑低输出电压：600-900 mV 逻辑低输入电压：0.3V 逻辑高输入电压：0.7V 逻辑低输出电压：400 mV 输 阅读全文
posted @ 2023-05-13 15:35 强元芯 阅读(273) 评论(0) 推荐(0)
了解ASEMI代理的亚德诺ADUM3223ARZ-RL7数字隔离器
摘要：编辑-Z 本文详细介绍了ADUM3223ARZ-RL7数字隔离器的相关知识，包括其工作原理、技术特点、应用场景以及产品参数。通过阅读本文，读者可以全面了解ADUM3223ARZ-RL7数字隔离器的重要性和优势，以及如何选择和使用这种器件。 1、工作原理 ADUM3223ARZ-RL7是一种数字隔离器 阅读全文
posted @ 2023-05-12 16:47 强元芯 阅读(271) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺ADUM3211TRZ-RL7原厂芯片
摘要：编辑-Z ADUM3211TRZ-RL7参数描述： 型号：ADUM3211TRZ-RL7 数据速率：10 Mbps 传播延迟：50 ns 脉冲宽度失真：3 ns 脉冲宽度：100 ns 输出上升/下降时间：2.5 ns 供电电流：2.6 mA 静态输入电源电流：0.4 mA 静态输出电源电流：0.5 阅读全文
posted @ 2023-05-12 16:47 强元芯 阅读(50) 评论(0) 推荐(0)
ADV7391BCPZ-ASEMI代理亚德诺ADV7391BCPZ原厂芯片
摘要：编辑-Z ADV7391BCPZ参数描述： 型号：ADV7391BCPZ VDD：1.8V VAA：3.3V 全驱动输出电流：34.6 mA 低驱动输出电流：4.3 mA 输出电容：10 pF 模拟输出延迟：6 ns DAC模拟输出倾斜：1 ns 输入高电压：2V 输入低电压：0.8V 输入泄漏电流 阅读全文
posted @ 2023-05-11 16:23 强元芯 阅读(106) 评论(0) 推荐(0)
详解ASEMI代理亚德诺ADV7125JSTZ330芯片设计与应用
摘要：编辑-Z ADV7125JSTZ330是一款音视频芯片，其优秀的性能指标与广泛的应用场景获得了市场的青睐。本文从设计、功能、性能以及应用四个方面详细阐述ADV7125JSTZ330芯片的优势与特点，旨在更好的帮助读者了解这款芯片。 一、设计方面 ADV7125JSTZ330使用了特殊的器件选型以及完 阅读全文
posted @ 2023-05-11 16:23 强元芯 阅读(76) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺ADXL345BCCZ-RL7车规级芯片
摘要：编辑-Z ADXL345BCCZ-RL7特点： 超低功率：在测量模式下低至23µA 在VS=2.5 V的待机模式下为0.1µA（典型） 功耗会随带宽自动调整 用户可选分辨率 固定的10位分辨率 全分辨率，其中分辨率随着g范围的增加而增加， 高达13位分辨率，±16 g（保持4 mg/LSB所有g范围 阅读全文
posted @ 2023-05-10 16:16 强元芯 阅读(172) 评论(0) 推荐(0)
ADV7611BSWZ-ASEMI代理亚德诺ADV7611BSWZ原厂芯片
摘要：编辑-Z ADV7611BSWZ参数描述： 型号：ADV7611BSWZ 输入高电压：1.2V 输入低电压：0.4V 输入电流：±45µA 输入电容：10 pF 输出高电压：2.4V 输出低电压：0.4V 高阻抗泄漏电流：±35µA 输出电容：20 pF LLC频率范围：13.5-165 MHz S 阅读全文
posted @ 2023-05-10 16:15 强元芯 阅读(57) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺LT6230CS6-10#TRPBF车规级芯片
摘要：编辑-Z LT6230CS6-10#TRPBF特点： 低噪声电压：1.1nV/ √Hz 低电源电流：3.5mA/Amp（最大值） 低失调电压：350μV（最大值） 增益带宽积： LT6230：215MHz；V≥1 _ _ LT6230-10：1450MHz；V≥10 _ _ 宽电源范围：3V 至 1 阅读全文
posted @ 2023-05-09 16:45 强元芯 阅读(32) 评论(0) 推荐(0)
HMC408LP3ETR-ASEMI代理亚德诺HMC408LP3ETR原厂芯片
摘要：编辑-Z HMC408LP3ETR参数描述： 型号：HMC408LP3ETR 频率范围：5.1 - 5.9 GHz 增益：20 dB 输入回波损耗：8 dB 输出回波损耗：6 dB 1dB压缩的输出功率：27 dBm 饱和输出功率：31 dBm 输出三阶截距：39 dBm 噪声系数：6 dB 电源电 阅读全文
posted @ 2023-05-09 16:45 强元芯 阅读(14) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺LT8609AJDDM#WTRPBF车规级芯片
摘要：编辑-Z LT8609AJDDM#WTRPBF特点： 宽输入电压范围：3.0V 至 42V 超低静态电流突发模式®操作： 将 12VIN 调节到 3.3VOUT 时 IQ 为 2.5µA 输出纹波 < 10mVP-P 高效 2MHz 同步操作： 1A 时效率为 93%, 12VIN 可获得 5VOU 阅读全文
posted @ 2023-05-08 16:38 强元芯 阅读(26) 评论(0) 推荐(0)
LT8471IFE#PBF-ASEMI代理亚德诺LT8471IFE#PBF原厂芯片
摘要：编辑-Z LT8471IFE#PBF参数描述： 型号：LT8471IFE#PBF 输入电压：2.6-50V 静态电流：2.2 mA 停机时的静态电流：0.01μA 正反馈电压：789 mV 反馈引脚偏置电流：30 nA 开关频率范围：100-2000 kHz Skyhook升压电压：4.25V 最短 阅读全文
posted @ 2023-05-08 16:38 强元芯 阅读(39) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺LTC3309AEV#TRMPBF车规级芯片
摘要：编辑-Z LTC3309AEV#TRMPBF特点： 与 LTC3307(3A) 和 LTC3308(4A) 引脚兼容 高效率：8mΩ NMOS、31mΩ PMOS 可编程频率 1MHz 至 3MHz 微型电感器和电容器 峰值电流模式控制 22ns 最短接通时间 宽带宽，快速瞬态响应 Silent S 阅读全文
posted @ 2023-05-06 15:57 强元芯 阅读(41) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理亚德诺LTC2954CTS8-2#TRMPBF车规级芯片
摘要：编辑-Z LTC2954CTS8-2#TRMPBF参数描述： 型号：LTC2954CTS8-2#TRMPBF 电源电压范围：2.7-26.4V VIN供电电流：6-12µA VIN欠电压锁定：2.2-2.5V VIN欠压锁定滞后：50-700 mV ONT上拉电流：–2.4 to–3.6µA ONT 阅读全文
posted @ 2023-05-06 15:57 强元芯 阅读(15) 评论(0) 推荐(0)
（MAX5048BAUT+T）ASEMI代理美信MAX5048BAUT+T车规级芯片
摘要：编辑-Z MAX5048BAUT+T特征： 型号：MAX5048BAUT+T 可控上升和下降时间的独立源和汇输出 +4V至+12.6V单电源 7.6A/1.3A峰值吸收/源极驱动电流 0.23Ω 开路漏极N沟道吸收输出 2.Ω 漏极开路P通道源极输出 12ns（典型）传播延迟 反相和非反相输入之间的 阅读全文
posted @ 2023-05-05 15:58 强元芯 阅读(21) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI代理ADI亚德诺LTC6992IS6-1#TRMPBF车规级芯片
摘要：编辑-Z LTC6992IS6-1#TRMPBF参数描述： 型号：LTC6992IS6-1#TRMPBF 输出频率：3.81Hz 工作电源电压范围：2.25 - 5.5V 通电复位电压：1.95V 电源电流：105-365µA SET引脚处的电压：1V 频率设置电阻器：50- 800kΩ MOD引脚 阅读全文
posted @ 2023-05-05 15:57 强元芯 阅读(40) 评论(0) 推荐(0)