03 2023 档案
摘要：编辑-Z 支持S32K116、S32K118、S32K142、S32K142W、S32K144、S32K144W、S32K146和S32K148 –S32K142W和S32K144W设备系列的技术信息在这些设备获得鉴定之前是初步的 数据表提供了以下两个附件： –S32K1xx_Orderable_P
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摘要：编辑-Z FS32K146HAT0MLLT通信接口： –最多三个低功耗通用异步接收器/发送器（LPUART/LIN）模块，具有DMA支持和低功耗可用性 –最多三个低功耗串行外围接口（LPSPI）模块，具有DMA支持和低功耗可用性 –最多两个低功耗内部集成电路（LPI2C）模块，具有DMA支持和低功耗
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摘要：编辑-Z FS32K146HAT0MLQT电源管理： –低功耗Arm Cortex-M4F/M0+内核，能效卓越 –具有多种电源模式的电源管理控制器（PMC）：HSRUN、RUN、STOP、VLPR和VLPS。注意：CSEc（安全）或EEPROM写入/擦除将在HSRUN模式（112MHz）下触发错误
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摘要：编辑-Z MMA8451QR1是一款智能、低功耗、三轴、电容、微机械加工，具有14位分辨率的加速度计。这个加速度计装有嵌入式功能，具有灵活的用户可编程选项，可配置为两个中断引脚。嵌入式中断功能可实现整体节能，从而使主机处理器不再持续轮询数据。可以访问低通滤波数据和高通滤波数据，从而最大限度地减少震动
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摘要：编辑-Z NXP汽车芯片MKE02Z32VLC4参数： 型号：MKE02Z32VLC4 资格状态：M=完全合格的一般市场流量，P=资格预审 动脉炎家族：KE02型 关键点属性：Z = M0+ core 程序闪存大小：16 = 16 KB，32 = 32 KB，64 = 64 KB 硅修正：（空白）=
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摘要：编辑-Z 用于i.MX 7和i.MX 6 SoloLite/SoloX/UltraLite处理器的电源管理集成电路（PMIC） MC34PF3001A7EP是一款SMARTMOS电源管理集成电路（PMIC），专为使用NXP i.MX 7和i.MX 6 SoloLite/SoloX/UltraLite
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摘要：编辑-Z MCIMX7D5EVM10SD系列处理器代表了恩智浦在满足低功耗需求的高性能处理和高度功能集成方面的最新成就。这些处理器的目标是不断增长的联网和便携式设备市场。 MCIMX7D5EVM10SD系列处理器具有ARM®Cortex®-A7内核的高级实现功能，根据零件号的不同，该内核的运行速度最
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摘要：编辑-Z PCF85163T/1,518是一款针对低功耗进行优化的CMOS1实时时钟（RTC）和日历。还提供了可编程时钟输出、中断输出和低电压检测器。所有地址和数据通过双线双向I2C总线串行传输。最大总线速度为400 kbit/s。寄存器地址在每个写入或读取数据字节后自动递增。 PCF85163T/
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摘要：编辑-Z MIMXRT1064CVJ5B工业产品交叉处理器 MIMXRT1064CVJ5B是一个新的处理器系列，采用了恩智浦先进的Arm Cortex®-M7内核，其运行速度高达528 MHz，可提供高CPU性能和最佳实时响应。 MIMXRT1064CVJ5B处理器具有1 MB片上RAM。512KB
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摘要：编辑-Z i.MX 6Solo/6DualLite消费品应用处理器 MCIMX6S5DVM10ACR处理器代表了以多媒体为重点的集成产品的最新成就，提供了低成本的高性能处理以及低功耗的优化。 该处理器采用先进的单/双Arm®Cortex®-A9内核，运行速度高达1 GHz。它们包括2D和3D图形处理
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摘要：编辑-Z NXP汽车芯片PCF7939MA/CABC0800参数描述： 型号：PCF7939MA/CABC0800 制造商：NXP Semiconductors 种类：NFC/RFID标签和应答器 存储容量：456 b 工作频率：125 kHz 最大工作温度：- 85℃ 最小工作温度：- 40℃ 封
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摘要：编辑-Z NXP汽车芯片PCF7939MA参数描述： 型号：PCF7939MA 制造商：NXP Semiconductors 种类：NFC/RFID标签和应答器 存储容量：456 b 工作频率：125 kHz 最大工作温度：- 85℃ 最小工作温度：- 40℃ 封装：Bulk 包装数量：5000 技
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摘要：编辑-Z TW6869-TA1-CRH是一款高度集成的解决方案，支持通过PCIe x1接口进行多通道视频和音频捕获，用于PC DVR系统和视频分析应用程序。它包含高质量的八通道NTSC/PAL/SECAM视频解码器，将模拟复合视频信号转换为数字分量YCbCr数据，并利用自适应4H梳状滤波器分离亮度和
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摘要：编辑-Z TW8825-LA1-CR在单个封装中集成了创建多用途车载LCD显示系统所需的许多功能。它集成了高质量的2D梳状NTSC/PAL/SECAM视频解码器、三重高速RGB ADC、高质量缩放器、多功能OSD和高性能MCU。TW8825-LA1-CR其图像视频处理能力包括任意缩放、全景缩放、图像
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摘要：编辑-Z TW9992AT-NA1-GE是一款低功耗NTSC/PAL模拟视频解码器，专为汽车应用而设计。它支持单端、差分和伪差分复合视频输入。集成了对电池短路和对地短路检测，先进的图像增强功能，如可编程的自动对比度调整（ACA）和MIPI-CSI2输出接口，使TW9992AT-NA1-GE成为要求苛
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摘要：编辑-Z ASEMI低压MOS管AO3415参数： 型号：AO3415 漏极-源极电压（VDS）：20V 栅源电压（VGS）：8V 漏极电流（ID）：4A 功耗（PD）：1.4W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ 二极管正向电压（VSD）：1
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摘要：编辑-Z AO3400在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为28mΩ，是一款N沟道低压MOS管。AO3400的最大脉冲正向电流ISM为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400功耗（PD）为1.4W。AO3400的电性
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摘要：编辑-Z SI2302在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为72mΩ，是一款N沟道低压MOS管。SI2302的最大脉冲正向电流ISM为10A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SI2302功耗（PD）为1.25W。SI2302的电
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摘要：编辑-Z ASEMI低压MOS管SI2301参数： 型号：SI2301 漏极-源极电压（VDS）：20V 栅源电压（VGS）：8V 漏极电流（ID）：2.3A 功耗（PD）：1.25W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ 二极管正向电压（VS
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管20N65参数： 型号：20N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极管正向电压（VSD）
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摘要：编辑-Z 16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗（PD）为70W。16N65的电性参数是：
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摘要：编辑-Z 12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗（PD）为140W。12N65的电性参数
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管10N65参数： 型号：10N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：10A 功耗（PD）：65W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.9Ω 二极管正向电压（VSD）：1
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管7N65参数： 型号：7N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：7A 功耗（PD）：50W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.35Ω 二极管正向电压（VSD）：1.4
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摘要：编辑-Z 4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗（PD）为50W。4N65的电性参数是：正向电流
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管20N60参数： 型号：20N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω 二极管正向电压（VSD）：
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摘要：编辑-Z 16N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.2Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N60功耗（PD）为134.4W。16N60的电性参
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摘要：编辑-Z 12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗（PD）为125W。12N60的电性参数是：
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管10N60参数： 型号：10N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：10A 功耗（PD）：125W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.85Ω 二极管正向电压（VSD）
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管7N60参数： 型号：7N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：7A 功耗（PD）：125W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω 二极管正向电压（VSD）：1.5
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摘要：编辑-Z 4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗（PD）为104W。4N60的电性参数是：正向电流
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