02 2023 档案
摘要：编辑-Z ASEMI低压MOS管20N06参数： 型号：20N06 漏极-源极电压（VDS）：60V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：45W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ 二极管正向电压（VSD）：1.
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摘要：编辑-Z ASE40N50SH在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH功耗（PD）为
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摘要：编辑-Z ASE0510SH在SOT-89封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为140mΩ，是一款N沟道中低压MOS管。ASE0510SH的最大脉冲正向电流ISM为15A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE0510SH功耗（PD）为2W。
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE65R330参数： 型号：ASE65R330 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：12.5A 功耗（PD）：30.9W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ 二
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摘要：编辑-Z ASE140N04在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为4mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE140N04的最大脉冲正向电流ISM为400A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE140N04功耗（PD）为100W
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管60R380参数： 型号：60R380 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：11A 功耗（PD）：65W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω 二极管正向电压（VSD
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摘要：编辑-Z ASE50N06在TO-252-2L封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE50N06的最大脉冲正向电流ISM为200A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗（PD）为85W。
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摘要：编辑-Z ASEMI低压MOS管ASE50N03参数： 型号：ASE50N03 漏极-源极电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：50A 功耗（PD）：60W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ 二极管正向电压（
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摘要：编辑-Z ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗（PD）为50W
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数： 型号：ASE20N65SE 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极
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摘要：编辑-Z ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。AS
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摘要：编辑-Z ASEMI低压MOS管50N06S参数： 型号：50N06S 漏极-源极电压（VDS）：60V 栅源电压（VGS）：25V 漏极电流（ID）：50A 功耗（PD）：85W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ 二极管正向电压（VSD）：
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摘要：编辑-Z ASEMI高压MOS管4N65SE参数： 型号：4N65SE 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：4A 功耗（PD）：50W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω 二极管正向电压（VSD）：
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摘要：编辑-Z 安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数： 型号：FGH60N60SFD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 二极管正向电流（IF）：60A 最大功耗（PD）：378W 工作结温度（TJ）：−55 to +15
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摘要：编辑-Z ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。A
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摘要：编辑-Z 安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数： 型号：FGH60N60SMD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A 最大功耗（PD）：600W 储存温度范围（TSTG）：−
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摘要：编辑-Z ASEMI中低压MOS管18N20参数： 型号：18N20 漏极-源极电压（VDS）：200V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流（ID）：18A 功耗（PD）：83W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω 二极管正向电压（VSD
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摘要：编辑-Z ASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗（P
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摘要：编辑-Z ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数： 型号：ASE60N10 漏极-源极电压（VDS）：100V 栅源电压（VGS）：±20V 漏极电流（ID）：60A 功耗（PD）：160W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ 二极管正向
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摘要：编辑-Z 20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电
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摘要：编辑-Z 安森美FGH60N60车规级IGBT参数： 型号：FGH60N60 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 二极管正向电流（IF）：60A 最大功耗（PD）：600W 工作结温度（TJ）：−55 to +175℃ 集电
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摘要：编辑-Z ASEMI低压MOS管AO3401参数： 型号：AO3401 封装：SOT-23 漏极-源极电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150
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摘要：编辑-Z ASEMI三相整流模块MDS100-16参数： 型号：MDS100-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：100A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)
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摘要：编辑-Z MDS75-16在MDS封装里采用的6个芯片，是一款工业焊机专用大功率整流模块。MDS75-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS75-16采用GPP硅芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS75-16的电性参数是：正向电流(
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摘要：编辑-Z ASEMI三相整流模块MDS55-16参数： 型号：MDS55-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：55A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0
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摘要：编辑-Z MDQ60-16在MDQ封装里采用的4个芯片，是一款机床用三相可控整流模块。MDQ60-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDQ60-16采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MDQ60-16的电性参数是：正向电流(Io
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MDQ75-16参数： 型号：MDQ75-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：75A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：0.3
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MDQ100-16参数： 型号：MDQ100-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：100A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：920A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）：
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摘要：编辑-Z MSAD260-16在MDA封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阳极整流模块。MSAD260-16的浪涌电流Ifsm为11000A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MSAD260-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MSAD260-16的电性参数
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MSAD165-16参数： 型号：MSAD165-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：165A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：6000A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MSAD110-16参数： 型号：MSAD110-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：110A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：2500A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c
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摘要：编辑-Z MDA500-16在MDA封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阳极整流模块。MDA500-16的浪涌电流Ifsm为20000A，漏电流(Ir)为25mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDA500-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDA500-16的电性参数是：正向
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MDA300-16参数： 型号：MDA300-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：300A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：11000A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)
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摘要：编辑-Z MDA260-16在MDA封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阳极整流模块。MDA260-16的浪涌电流Ifsm为11000A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDA260-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDA260-16的电性参数是：正向
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MDA165-16参数： 型号：MDA165-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：165A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：6000A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）
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摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MDA110-16参数： 型号：MDA110-16 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：1700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：110A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：2500A 每个二极管的典型热阻（Rth(j-c)）
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浙公网安备 33010602011771号