11 2022 档案
摘要：编辑-Z UD6KB100在D3K封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款适配充电器整流桥。UD6KB100的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UD6KB100采用金属硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。UD6KB100的电性参数是
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI整流桥UD4KB100参数： 型号：UD4KB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A 每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT10100VDC参数： 型号：SBT10100VDC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z SBT20100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是87MIL，是一款超低压降 低功耗肖特基二极管。SBT20100VDC的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT20100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR30200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR30200PT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30200PT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MB
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR40200PT参数： 型号：MBR40200PT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30100CT参数： 型号：MBR30100CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT30100VCT参数： 型号：SBT30100VCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z SB30100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款插件肖特基二极管。SB30100LCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为12uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SB30100LCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB3
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT40100VFCT参数： 型号：SBT40100VFCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TST
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR10200AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR10200AC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200AC采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。
阅读全文
摘要：编辑-Z SB40100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款大功率肖特基二极管。SB40100LCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为40uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。SB40100LCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。S
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200FAC参数： 型号：MBR15200FAC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR16200CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR16200CT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5822参数： 型号：1N5822 最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：28V 最大直流阻断电压（VDC）：40V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（Re
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SS310L参数： 型号：SS310L 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（
阅读全文
摘要：编辑-Z 艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数： 型号：IXYB82N120C3H1 漏极-源极电压（VCES）：1200V 连续漏电流（IC）：82A 功耗（PC）：1040W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA 输入电容（CISS）
阅读全文
摘要：编辑-Z 艾赛斯硅肖特基二极管DSA300I100NA参数： 型号：DSA300I100NA 最大重复反向阻断电压（VRRM）：100V 反向电流、漏极电流（IR）：3mA 正向电压降（VF）：0.99V 平均正向电流（IF）：300A 总功耗（Ptot）：830W 最大正向浪涌电流（IFSM）：4
阅读全文
摘要：编辑-Z 艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数： 型号：IXFK32N100P 漏极-源极电压（VDS）：1000V 连续漏电流（ID）：32A 功耗（PD）：960W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA 漏极源导通电阻RDS(ON)：3
阅读全文
摘要：编辑-Z 艾赛斯整流二极管DSP25-12A参数： 型号：DSP25-12A 最大重复反向阻断电压（VRRM）：1200V 反向电流、漏极电流（IR）：40uA 正向电压降（VF）：1.23V 平均正向电流（IF）：25A 总功耗（Ptot）：160W 最大正向浪涌电流（IFSM）：300A 结电容
阅读全文
摘要：编辑-Z 艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数： 型号：IXTY02N50D-TRL 漏极-源极电压（VDS）：500V 连续漏电流（ID）：200mA 功耗（PD）：25W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA 漏极源导通电阻RDS
阅读全文
摘要：编辑-Z 力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数： 型号：LSIC1MO120E0080 漏极-源极电压（VDS）：1200V 连续漏电流（ID）：25A 功耗（PD）：214W 工作结温度（TJ）：-55 to +175℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA 漏极源导通电阻RDS
阅读全文
摘要：编辑-Z 力特碳化硅肖特基二极管LSIC2SD120A05参数： 型号：LSIC2SD120A05 重复峰值反向电压（VRRM）：1200V 连续正向电流（IF）：5A 非重复正向浪涌电流（IFSM）：40A 功耗（PTot）：100W 工作结温度（TJ）：-55 to 175℃ 正向电压（VF）：
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI整流桥UD6KB100参数： 型号：UD6KB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V RMS反向电压VR(RMS)：700 平均整流输出电流（IO）：6A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A 每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W 工作结和储存温度范围（TJ
阅读全文
摘要：编辑-Z UD4KB100在D3K封装里采用的4个芯片，其尺寸都是72MIL，是一款智能家居专用整流桥。UD4KB100的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UD4KB100采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。UD4KB100的电性
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI整流桥D3KB100参数： 型号：D3KB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V RMS反向电压VR(RMS)：700 平均整流输出电流（IO）：3A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：35℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, T
阅读全文
摘要：编辑-Z SBT10100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是62MIL，是一款低压降贴片肖特基二极管。SBT10100VDC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为4uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT10100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT20100VDC参数： 型号：SBT20100VDC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30200PT参数： 型号：MBR30200PT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR40200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR40200PT的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR40200PT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MB
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数： 型号：MBR10200CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT参数： 型号：SBT10100VCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z SBT30100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT30100VCT的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯
阅读全文
摘要：编辑-Z SBT40100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT40100VCT的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB20100LCT参数： 型号：SB20100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB30100LCT参数： 型号：SB30100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）
阅读全文
摘要：编辑-Z SBT40100VFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款塑封肖特基二极管。SBT40100VFCT的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VFCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗
阅读全文
摘要：编辑-Z SB20100LFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是82MIL，是一款半塑封肖特基二极管。SB20100LFCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SB20100LFCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200AC参数： 型号：MBR10200AC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR10200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR10200FAC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FAC采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数： 型号：SB40100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200AC参数： 型号：MBR15200AC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 每
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR15200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR15200FAC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR15200FAC采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR16200CT参数： 型号：MBR16200CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：16A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每
阅读全文
摘要：编辑-Z MBR16200FCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR16200FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2
阅读全文
摘要：编辑-Z 1N5822在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是32MIL，是一款轴向低压降肖特基二极管。1N5822的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为2.0mA，其工作时耐温度范围为-65~125摄氏度。1N5822采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5822的电性参数是：正向
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管20V45参数： 型号：20V45 最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：31.5V 最大直流阻断电压（VDC）：45V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（Re
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管SS210L参数： 型号：SS210L 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A 每个元件的典型热阻（
阅读全文
摘要：编辑-Z SS310L在SMA封装里采用的2个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款低压降肖特基二极管。SS310L的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SS310L采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SS310L的电性参数是：正向电流(
阅读全文
浙公网安备 33010602011771号