10 2022 档案
摘要：编辑-Z STTH15RQ06-Y用的TO-220-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH15RQ06-Y的反向漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH15RQ06-Y的浪涌非重复正向电流（IFSM）为120A，反向恢复时间（trr）为25ns。S
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摘要：编辑-Z STTH1506DPI用的TO-3P-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH1506DPI的反向漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。STTH1506DPI的浪涌非重复正向电流（IFSM）为130A，反向恢复时间（trr）为16ns。STTH1
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摘要：编辑-Z STTH30ST06-Y用的TO-247-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH30ST06-Y的反向漏电流（IR）为50uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH30ST06-Y的浪涌非重复正向电流（IFSM）为160A，反向恢复时间（trr）为39ns。S
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摘要：编辑-Z STTH6010-Y用的TO-247-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH6010-Y的反向电流，漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH6010-Y的浪涌非重复正向电流（IFSM）为400A，反向恢复时间（trr）为115ns。STT
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摘要：编辑-Z DS145-16A用的TO-247-2封装，是艾赛斯一款汽车用超快恢复高压二极管。DS145-16A的总功耗（Ptot）为270W，反向电流，漏电流（IR）为40uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。DS145-16A的结电容（CJ）为18pF，最大正向浪涌电流（IFSM）为48
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摘要：编辑-Z AIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为
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摘要：编辑-Z AIGW40N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）为250W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为
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摘要：编辑-Z FGH40N60SMD用的TO-247封装，是安森美一款汽车级IGBT管。FGH40N60SMD的功耗（Ptot）为349W，集电极截止电流（ICES）为250uA，G−E漏电流（IGES）为±400nA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。FGH40N60SMD的输入电容（Ciss
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摘要：编辑-Z STW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss
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摘要：编辑-Z STW43NM60ND用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW43NM60ND的输入电容（
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摘要：编辑-Z 随着车规级mos管的应用得到全面推广，在不同工作环境中广泛应用的普及，这导致生产加工行业受到发展的带动，各种不同类型的品种层出不穷，为了工作中具有强大的优势和特点，安森美车规级mos管NVHL040N65S3F怎么选型？安森美一级代理强元芯电子建议在选择型号NVHL040N65S3F时需要
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摘要：编辑-Z FCH041N65F用的TO-247封装，是安森美一款汽车级MOS管。FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss
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摘要：编辑-Z IPW65R080CFDA用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级MOS管。IPW65R080CFDA的漏源导通电阻RDS(on)为0.072Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为2uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。IPW65R080CFDA
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摘要：编辑-Z 英飞凌的IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA都是汽车级MOS管，他们的封装都是TO-247的，本体长度都是21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。下面是IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA
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摘要：编辑-Z ST/意法STTH15RQ06-Y车规FRD参数： 型号：STTH15RQ06-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：15A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：120A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to
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摘要：编辑-Z ON/安森美ISL9R3060G2车规FRD参数： 型号：ISL9R3060G2 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：30A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：325A 功耗（PD）：200W 操作和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 ~ 175℃ 反向漏电流
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摘要：编辑-Z ST/意法STTH1506DPI车规FRD参数： 型号：STTH1506DPI 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：15A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：130A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢150℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to ﹢1
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摘要：编辑-Z 意法STTH60RQ06-Y汽车级快恢复二极管参数： 型号：STTH60RQ06-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：60A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：425A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to
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摘要：编辑-Z ST/意法STTH30ST06-Y车规FRD参数： 型号：STTH30ST06-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：600V 平均正向电流（IF）：30A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：160A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to
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摘要：编辑-Z ST/意法STTH6010-Y车规快恢复二极管参数： 型号：STTH6010-Y 重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 平均正向电流（IF）：60A 浪涌非重复正向电流（IFSM）：400A 储存温度范围（Tstg）： -65 to ﹢175℃ 工作结温度范围（Tj）： -40 to
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摘要：编辑-Z IXYS/艾赛斯DS145-16A车规FRD参数： 型号：DS145-16A 最大重复反向闭锁电压（VRRM）：1600V 反向电流，漏电流（IR）：40uA 正向电压降（VF）：1.26V 平均正向电流（IF）：45A 总功耗（Ptot）：270W 最大正向浪涌电流（IFSM）：480A
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摘要：编辑-Z Infineon/英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数： 型号：AIGW50N65H5 脉冲集电极电流（ICpuls）：150A 功耗（Ptot）：270W 工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃ 储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压（VCE）：65
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摘要：编辑-Z 英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数： 型号：AIGW40N65H5 脉冲集电极电流（ICpuls）：120A 功耗（Ptot）：250W 工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃ 储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压（VCE）：650V G−E阈值电
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摘要：编辑-Z ON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数： 型号：FGH40N60SMD 二极管正向电流（IF）：40A 功耗（Ptot）：349W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃ 集电极到发射极电压（VCES）：600V G−E阈值电压VGE(th)：4.5V 集
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摘要：编辑-Z ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数： 型号：STW78N65M5 连续漏极电流（ID）：69A 功耗（Ptot）：450W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极
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摘要：编辑-Z ST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数： 型号：STW43NM60ND 连续漏极电流（ID）：35A 功耗（Ptot）：255W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：600V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极
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摘要：编辑-Z ON/安森美NVHL040N65S3F车规级MOS管参数： 型号：NVHL040N65S3F 连续漏极电流（ID）：65A 功耗（Ptot）：446W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：3V 零栅
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摘要：编辑-Z ON/安森美FCH041N65F车规级MOS管参数： 型号：FCH041N65F 连续漏极电流（ID）：76A 功耗（Ptot）：595W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：5V 零栅极电压漏极电
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摘要：编辑-Z IPW65R080CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R080CFDA 连续漏极电流（ID）：137A 功耗（Ptot）：391W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极
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摘要：编辑-Z IPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R110CFDA 连续漏极电流（ID）：99.6A 功耗（Ptot）：277.8W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电
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摘要：编辑-Z IPW65R150CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R150CFDA 连续漏极电流（ID）：72A 功耗（Ptot）：195.3W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏
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浙公网安备 33010602011771号