09 2022 档案
摘要：编辑-Z IPW60R017C7英飞凌MOS管参数： 型号：IPW60R017C7 连续漏极电流（ID）：109A 功耗（Ptot）：446W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：600V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏极电流（I
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管MBR30300VCT在生活电子领域的应用是相当普遍的，它基本上可以在大多数电子线路中运用，虽说是那样一小个半导体元器件，可是具有非常重要的作用，下面来看看MBR30300VCT-ASEMI肖特基二极管有什么用吧？了解了它的作用这样才能更好的去使用。 MBR30300VCT参数
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摘要：编辑-Z ASEMI-B7整流桥输出是几伏？桥式整流后的电压为310V。 220V交流电源经桥式全波整流后，输出直流电压为输入交流电压的0.9倍，约为198V。如果输出部分接滤波电容，则输出空载直流电压约为输入交流电压的√2倍，约为310V。整流后的电压由变压器的容量、滤波电容的大小和负载电流的大小
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摘要：编辑-Z MBR30300VPT采用的是TO-220AB封装，是一款大电流肖特基二极管。MBR30300VPT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为20uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30300VPT采用GPP硅芯片材质。MBR30300VPT的电性参数是：正向电流(I
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SFP4006参数： 型号：SFP4006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 工作结和储存温
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SF1606参数： 型号：SF1606 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：16A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SF2006参数： 型号：SF2006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SFF1006和SF1006有什么区别？SFF1006和SF1006的区别就在于它们的封装不同，其他参数都是一样的。下面是它们的参数和体积对比： SFF1006参数描述 型号：SFF1006 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复时间 电性参数：10A 600V 芯
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SF3004参数： 型号：SF3004 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：280V 最大直流阻断电压（VDC）：400V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SFF3006参数： 型号：SFF3006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR207参数： 型号：FR207 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：70A 每个元件的典型热阻（R
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管6A10参数： 型号：6A10 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：6A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（Re
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摘要：编辑-Z FR607在R-6封装里采用的1个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款大电流快恢复二极管。FR607的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FR607采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。FR607的电性参数是：正向电流(Io)
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摘要：编辑-Z SF68在R-6封装里采用的1个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款插件封装二极管。SF68的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SF68采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF68的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SF18参数： 型号：SF18 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA）
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摘要：编辑-Z MUR1100在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款快恢复二极管。MUR1100的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1100采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1100的电性参数是：正向电
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR257参数： 型号：FR257 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.5A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z UF5408在DO-27封装里采用的1个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款高效恢复二极管。UF5408的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UF5408采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。UF5408的电性参数是：正向电流(
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管RL257参数： 型号：RL257 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.5A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES8JC参数： 型号：ES8JC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A 每个元件的典型热阻（
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摘要：编辑-Z RS3MB在SMB封装里采用的1个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款小电流，贴片快恢复二极管。RS3MB的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS3MB采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。RS3MB的电性参数是：正向电流(I
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摘要：编辑-Z ASEMI新能源快恢复桥EGBJ5006/HGBJ5006参数： 型号：EGBJ5006/HGBJ5006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 反向击穿电压（VB）：620V 平均整流输出电流（IO）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM
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摘要：编辑-Z MR760在BUTTON封装里采用的1个芯片，是一款高压大电流整流二极管。MR760的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为25uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MR760采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MR760的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压
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摘要：编辑-Z ASEMI整流二极管MR754参数： 型号：MR754 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：280V 最大直流阻断电压（VDC）：400V 最大平均正向整流输出电流（IF）：6.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 工作结和储存温度范围（
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摘要：编辑-Z MR756在BUTTON封装里采用的1个芯片，是一款汽车用整流二极管。MR756的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为25uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MR756采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MR756的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压为6
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBU8M参数： 型号：GBU8M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：560V 最大直流阻断电压（VDC）：800V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJ
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摘要：编辑-Z GBU8K在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超薄整流扁桥。GBU8K的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU8K采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU8K的电性参数是：正向电流(Io)为
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES5JB参数： 型号：ES5JB 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：5.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（
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摘要：编辑-Z GS5MB在SMB封装里采用的1个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款小电流，贴片整流二极管。GS5MB的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GS5MB采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。GS5MB的电性参数是：正向电流(I
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摘要：编辑-Z US1MF在SMA-F封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款贴片快恢复二极管。US1MF的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。US1MF采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1MF的电性参数是：正向电流(Io)为1
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管GS1MF参数： 型号：GS1MF 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管U1M参数： 型号：U1M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：800V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJ
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摘要：编辑-Z DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是：正向电流(Io)
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浙公网安备 33010602011771号