08 2022 档案
摘要：编辑-Z ASEMI光伏二极管GMK3045参数： 型号：GMK3045 重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大有效值电压（VRMS）：31.5V 平均整流输出电流（IO）：30A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：600A 热阻（典型值）（ReJA）：1.5℃/W 储存温度范围（Tstg）：
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摘要：编辑-Z TPA3045是一款光伏逆变器二极管。TPA3045的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~200摄氏度。TPA3045采用肖特基势垒芯片，典型热阻（ReJA）为0.8℃/W。TPA3045的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为45
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥SKBPC3516参数： 型号：SKBPC3516 重复峰值反向电压（VRRM）：1600V 平均整流输出电流（Io）：35A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：425A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.35℃/W 贮存温度（TSTG）：-40～+150℃ 结温（TJ
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摘要：编辑-Z GBPC5010W在GBPCW-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是210MIL，是一款电机专用整流桥。GBPC5010W的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC5010W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBPC
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBPC5010W参数： 型号：KBPC5010W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件
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摘要：编辑-Z 好多电器设备比如电视机，电磁炉，电动车充电器等等，都是进电源220V直接接入整流桥KBPC3510W，然后由硅堆输出直流电压，再经过电容滤波后给各个部位供电。那么怎么测ASEMI整流桥KBPC3510W的电压呢？ KBPC3510W参数描述 型号：KBPC3510W 封装：KBPCW-4
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摘要：编辑-Z KBJ610在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款热水壶专用整流桥。KBJ610的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ610采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ610的电性参数是：正向
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBP410参数： 型号：KBP410 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W 工作结和储存温度范围
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摘要：编辑-Z GBJ5010在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是190MIL，是一款薄体扁桥整流桥。GBJ5010的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ5010采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ5010的电性参数
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBJ3510参数： 型号：GBJ3510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥DB307S参数： 型号：DB307S 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（Re
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摘要：编辑-Z ASEMI光伏二极管有哪些型号？目前有TPA系列和GMK系列，主要是光伏逆变器二极管和光伏防回流二极管，它们的参数如下所示： 型号：TPA3045/TPA4045光伏二极管 重复峰值反向电压（VRRM）：45V 平均整流输出电流（IO）：30A/40A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：
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摘要：编辑-Z ASEMI光伏二极管GMK4045参数： 型号：GMK4045 重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大有效值电压（VRMS）：31.5V 平均整流输出电流（IO）：40A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：600A 热阻（典型值）（ReJA）：1.5℃/W 储存温度范围（Tstg）：
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摘要：编辑-Z GMK3045是一款光伏防回流二极管。GMK3045的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GMK3045采用金属硅垒芯片，典型热阻（ReJA）为1.5℃/W。GMK3045的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为45V
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摘要：编辑-Z TPA4045是一款光伏防回流二极管。TPA4045的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~200摄氏度。TPA4045采用肖特基势垒芯片，典型热阻（ReJA）为0.8℃/W。TPA4045的电性参数是：正向电流(Io)为40A，反向耐压为45
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摘要：编辑-Z ASEMI光伏二极管TPA3045参数： 型号：TPA3045 重复峰值反向电压（VRRM）：45V 平均整流输出电流（IO）：30A 浪涌（非重复）正向电流（IFSM）：300A 热阻（典型值）（ReJA）：0.8℃/W 工作结温范围（TJ）：-55 to +200℃ 峰值正向电压（VF
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摘要：编辑-Z 26MB160A在D-34封装里采用的4个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款大功率电源专用单相整流桥。26MB160A的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。26MB160A采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。26MB160
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摘要：编辑-Z ASEMI三相整流桥26MT160参数： 型号：26MT160 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1600V RMS隔离电压（VINS）：2700V TC处的最大直流输出电流（IO）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：360A 最大热阻，结到外壳（RthJC）：1.42K/W 最大热阻
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBPC810参数： 型号：KBPC810 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：125A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z SKBPC3516在SKBPC-4封装里采用的5个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款充电桩专用整流桥。SKBPC3516的浪涌电流Ifsm为425A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SKBPC3516采用GPP硅芯片材质，里面有5颗芯片组成。SKBPC
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBPC5010W参数： 型号：GBPC5010W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件
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摘要：编辑-Z GBPC3510W在GBPCW-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是160MIL，是一款电机专用整流桥。GBPC3510W的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC3510W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBPC3
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBPC2510W参数： 型号：GBPC2510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件
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摘要：编辑-Z GBPC1510W在GBPCW-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款铝底塑壳针脚高散热方桥。GBPC1510W的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC1510W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。G
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摘要：编辑-Z KBPC5010W在KBPCW-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款金属壳针脚方桥。KBPC5010W的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC5010W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBPC3510W参数： 型号：KBPC3510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件
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摘要：编辑-Z KBPC1510W在KBPCW-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款马达专用整流桥。KBPC1510W的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC1510W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBJ5010参数： 型号：KBJ5010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBJ610参数： 型号：KBJ610 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：6.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：120A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z KBJ810在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款榨汁机专用整流桥。KBJ810的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ810采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ810的电性参数是：正向
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBJ410参数： 型号：KBJ410 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：120A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z KBP410在KBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是74MIL，是一款开关电源整流器件。KBP410的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBP410采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBP410的电性参数是：正向电流
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摘要：编辑-Z GBJ3510在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是165MIL，是一款家电电源用整流桥。GBJ3510的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ3510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ3510的电性参
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBJ5010参数： 型号：GBJ5010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z GBJ1510在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款机器人电源整流桥。GBJ1510的浪涌电流Ifsm为240A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ1510的电性参
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBJ1010参数： 型号：GBJ1010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：240A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBJ810参数： 型号：GBJ810 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：120A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z GBJ610在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款超薄整流扁桥。GBJ610的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ610采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ610的电性参数是：正向电流
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBL610参数： 型号：GBL610 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：6.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 每个元件的典型热阻
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摘要：编辑-Z GBL210在GBL-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款机箱电源适配器整流桥。GBL210的浪涌电流Ifsm为60A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBL210采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBL210的电性参数是：正向
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摘要：编辑-Z DB307S在DBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是72MIL，是一款贴片整流桥。DB307S的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB307S采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。DB307S的电性参数是：正向电流(Io
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥B7参数： 型号：B7整流桥 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA）
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摘要：编辑-Z 什么是光伏二极管，光伏二极管的作用是什么？光伏二极管包括多种电极管，各有其作用。 1、阻塞二极管。阻塞二极管放置在组件和电池之间的正极线上，以防止电池电流在夜间或阴天回流到光伏阵列，一些控制器包含一个二极管即可实现这一功能的防反电路。 2、旁路二极管。旁路二极管与组件并联放置，用于在模块上
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