07 2022 档案
摘要：编辑-Z 本次肖特基二极管厂家ASEMI给大家介绍电路中三个重要元件的功能和特性：电阻、电感和二极管。 元老级别——电阻 电阻器是半导体中的非储能元件，是直接将电能转化为热能的元件。因此对功率会有很大的要求，如果电路中使用的电阻耗散过大的功率，就会引起过热烧坏，从而损坏整个电路。 肖特基二极管厂家A
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摘要：编辑-Z GBJ2510在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款电机专用25A薄体扁桥。GBJ2510的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ2510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ2510的
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥S25VB100参数： 型号：S25VB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z 对于有刷直流电机，通电时电机旋转，电源极性接反时电机反转。因此，有刷电机非常容易控制。除了使用专用的直流电机驱动IC外，对于比较简单的应用，电机可以直接连接电源。但是，在某些电路中增加了GBPC3510整流桥，这有两个主要原因： 1、防止电源极性接反使电机反转 二极管具有单向导通特性，可实
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBPC5010参数： 型号：GBPC5010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBPC3510参数： 型号：KBPC3510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBPC2510参数： 型号：KBPC2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z KBPC1510在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款单相整流方桥。KBPC1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC1510的
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBU1510参数： 型号：GBU1510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z DB207在DB-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款插件整流桥。DB207的浪涌电流Ifsm为50A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB207采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。DB207的电性参数是：正向电流(Io)为2A
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥LB10S参数： 型号：LB10S 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（Re
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摘要：编辑-Z HD06在HD-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款贴片整流桥。HD06的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。HD06采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。HD06的电性参数是：正向电流(Io)为0.8-1A
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摘要：编辑-Z UMB10F在UMBF封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款迷你贴片整流桥。UMB10F的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UMB10F采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。UMB10F的电性参数是：正向电流(I
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥MB10M参数： 型号：MB10M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：35A 每个元件的典型热阻（Re
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摘要：编辑-Z 整流桥厂家ASEMI有哪些型号？最小的贴片封装包括MBS系列、MBF系列、DBS系列、ABS系列、LBS系列；插件封装包括柱形整流桥WOB系列、MBM系列、DB系列、KBP系列、KBL系列、GBU系列、GBL系列、DUKB系列、KBU系列、GBU/KBJ系列、KBPC/W系列、GBPC/W
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摘要：编辑-Z MHCHXM超快恢复二极管SFF1004参数： 型号：SFF1004 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.0℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65
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摘要：编辑-Z 开关电源的输出整流管一般采用快恢复二极管（FRD）、超快恢复二极管（SRD）或肖特基二极管（SBD）。MHCHXM超快恢复二极管SFF1604为什么是开关电源的常客？SFF1604具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装方便等优点。 超快恢复二极管SFF1604的选择 1、
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摘要：编辑-Z SFF1602在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。SFF1602的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。SFF1602采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF1602的电性参数
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摘要：编辑-Z KBPC2510W在KBPC-W封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款焊机专用整流桥。KBPC2510W的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC2510W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC2
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBJ2510参数： 型号：GBJ2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z S50VB100在SVB-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款电机专用整流桥。S50VB100的浪涌电流Ifsm为450A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。S50VB100采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。S50VB100的电
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥S35VB100参数： 型号：S35VB100 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z 大家都知道日本新电元的S25VB100，不过价钱比较贵，所以都想要性能跟它差不多但是价钱又比较便宜的。我们建议您在选购整流桥S25VB100时要谨慎，您需要做出理性的判断，仔细筛选各类报价产品。只有这样，您才能避免陷入采购误区的陷阱，给您的公司带来沉重的麻烦和损失。那么为何说ASEMI-S
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摘要：编辑-Z GBPC5010在GBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是200MIL，是一款焊机专用整流桥。GBPC5010的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC5010采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBPC5010的
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBPC3510参数： 型号：GBPC3510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z KBPC3510在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是160MIL，是一款电磁炉专用整流桥。KBPC3510的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC3510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC351
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摘要：编辑-Z 相信熟悉电子元件的工程师一定很熟悉整流桥，因为整流桥是所有电气开关电路必不可少的电子元器件，也很常见，但是对于质检还是有一些技术要求的。KBPC2510是电磁炉常用的整流桥，那么ASEMI电磁炉整流桥KBPC2510怎么测量好坏？ 整流桥KBPC2510的测量必须了解其原理，以便于检测。整
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBPC1510的型号数字代表什么？我们先来看一下整流桥的命名规则：一般整流桥名称中有3个数字，第一个数字代表额定电流，有4个数字的就前面两个数字代表额定电流；后两位数字代表额定电压（数字*100），如：KBPC1510为15A，1000V。 RS507 为5A，1000V
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摘要：编辑-Z GBU1510在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款薄体扁桥电源专用15A整流桥。GBU1510的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU151
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摘要：编辑-Z KBU1510在KBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款薄体扁桥电源专用15A整流桥。KBU1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU15
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥RS210参数： 型号：RS210 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（Re
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摘要：编辑-Z 50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。理想情况下，整流桥DB207的导通角应为180°（导通范围为0°到180°），但由于滤波电容C的作用，只能在很短的时间内接近交流峰值电压，输入电流才流过整流桥给C充电。50Hz交流电的半周期为10ms，
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摘要：编辑-Z RB157在WOB-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款整流圆桥。RB157的浪涌电流Ifsm为50A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RB157采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RB157的电性参数是：正向电流(Io)为1.5A
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摘要：编辑-Z LB10S在LBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款贴片整流桥。LB10S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。LB10S采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。LB10S的电性参数是：正向电流(Io)为1A，
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥HD06参数： 型号：HD06 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：0.8~1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥UMB10F参数： 型号：UMB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（
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摘要：编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A
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