04 2022 档案

摘要:编辑-Z D92-03在TO-247封装里采用的2个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款超低压降低功耗快恢复二极管。D92-03的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。D92-03采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。D92-03的电性参 阅读全文
posted @ 2022-04-29 13:57 强元芯 阅读(196) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 因为整流模块MDS100-16的额定电流和反向耐压非常大,很多大功率的设备都可以使用,所以MDS100-16的应用非常广泛,也是整流模块我们经常看到的原因。今天我们来聊聊ASEMI整流模块MDS100-16如何测好坏?首先我们来看看它的具体参数和形状: 型号:MDS100-16 封装:MD 阅读全文
posted @ 2022-04-29 13:56 强元芯 阅读(534) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流模块MDQ100-16参数: 型号:MDQ100-16 最大重复峰值反向电压(VRRM):1600V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):1700V 最大直流阻断电压(VDC):1600V 最大平均正向整流输出电流(IF):100A 峰值正向浪涌电流(IFSM):920A a 阅读全文
posted @ 2022-04-28 14:10 强元芯 阅读(342) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z KBPC3506在KBPC-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是160MIL,是一款单相整流方桥。KBPC3506的浪涌电流Ifsm为400A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC3506采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBPC3506的 阅读全文
posted @ 2022-04-28 14:08 强元芯 阅读(178) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBU406~GBU410系列在GBU-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是84MIL,是一款薄体扁桥。GBU406~GBU410的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU406~GBU410系列都是采用光阻GPP硅芯片材质,里面有 阅读全文
posted @ 2022-04-26 15:11 强元芯 阅读(419) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBP406~GBP410系列在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是74MIL,是一款内置GPP扁桥。GBP406~GBP410的浪涌电流Ifsm为125A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP406~GBP410系列都是采用光阻GPP硅芯片材质 阅读全文
posted @ 2022-04-26 15:10 强元芯 阅读(568) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBP307~GBP310系列在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是60MIL,是一款内置GPP扁桥。GBP307~GBP310的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP307~GBP310系列都是采用光阻GPP硅芯片材质, 阅读全文
posted @ 2022-04-25 14:24 强元芯 阅读(266) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBP206~GBP210系列在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款内置GPP扁桥。GBP206~GBP210的浪涌电流Ifsm为60A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP206~GBP210系列都是采用光阻GPP硅芯片材质, 阅读全文
posted @ 2022-04-25 14:23 强元芯 阅读(164) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 作为肖特基二极管厂家和快恢复二极管厂家,ASEMI能生产的型号就太多了,这里我就先给大家列举一部分的肖特基二极管型号,肖特基二极管厂家和快恢复二极管厂家ASEMI有哪些型号请看下文。 10A 45V~200V肖特基二极管 采用TO-220AC封装的有:MBR10200AC、MBR10150 阅读全文
posted @ 2022-04-24 14:18 强元芯 阅读(706) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 常用设备的电源有交流和直流两种。 电灯和电动机使用交流电,而电子电路和通信设备则需要直流电。交流电可以直接从供电电网获得,而获得直流电源最经济便捷的方式是将电网提供的交流电转换成直流电。 将交流电转化为直流电的过程称为整流,进行整流的器件称为整流器。整流器利用半导体二极管的单向导电性将交流 阅读全文
posted @ 2022-04-23 14:21 强元芯 阅读(1009) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 超快恢复二极管: 在开关电源的输出电路中,不光需要二极管拥有充分的耐压性,还需要二极管拥有较好的开关特点,即反向恢复时间短。因此,输出电路的整流二极管通常选用超快恢复二极管。反向恢复时间意思是二极管从正向导向到反向截止所要的时间,通常小于0.5微秒。 肖特基二极管: 肖特基二极管是一类低耗 阅读全文
posted @ 2022-04-23 14:19 强元芯 阅读(749) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 低压降肖特基二极管在电路中的应用越来越广泛,许多电路的功能实现都离不开低压降肖特基二极管的支持。那么ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪? 随着时代的发展,人们的节能环保意识不断增强,对外接电源的要求也越来越高。越来越多的人用低压降的肖特基二极管来代替普通的肖特基二极管,而我们国 阅读全文
posted @ 2022-04-22 14:51 强元芯 阅读(391) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 型号:DB107 制造商零件编号:DB107-ASEM 产品分类:桥式整流器 描述:整流桥 1A 1000V DB-1 包裹:DIP4 数量:5000000个 无铅状态/RoHS状态:无铅/符合RoHS标准 制造商:ASEMI 产品分类:桥式整流器 包装:管子 二极管类型:单相 峰值反向电 阅读全文
posted @ 2022-04-22 14:50 强元芯 阅读(303) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装,是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A,最大功耗(PD)为320W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS,关断延迟时间(td(off)) 阅读全文
posted @ 2022-04-21 14:53 强元芯 阅读(429) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 35P03采用的TO-252封装,是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A,最大功耗(PD)为53W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS,关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数 阅读全文
posted @ 2022-04-21 14:52 强元芯 阅读(225) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流二极管10A10参数: 型号:10A10 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF):10.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):600A 工作结和储存温度 阅读全文
posted @ 2022-04-20 15:23 强元芯 阅读(1324) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 肖特基二极管1N5819压降是什么意思 二极管的管压降本质上是一个电阻,但导通时电阻很小,不导通时接近无穷大,导通时电阻会分担一定的电压,所以称为管压降。1N5819二极管两端的电压降为 0.6V。低于此电压,二极管将不导通。高于此电压,它将导通。二极管在指定正向电流下的正向压降。使二极管 阅读全文
posted @ 2022-04-20 15:21 强元芯 阅读(1362) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 1N5408在DO-27封装里采用的1个芯片,其尺寸都是110MIL,是一款小电流、直插整流二极管。1N5408的浪涌电流Ifsm为125A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N5408采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。1N5408的电性参数是:正 阅读全文
posted @ 2022-04-19 15:21 强元芯 阅读(1789) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI快恢复二极管D92-03参数: 型号:D92-03 最大重复峰值反向电压(VRRM):400V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):280V 最大直流阻断电压(VDC):400V 最大平均正向整流输出电流(IF):20.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 工作结和储存温 阅读全文
posted @ 2022-04-19 15:20 强元芯 阅读(249) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MUR1060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片,其尺寸都是95MIL,是一款超快恢复时间二极管。MUR1060AC的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1060AC采用抗冲击硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。MUR1 阅读全文
posted @ 2022-04-18 15:13 强元芯 阅读(281) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流模块MDS100-16参数: 型号:MDS100-16 最大重复峰值反向电压(VRRM):1600V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):1700V 最大直流阻断电压(VDC):1600V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):100A 峰值正向浪涌电流(IFSM):92 阅读全文
posted @ 2022-04-18 15:12 强元芯 阅读(257) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 随着我国科技生产水平的不断提高,各行各业对供电质量的要求也越来越高。智能高频开关电源作为继电保护装置和控制回路装置,为生活和生产提供可靠的电源。当市电中断时,也可作为备用电源,因此智能高频开关电源是供电质量保证的重要组成部分之一。由MDQ100-16组成的智能开关电源具有高度灵活的组合和自 阅读全文
posted @ 2022-04-16 15:48 强元芯 阅读(301) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MDS55-16在MDS封装里采用的6个芯片,是一款三相整流模块。MDS55-16的浪涌电流Ifsm为920A,漏电流(Ir)为0.5mA,其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS55-166采用GPP硅芯片材质,里面有6颗芯片组成。MDS55-16的电性参数是:正向电流(Io)为 阅读全文
posted @ 2022-04-16 15:47 强元芯 阅读(210) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 二极管搭建的ASEMI整流桥KBPC3506是如何将交流电转化为直流电的?今天小编就给大家详细介绍一下,为了便于理解,我给大家画了一个示意图: KBPC3506输入1和输入2是交流电的两个输入端。至于电压波形,既有大于0的部分,也有小于0的部分,具体波形见下图: 此时电压在X轴上半部分时, 阅读全文
posted @ 2022-04-15 15:24 强元芯 阅读(443) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z KBPC5006在KBPC-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是180MIL,是一款单相整流方桥。KBPC5006的浪涌电流Ifsm为400A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC5006采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBPC5006的 阅读全文
posted @ 2022-04-15 15:24 强元芯 阅读(123) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥GBU410参数: 型号:GBU410 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):4.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):150A 每个元件的 阅读全文
posted @ 2022-04-14 15:28 强元芯 阅读(536) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBU406在GBU-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是84MIL,是一款薄体扁桥。GBU406的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU406采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBU406的电性参数是:正向电流(Io 阅读全文
posted @ 2022-04-14 15:25 强元芯 阅读(614) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 整流桥GBP410作为一种功率元件,广泛应用于各种供电设备中。其内部主要由四个二极管组成的桥式电路将输入交流电压转换成输出直流电压。 一、整流桥GBP410的原理 整流桥是将整流管封装在一个外壳中,分为全桥和半桥。全桥是将四个整流二极管连接成桥式电路的形式。半桥有三种结构:一种是将两个二极 阅读全文
posted @ 2022-04-13 15:33 强元芯 阅读(929) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBP406在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是74MIL,是一款超标准芯片扁桥。GBP406的浪涌电流Ifsm为125A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP406采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBP406的电性参数是:正向电 阅读全文
posted @ 2022-04-13 15:30 强元芯 阅读(118) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBP310在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是60MIL,是一款内置GPP扁桥。GBP310的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP310采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBP310的电性参数是:正向电流 阅读全文
posted @ 2022-04-12 15:30 强元芯 阅读(591) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥GBP307参数: 型号:GBP307 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):3.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):80A 工作结和储存 阅读全文
posted @ 2022-04-12 15:28 强元芯 阅读(142) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥GBP210参数: 型号:GBP210 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):2.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):60A 工作结和储存 阅读全文
posted @ 2022-04-11 15:13 强元芯 阅读(266) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBP206在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款内置GPP扁桥。GBP206的浪涌电流Ifsm为60A,漏电流(Ir)为1mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP206采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBP206的电性参数是:正向电流( 阅读全文
posted @ 2022-04-11 15:12 强元芯 阅读(272) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥LX10M参数图片: 型号:LX10M 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):1.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 工作结和储存 阅读全文
posted @ 2022-04-09 14:27 强元芯 阅读(201) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 下面由ASEMI给大家全面解析大众型号MB6S整流桥。这是MB6S整流桥芯片,如图1,它的作用就是利用二极管的单向导通特性,将交流电转换成直流电。 ASEMI整流桥MB6S,芯片的封装形式为SOP-4贴片封装,引脚间距为2.5mm。封装材料为环氧树脂。如图2: 型号为MB6S的整流桥, 数 阅读全文
posted @ 2022-04-09 14:26 强元芯 阅读(901) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 在众多整流桥型号中,如果要说方便焊接和节省空间的桥堆当然是2W10。那么ASEMI整流桥2W10怎么用?2W10应用在哪些地方呢? 2W10为引脚单相整流圆桥,额定电流2A,耐压值1000v,家用电压220V就够用了。2W10常用于小电流电子产品,如:灭蚊器、取暖器、干衣机等电器设备。 整 阅读全文
posted @ 2022-04-08 14:52 强元芯 阅读(898) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥GBU808参数: 型号:GBU808 最大重复峰值反向电压(VRRM):800V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):560V 最大直流阻断电压(VDC):800V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):8.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的典型 阅读全文
posted @ 2022-04-08 14:51 强元芯 阅读(984) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MB10F是在MB10S系列基础上根据用户需求开发生产的新型号。从参数功能上看,MB10F就像是瘦身成功的MB10S,那么哪个比较好? ASEMI整流桥MB10S和MB10F详细对比: 整流桥MB10S和MB10F的电气参数相同:正向电流(Io)为1A,反向电压为1000V,正向电压(VF 阅读全文
posted @ 2022-04-07 14:50 强元芯 阅读(1128) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 在ASEMI的众多整流桥型号中,我们可以发现KBP307和KBP310这两款不管是从外观还是参数上看都是一样的,那为什么会出现两款一样而型号又不一样的整流桥呢,ASEMI整流桥KBP307和KBP310有何不同?其实这两款型号可以说是一模一样的,唯一的区别就在于最后两个数字07和10上,大 阅读全文
posted @ 2022-04-06 15:03 强元芯 阅读(504) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z KBP210整流桥电路设计要注意什么 当使用桥式整流电路KBP210从交流输入提供直流输出时,需要注意以下几点: 电压降:不要忘记流过桥式整流电路KBP210的电流要经过两个二极管。结果,输出电压将下降这个量。由于KBP210桥式整流器电路使用硅二极管,因此该压降为1.1伏,并随电流增加。 阅读全文
posted @ 2022-04-02 14:18 强元芯 阅读(375) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥KBL610参数: 型号:KBL610 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):6.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):200A 每个元件的 阅读全文
posted @ 2022-04-02 14:17 强元芯 阅读(596) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 顾名思义,整流桥主要用于输入整流,即将输入的交流电整流成输出的直流电;为此也分为全波整流和半波整流。从整流桥的结构来看,全波整流相当于四个二极管,而半波整流相当于两个二极管,而KBL410就是属于全波整流。那么ASEMI整流桥KBL410选型,选择KBL410要注意什么呢? ASEMI整流 阅读全文
posted @ 2022-04-01 14:20 强元芯 阅读(612) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z KBL406在KBL-4/DIP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是84MIL,是一款整流扁桥。KBL406的浪涌电流Ifsm为120A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL406采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBL406的电性参数是:正向 阅读全文
posted @ 2022-04-01 14:19 强元芯 阅读(455) 评论(0) 推荐(0)