03 2022 档案

ASEMI肖特基二极管10V45参数，10V45规格书，10V45尺寸
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管10V45参数： 型号：10V45 最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：31.5V 最大直流阻断电压（VDC）：45V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热 阅读全文
posted @ 2022-03-31 15:08 强元芯 阅读(307) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI-MBR60200PT肖特基二极管正向压降怎么测
摘要：编辑-Z 被测管是一个带三个引脚的MBR60200PT肖特基管，引脚从左到右按正面（字面向人）编号为①、②、③。ASEMI-MBR60200PT肖特基二极管正向压降怎么测？选择500型万用表R×1档进行测量，如下： 肖特基二极管MBR60200PT测试结论： 第一、根据可测出①-②、③-②之间的正向 阅读全文
posted @ 2022-03-31 15:07 强元芯 阅读(597) 评论(0) 推荐(0)
MBR10100DC-ASEMI肖特基二极管MBR10100DC
摘要：编辑-Z MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR101 阅读全文
posted @ 2022-03-30 15:54 强元芯 阅读(206) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC正负极如何判断
摘要：编辑-Z 肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），是一种低功率、超高速的半导体器件。肖特基二极管SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短，正向压降仅为0.4V左右。那么ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC正负极如何判断？ 安装时ASEMI肖特基二极管SBT30100VD 阅读全文
posted @ 2022-03-30 15:49 强元芯 阅读(569) 评论(0) 推荐(0)
MUR6060PT-ASEMI快恢复二极管MUR6060PT
摘要：编辑-Z MUR6060PT在TO-247AD封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超快恢复二极管。MUR6060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR6060PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR60 阅读全文
posted @ 2022-03-29 15:36 强元芯 阅读(223) 评论(0) 推荐(0)
SF806A-ASEMI快恢复二极管SF806A
摘要：编辑-Z SF806A在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款超快恢复二极管。SF806A的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SF806A采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF806A的电性参数是：正向 阅读全文
posted @ 2022-03-29 15:35 强元芯 阅读(245) 评论(0) 推荐(0)
SFF1004-ASEMI快恢复二极管SFF1004
摘要：编辑-Z SFF1004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。SFF1004的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF1004采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF1004的电性参 阅读全文
posted @ 2022-03-28 14:50 强元芯 阅读(188) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT关键参数及选型要点
摘要：编辑-Z 肖特基二极管MBR10100FCT广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。在不同的应用中，需要考虑不同的因素，而且，不同的器件在性能上也有差别，因此，ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT关键参数及选型要点，下面这些关键参数需要综合考虑。 1、导通压降VF VF为二极管正向导通时 阅读全文
posted @ 2022-03-28 14:49 强元芯 阅读(537) 评论(0) 推荐(0)
RS507-ASEMI整流桥RS507
摘要：编辑-Z RS507在RS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款整流扁桥。RS507的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS507采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS507的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反 阅读全文
posted @ 2022-03-28 14:48 强元芯 阅读(362) 评论(0) 推荐(0)
RS807-ASEMI整流桥RS807
摘要：编辑-Z RS807在KBU-4/DIP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款整流扁桥。RS807的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS807采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS807的电性参数是：正向电流(Io 阅读全文
posted @ 2022-03-25 15:29 强元芯 阅读(329) 评论(0) 推荐(0)
GBU810-ASEMI整流桥GBU810
摘要：编辑-Z GBU810在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超薄扁桥。GBU810的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU810采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU810的电性参数是：正向电流(Io)为 阅读全文
posted @ 2022-03-25 15:28 强元芯 阅读(638) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI二极管整流桥GBU610的作用
摘要：编辑-Z 二极管整流桥GBU610的作用 许多工程设计电源选择使用二极管来构建整流电路，这种方法的优点是成本相对较低，但也有缺点，比如电路设计结构复杂，分立元件增加了工艺难度，增加了人工成本。因此，整流桥逐渐被使用成为主流。所以第一次选择整流桥GBU610时，一定要了解整流桥的功能和设计原理。其实整 阅读全文
posted @ 2022-03-25 15:28 强元芯 阅读(586) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥GBU1010的检测
摘要：编辑-Z 关于ASEMI整流桥GBU1010的检测，如何用万用表检测整流桥GBU1010好坏，整流桥分为半桥和全桥，以下是常用万用表检测整流桥全桥GBU1010的方法。 GBU1010参数描述 型号：GBU1010 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：10A 1000V 芯片材质：GPP 正 阅读全文
posted @ 2022-03-24 16:30 强元芯 阅读(339) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥GBU2510参数，GBU2510规格，GBU2510特性
摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBU2510参数： 型号：GBU2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件 阅读全文
posted @ 2022-03-24 16:29 强元芯 阅读(875) 评论(0) 推荐(0)
KBJ1510-ASEMI整流桥KBJ1510
摘要：编辑-Z KBJ1510在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超薄扁桥。KBJ1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ1510采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ1510的电性参数是：正向电流 阅读全文
posted @ 2022-03-24 16:28 强元芯 阅读(296) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥KBJ2510参数，KBJ2510规格，KBJ2510应用
摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBJ2510参数： 型号：KBJ2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件 阅读全文
posted @ 2022-03-23 17:37 强元芯 阅读(302) 评论(0) 推荐(0)
KBU2510-ASEMI整流桥KBU2510
摘要：编辑-Z KBU2510在KBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超薄扁桥。KBU2510的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU2510采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU2510的电性参数是：正向电流 阅读全文
posted @ 2022-03-23 17:36 强元芯 阅读(132) 评论(0) 推荐(0)
KBJ3510-ASEMI整流桥KBJ3510
摘要：编辑-Z KBJ3510在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是160MIL，是一款超薄扁桥。KBJ3510的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ3510采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ3510的电性参数是：正向电流 阅读全文
posted @ 2022-03-23 17:36 强元芯 阅读(376) 评论(0) 推荐(0)
KBPC2510-ASEMI整流桥KBPC2510
摘要：编辑-Z KBPC2510在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款单相整流方桥。KBPC2510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC2510采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC2510的电性 阅读全文
posted @ 2022-03-12 15:58 强元芯 阅读(573) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥DB107有什么用
摘要：编辑-Z 整流桥是电路中很常见的器件，尤其是在220V供电的设备中。由于220V是交流电，我们一般使用的电子器件都是弱电，所以需要降压整流。今天就和大家聊一聊ASEMI整流桥DB107有什么用？整流桥DB107的作用是通过二极管的单向导通特性，将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向直流电，当人们想要 阅读全文
posted @ 2022-03-12 15:56 强元芯 阅读(748) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥KBP206参数，KBP206规格，KBP206应用
摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBP206参数： 型号：KBP206 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热 阅读全文
posted @ 2022-03-11 16:56 强元芯 阅读(1685) 评论(0) 推荐(0)