12 2021 档案
摘要：编辑-Z GBJ406详细参数： 型号：ASEMI整流桥GBJ406 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：120A 每条腿的最大热阻（Re
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摘要：编辑-Z MOS管AO3401大家都非常熟悉了，今天用一个简单的电路举例说明一下MOS管【AO3401】在电路中的运用，以及【AO3401】为何要选ASEMI的。 【AO3401】参数描述 型号：AO3401 封装：SOT-23 特性：低功耗场效应管 电性参数：4.2A 30V 持续漏极电流(ID)
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摘要：编辑-Z US5M详细参数： 型号：ASEMI快恢复二极管US5M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电压（VRMS）：700V 最大隔直电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流电流（IF(AV)）：5A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：120A 最大瞬时正向电压（VF）：1
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摘要：编辑-Z 长期以来，线性稳压器78M05已被业界广泛采用。在上世纪60年代后开关电源成为主流之前，线性稳压器曾经是电源行业的基础，即使在今天，线性稳压器78M05仍广泛用于许多应用中。那么ASEMI线性稳压器78M05的电路图是怎样的？78M05有什么应用呢？ 线性稳压器的基本概念 线性稳压器使用在
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摘要：编辑-Z BTA12A详细参数： 型号：ASEMI双向可控硅BTA12A 通态方均根电流（IT(RMS)）：12A 通态浪涌电流（ITSM）：120A 反向重复峰值电压（VRRM）：800V 门极峰值电流（IGM）：4A 门极平均耗散功率（PG(AV)）：10W 储存温度（Tstg）：－40 to
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摘要：编辑-Z 使用MOS管40N120设计开关电源或电机驱动电路时，一般需要考虑40N120导通电阻、最大电压、最大电流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的导通特性？40N120开关损失怎么看呢？ 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：
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摘要：编辑-Z 场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。 按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型和增强型，结型场效应管都是耗尽型，绝缘栅型场效应管有耗尽型和增强型。 一般来说，场效应晶体管可分为结
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摘要：编辑-Z 15N120详细参数： 型号：MOS管15N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：15A 脉冲集电极电流（ICM）：45A 二极管连续正向电流（IF）：15A 二极管最大正向电流（IFM）：45A 最大功耗（PD）：
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摘要：7N80详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55
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摘要：编辑-Z 7N60详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N60 漏源电压（VDSS）：600V 栅源电压（VGSS）：±30V 持续漏极电流（ID）：7A 脉冲漏极电流（IDM）：28A 雪崩电流（IAR）：7A 工作结点和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55 to +150℃ 最大功耗（PD）：
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摘要：编辑-Z KBPC1010规格参数： 型号：KBPC1010整流桥 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V RMS反向电压（VR(RMS)）：700V 平均整流输出电流（IO）：10A 非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件正向电压（VFM）：1.1V 额定直流阻断电压下的峰值反向
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摘要：编辑-Z 怎样选择优质的GBJ406整流桥？整流电路是一种非常简单的电路，其功能是将交流电转变为脉动直流电。电路虽然简单，但元器件的选用却一点也不能马虎，如果能掌握一些选型技巧，就能减少不必要的麻烦和隐患。那么GBJ406-ASEMI怎么选型？ 根据实际电路使用时的最高电压，计算二极管的反向电压。选
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摘要：编辑-Z KBL410规格参数： 型号：KBL410整流桥 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流TA=50℃时的输出电流（IF(AV)）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元
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摘要：编辑-Z KBP310参数： 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流TA=50℃时的输出电流（IF(AV)）：3A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃
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摘要：编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是：持续漏极电流(ID)为4
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摘要：编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id（Vgs=10v情
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管US5M在逆变电路中有什么作用呢？在逆变电源的输出部分，需要使用高频快恢复整流二极管US5M进行整流，在PFC斩波电路部分也有快恢复二极管US5M做续流二极管对核心部件进行保护。 US5M参数描述 型号：US5M 封装：SMC 特性：贴片快恢复二极管 电性参数：5A
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摘要：编辑-Z MUR860D在TO-252封装里有3条引线，是一款贴片快恢复二极管。MUR860D的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MUR860D的反向恢复时间(Trr)为50ns，MUR860D的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管MUR560D怎么代换，它可以代替哪些型号的二极管，或者什么二极管可以代换MUR560D呢？MUR560D有什么替代原则？二极管的代换，最重要的就是根据它的参数，所以我们必须了解清楚MUR560D的各项参数。 MUR560D参数描述 型号：MUR560D 封装：TO-
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摘要：编辑-Z 78M05在TO-252封装里引出3个引脚，是一款贴片三端正线性稳压器。78M05的峰值输出电流(IPK)为700mA，短路电流(ISC)为50mA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。78M05的输出噪声电压(NO)为40uV。78M05的电性参数是：静态电流(IQ)为6mA，输入
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摘要：编辑-Z AMS1117低压差线性稳压器是新一代集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的区别在于，低压差线性稳压器是一种自耗极低的微型片上系统。AMS1117可用于电流主通道控制，该芯片集成了极低在线导通电阻mosfet、肖特基二极管、采样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、
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摘要：编辑-Z 可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。ASEMI双向可控硅BTA12A具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动装置，实现大功率设备用小功率控制。BTA12A已广泛应用于交直流电机调速系统、功率控制系统及随动系统。 可控硅有两种类型：单向可控硅和双向可控硅。双向
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摘要：编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E阈值电压(VGE)：5
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摘要：编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是：二极管连
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摘要：编辑-Z 15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。15N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。15N120的电性参数是：二极管连续
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摘要：编辑-Z 20N20参数描述 型号：20N20 封装：TO-220F 特性：低功耗场效应管 电性参数：20A 200V 连续二极管正向电流(IS)：20A 脉冲二极管正向电流(ISM)：72A 漏源电压(VDSS)：200V 栅极阈值电压(VGS)：±30V 静态漏源导通电阻(RDS(on))：0.
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摘要：编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏？将万用表拨到“RX1K”位置，将电调调到零。7N80的字面朝向自身，从左到右：G（栅极）、D（漏极）、S（源极）。先将黑色表笔接G极，再将红色表笔分别接触D极和S极，然后交换表笔，再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动，那么初步判断这个
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摘要：编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数是：连续二
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBP210采用GPP工艺镀金芯片，芯片尺寸可达50mil，属于DIP-4/KBP-4插件封装；KBP210主要应用于充电器、LED灯等产品。LED是一个新兴产业，节能的普及极大地促进了LED产业的发展，越来越多的LED灯用于各种类型的照明。同时，充电器的使用也越来越多，带
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摘要：编辑-Z 整流桥KBPC1010有什么用？整流桥KBPC1010前端为交流输入，后端为直流输出，将交流电转换为直流电，实现电路中电能的利用。整流桥为实现其功能，保证产品的稳定性，在芯片、框架和密封黑胶上都有其标准。下面我们将详细从这三个方面解释ASEMI的KBPC1010怎么样？ KBPC1010参
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBU808和KBU808这两种型号具有不同的封装和尺寸，电气参数都是8A 800V，脚间距相同，KBU厚一些，对电路板空间没要求的情况这两个型号可以相互代换使用。下面就来详细解释ASEMI整流桥GBU808和KBU808有什么差别？ GBU808参数描述 KBU808参数
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摘要：编辑-Z 在ASEMI整流桥产品中，KBU808是一款颇受客户喜爱的整流桥。究竟是什么原因让其貌不扬的它能够让这么多客户朋友信赖和选择？看完这篇文章，相信你会明白的。 KBU808是一款低调而有内涵的整流桥，别看ASEMI的KBU808其貌不扬，其4颗芯片为GPP波峰大芯片，芯片均为95ML。因此，
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摘要：编辑-Z GBJ406在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款超薄扁桥整流桥。GBJ406的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ406采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ406的电性参数是：正向电流(
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摘要：编辑-Z 选用ASEMI整流桥KBL410要看哪些参数？整流桥KBL410的主要参数有反向峰值电压URM(V)、正向压降UF(V)、平均整流电流Id(A)、正向峰值浪涌电流IFSM(A)、最大反向漏电流IR(uA)。 KBL410参数描述 型号：KBL410 封装：KBL-4/DIP-4 特性：整流
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摘要：编辑-Z 我们都知道KBL406常用于电源适配器中，那为什用ASEMI整流桥KBL406会比较好呢？KBL406，DIP-4封装，正向整流4A，反向耐压600V，正向压降1.1V，正向峰值浪涌电流200A，反向漏电流10UA。其外观参数如下： KBL406参数描述 型号：KBL406 封装：KBL-
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摘要：编辑-Z 在KBP310参数选择方面，总结以下经验： 1、二极管的反向电压应按实际电路使用时的最高电压计算。选择整流桥KBP310时，最高反向工作电压应大于实际计算值，并留有一定的余量。 2、最大输入电流应根据实际使用中的最大负载和电路的效率来计算。整流桥KBP310的额定整流电流必须大于该值并有一
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摘要：编辑-Z ASEMI回忆录——与裕兴集团合作的缘起 2007年夏天，一个平常的日子，突然收到盛邦强点电子（裕兴集团旗下）的样品申请表，急需样品，需要整流桥KBP307产品，要求很高，说是做机顶盒产品，将出口到西班牙、英国、北美等高端市场。 因为ASEMI品牌KBP307库存充足，我记得我们是按照一贯
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摘要：编辑-Z 整流桥2W10哪家好？圆桥系列的桥堆与贴片不同，最明显的区别是四个引脚的长度不相等，这也是区分圆桥堆正负极最关键的部分。如果仔细观察圆桥2W10，您会发现其中一个引脚比其他三个引脚长。这个长引脚是正极，与它对角的另一个引脚是负极。2W10另外两个引脚也是输入端，属于交流端，不分正负极。 2
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摘要：编辑-Z ASEMI的AO3401是属于场效应管，属于电压控半导体器件，AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点，AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。 AO3401参数描述 型号：AO3401 封装：SOT-23 特性：低功耗场效应管
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摘要：编辑-Z AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是：持续漏极电流(ID)为5.
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摘要：编辑-Z 目前，电力电子技术正朝着轻量化、小型化、智能化、节能化方向发展，各种控制电路、不间断电源、开关电源的应用不断扩大。作为高频高压快软恢复二极管SF58，直接影响到这些电路的合理性和运行可靠性。 SF58参数描述 型号：SF58 封装：DO-27 特性：小电流、直插超快恢复二极管 电性参数：5
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摘要：编辑-Z US5M在SMC封装里有2条引线，是一款贴片快恢复二极管。US5M的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US5M的反向恢复时间(Trr)为75ns，US5M的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)
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摘要：编辑-Z 什么是MUR860D快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。MUR860D主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管。快恢复二极管MUR860D的内部结构不同于普通的PN结二极管，属于P
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摘要：编辑-Z MUR560D在TO-252封装里有3条引线，是一款贴片快恢复二极管。MUR560D的浪涌电流Ifsm为60A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR560D的反向恢复时间(Trr)为50ns，MUR560D的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反向耐压
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摘要：编辑-Z 具有固定输出电压的线性集成稳压器78M05常用于电子设备。由于它只有输入端、输出端和接地端，且稳压管工作在线性放大区，一般用于固定输出，故称为三端固定线性稳压器。78M05稳压器具有外围电路简单、保护机制完善、电气性能指标高等特点，常用于电子生产中。 78M05参数描述 类别：78M05三
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摘要：编辑-Z BTA12A在TO-220封装里引出3个引脚，是一款IGBT管。BTA12A的通态浪涌电流(ITSM)为120A，反向峰值电流(IRRM)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~125摄氏度。BTA12A的通态峰值电压(VTM)为1.4V。BTA12A的电性参数是：通态方均根电流(IT)为1
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摘要：编辑-Z AMS1117系列稳压器有可调版本和多种固定电压版本，旨在提供1A输出电流，工作电压差可低至1V。在最大输出电流下，AMS1117器件的最小电压差保证不超过1.3V，并且会随着负载电流的减小而逐渐减小。 AMS1117 是一款正低压降稳压器，在1A电流下具有1.2V的压降。 AMS1117
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摘要：编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是：集电极电流(
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摘要：编辑-Z MOS管25N120最显着的特点是其良好的开关特性，因此25N120广泛应用于需要电子开关的电路中，如开关电源和电机驱动，以及照明调光。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-220 特性：高效mos管 电性参数：25A 1200V 二极管连续正向电流(IF)：25A 脉冲
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摘要：编辑-Z 20N20在TO-220F封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω
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摘要：编辑-Z ASEMI场效应管15N120是什么工作原理？15N120是比较常用的MOS管，它的工作原理跟其他MOS管的原理是一样的。 15N120参数描述 型号：15N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：15A 1200V 二极管连续正向电流(IF)：15A 二极管浪涌正向电
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摘要：编辑-Z 7N80在TO-220封装里引出3个引脚，是一款高效MOS管。7N80的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A，漏源击穿电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N80的栅源电压(VGS)为±30V，导通电阻RDS(on)为1.9Ω。7N80的电性参数是：连续二
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摘要：编辑-Z MOS管7N60一般为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管7N60的源极（source）和漏极（drain）是可以对调的，都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反也不会影响器件的性能，7N60这种器件被认为是对称的。 7N6
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浙公网安备 33010602011771号