11 2021 档案
摘要：编辑-Z MUR2060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超快恢复时间二极管。MUR2060AC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR2060AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR
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摘要：编辑-Z SFF3006参数描述 型号：SFF3006 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复时间 电性参数：30A，600V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：30A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.5V 芯片尺寸：120MIL 浪涌电流Ifsm：300A 漏电流(Ir)：10uA
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摘要：编辑-Z SFF2006这类二极管的优点是反向恢复时间短、开关特性好、体积小，因此广泛应用于脉宽调制器、不间断电源、开关电源、变频器等电路中。SFF2006快恢复二极管的作用是高频大电流整流或续流。 SFF2006参数描述 型号：SFF2006 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复时间 电性参数
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摘要：编辑-Z SFP3006在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款大功率超快恢复二极管。SFP3006的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为500uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。SFP3006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFP3006的电
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管的应用技术已经非常广泛和普遍，那么为什么SL1550作为新品肖特基二极管越来越受到广大电源厂商的青睐呢？这其实是大家越来越重视节能的一个必然因素。为响应能源部对电源6级能效的要求，需要更低的压降元件材料来提高电源转换效率。 ASEMI-SL1550就是这样一款超低压降肖特基二极
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摘要：编辑-Z PS2060L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS2060L的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为0.03mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS2060L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS206
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摘要：编辑-Z 在电子行业，几乎每个工程师都知道肖特基二极管，但你真的了解它的应用领域以及选型时要考虑哪些重要参数吗？让我们来了解PS2045L肖特基二极管。 肖特基二极管PS2045L是以金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，也称为肖特基势垒二极管，属于金属半导体结二极管。PS2045L主要特
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摘要：编辑-Z PS1545L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS1545L的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为0.02mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS1545L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS154
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管PS1060L和场效应管的区别，肖特基二极管自从替代了传统的普通二极管以来就受到了用户的青睐和喜爱。然而，有时也会有傻傻分不清的时候，那么ASEMI肖特基二极管PS1060L与场效应管有什么区别？ PS1060L参数描述 型号：PS1060L 封装：TO-277 特性：超低压降
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摘要：编辑-Z PS1045L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超低VF值肖特基二极管。PS1045L的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.02mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS1045L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS1045L的
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摘要：编辑-Z SBT30100VDC肖特基二极管：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向压降仅为0.4V左右。SBT30100VDC多见于通信电源、
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摘要：编辑-Z SBT40100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT40100VDC的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。
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摘要：编辑-Z 为什么说MBR20100FCT-ASEMI是开关电源常用肖特基二极管？开关电源不同于线性电源。开关电源中使用的大多数开关晶体管在全导通模式（饱和区）和全闭模式（截止区）之间切换。两种模式都具有低耗散的特点，转换会有较高的耗散，但时间很短，所以需要恢复时间很快的肖特基二极管MBR20100F
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摘要：编辑-Z MBR60100PT参数描述 型号：MBR60100PT 封装：TO-247/3P 特性：肖特基二极管 电性参数：60A 100V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：60A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.78V 芯片尺寸：150MIL 浪涌电流Ifsm：500A 漏电流(Ir)：30
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摘要：编辑-Z KBL610在KBL-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款薄体整流扁桥。KBL610的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL610采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBL610的电性参数是：正向电流(I
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摘要：编辑-Z 整流桥TL10F内部是由4个整流二极管组成的桥式整流电路，从外面引出4个引脚，使用起来非常方便，整流桥TL10F在封装外壳上都标有交流输入端和直流输出端。 TL10F是一款小电流薄体贴片整流桥，整流电流1A，耐压1000V。封装上标有“＋－”的两个引脚为输出直流电压的正负端，相对的两个引脚
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摘要：编辑-Z 桥式整流桥是最常用的利用二极管的单向导电性进行整流的电路，常用于将交流电转换为直流电。其中包括半波整流、全波整流和桥式整流。整流桥LX10M就是把桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。在四个引脚中，两个直流输出端标有+或-，两个交流输入端标有~。 LX10M参数描述 型号：LX1
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摘要：编辑-Z MSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片，是一款小电流贴片整流桥。MSB30M的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MSB30M采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MSB30M的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为1
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摘要：编辑-Z ASEMI贴片整流桥ABM410跟插件类的有什么不同？ABM410是贴片整流桥，大家都知道整流桥有贴片，当然也有插件，让我们来看看插件和贴片之间有什么不同。 ABM410参数描述 型号：ABM410 封装：ABM-4 特性：小电流、贴片整流桥 电性参数：4A 1000V 芯片材质：GPP
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摘要：编辑-Z 根据贴片整流桥堆TBM610的内部电路，用万用表很容易测量： 将万用表置于10kΩ档位，测量TBM610贴片整流桥堆交流电源输入端的正反向电阻。当电阻正常时，两者都应为无穷大。当四个整流贴片二极管中的一个发生击穿或漏电时，会导致其阻值下降。测量TBM610交流电源输入端的电阻后，应测量“+
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摘要：编辑-Z TBM810在TBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款贴片整流桥。TBM810的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TBM810采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。TBM810的电性参数是：正向电流(Io)
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摘要：编辑-Z 高频设备的高频大电流流向被绕成环形或其他形状的加热线圈（通常由紫铜管制成）。因此在线圈中产生具有瞬时极性变化的强磁束，当金属等被加热物体放入线圈时，磁束会穿透整个被加热物体，在被加热物体内部与加热电流相反的方向，便会产生对应的很大电涡流。 说到高频设备，就不得不提超快恢复二极管MUR206
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摘要：编辑-Z MUR1660AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。MUR1660AC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1660AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR16
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摘要：编辑-Z SFF3006在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款高压大电流超快恢复二极管。SFF3006的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。SFF3006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF30
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥DB107为何深受手机厂商青睐？本节将详细讲解整流桥DB107的电性参数，由内而外讲解产品的优点！ 整流桥DB107电性参数 在谈产品质量之前，我们先来看看DB107整流桥的电气参数和规格。整流桥DB107的参数规格为：正向平均整流电流：1.0A，反向峰值电压：1000V。
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摘要：编辑-Z SFF2006在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2006的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。SFF2006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF2006的电性
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摘要：编辑-Z ASEMI快恢复二极管SFP3006和瞬态二极管一样吗？超快恢复管SFP3006是指二极管工作时电子空穴的恢复速度，一般工作在正像偏置，常用于开关电源整流等高频信号应用。瞬态二极管 (TVS) 用于消除电压尖峰和保护电路，例如连接到数据接口以防止雷击和电压波动。TVS常像稳压二极管一样用作
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摘要：编辑-Z SL1550在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。SL1550的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.3mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SL1550采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SL1550的电性
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摘要：编辑-Z 在选用肖特基二极管PS2060L时，我们首先要考虑的就是PS2060L的正向电流和反向耐压（应大于应用值）。对于高频电流整流，一般负载选耐压比实际电压大2倍（例如：5V电压选10V肖特基）。感性负载可选3--5倍，最小电流余量要20%，（8A电流选用10A肖特基）一般余量为50%以上。大家
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摘要：编辑-Z PS2045L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS2045L的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为0.02mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS2045L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS204
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管PS1545L是电子产品生产中的重要器件，因为它承载着保护电路的重要作用，所以尤为不可缺少。我们都知道在选择肖特基二极管PS1545L时，主要看它的正向压降、反向耐压、反向漏电流等，但我们很少知道它们在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系。下面给大家介绍一下PS1545
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摘要：编辑-Z PS1060L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS1060L的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS1060L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS106
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摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管PS1045L正向压降怎么测？用“DC POWER SUPPLY”仪器（恒流稳压直流）测试：先施加小电压，使PS1045L有电流通过，然后慢慢增加电流，达到被测肖特基二极管PS1045L的额定电流，并等待稳定后的电压值读数，稳定后的读数为额定电流的压降。 PS1045
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摘要：编辑-Z SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管SBT40100VDC正向压降与温度变化有什么关系？正向压降与温升呈线性关系，当肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降变小时，管温必然升高。 SBT40100VDC参数描述 型号：SBT40100VDC 封装：TO-263 特性：低压降肖特基二极管 电性参数：40A，10
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摘要：编辑-Z MBR10100FCT参数描述 型号：MBR10100FCT 封装：TO-220 特性：肖特基二极管 电性参数：10A，100V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：10A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.8V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流Ifsm：150A 漏电流(Ir)：0.05m
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摘要：编辑-Z MBR20100FCT参数描述 型号：MBR20100FCT 封装：TO-220 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：20A 100V 芯片材质：Mikron 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.8V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(I
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摘要：编辑-Z MBR60200PT在TO-247/3P封装里采用的2个芯片，其尺寸都是150MIL，是一款肖特基二极管。MBR60200PT的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为30uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MBR60200PT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR6
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管MBR60100PT和普通二极管都是单向导电的，可用于整流电路。肖特基二极管MBR60100PT与普通二极管的主要区别在于普通二极管的耐压可以做得更高，但其恢复速度低，只能用于低频整流。如果是高频，将无法快速恢复而发生反向泄漏，最终导致管子严重发热烧毁；肖特基二极管MBR601
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摘要：编辑-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小方桥、贴片整流桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是：正向电流
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摘要：编辑-Z ABS系列主要的应用领域是小电流领域的产品，比如像小功率开关电源，充电器，电源适配器，LED灯整流器等相关电器产品。而其中的ABS10和ABS210是一款小方桥、贴片整流桥，因此小而轻薄就是它们的优势之一。那么ASEMI桥堆ABS10和ABS210有什么区别呢？ ABS10参数描述 型号：
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摘要：编辑-Z 贴片式小方桥DB207S主要用于小功率电源适配器、开关电源，DB207S主要用于LED灯上，其反向耐压1000V，正向最大整流电流2A，最大输出功率220W。 DB207S参数描述 型号：DB207S 封装：DBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：2A 1000V 芯
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摘要：编辑-Z ABS210虽然是微型的，但在电路中具有开创性的作用，不要因为它小而轻视它。abs210桥堆的芯片多大？不同芯片性能差距有多悬殊，下面给大家详细介绍一下ASEMI-ABS210贴片整流桥。 ABS210是采用50milGPP工艺大芯片的专业贴片整流桥。为什么说芯片大小不同性能差距会很悬殊呢
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摘要：编辑-Z 整流桥KBL610是我们在电子电路中经常使用的电子元件。事实上，在能量传输和转换的过程中，会有一定的损耗，也就是说不是KBL610输入多少电压，输出就是多少电压，那么ASEMI整流桥KBL610输出电压由哪些因素决定呢？ 整流桥KBL610的组成 KBL610由四个二极管组成全桥整流电路封
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摘要：编辑-Z TL10F在TLF-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款薄体贴片整流桥。TL10F的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TL10F采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。TL10F的电性参数是：正向电流(Io)为1
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摘要：编辑-Z LX10M在LXM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流迷你贴片整流桥。LX10M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。LX10M采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。LX10M的电性参数是：正向电流(Io
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摘要：编辑-Z 整流桥在电子行业是一个庞大的家族，不仅名称多样，种类更是纷繁复杂，可能有数百个型号名称，那么ASEMI整流桥有几种，MSB30M贴片整流桥属于哪一种？我们先详细了解一下MSB30M的参数： MSB30M参数描述 型号：MSB30M 封装：MSBL 特性：小电流、贴片整流桥 电性参数：3A
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摘要：编辑-Z ABM410在ABM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小电流、贴片整流桥。ABM410的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ABM410采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。ABM410的电性参数是：正向电流
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摘要：编辑-Z TBM410在TBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小电流、贴片整流桥。TBM410的浪涌电流Ifsm为135A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TBM410采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。TBM410的电性参数是：正向电流
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摘要：编辑-Z TBM610在TBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款小电流、贴片整流桥。TBM610的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。TBM610采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。TBM610的电性参数是：正向电
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摘要：编辑-Z ASEMI桥式整流器的种类很多：扁形、圆形、方形、板凳形（分直插和贴片）等，最大整流电流从0.5A到100A，最大反向峰值电压从50V到1600V。我们今天就介绍一下ASEMI整流桥TBM810的作用和原理图。 TBM810参数描述 型号：TBM810 封装：TBM-4 特性：贴片整流桥
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浙公网安备 33010602011771号