10 2021 档案

6N60-ASEMI的MOS管6N60
摘要：编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电 阅读全文
posted @ 2021-10-30 16:22 强元芯 阅读(657) 评论(0) 推荐(0)
MOS管25N120-ASEMI是什么
摘要：编辑-Z MOS管25N120广泛应用于各种电路中，MOS管的形状类似于三极管、晶闸管、三端稳压器、IGBT，所以大家有时分不清MOS管是什么，下面我以MOS管25N120为例给大家做个详细的介绍。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 特性：大电流MOS管 电性参数：25A 阅读全文
posted @ 2021-10-30 16:20 强元芯 阅读(673) 评论(0) 推荐(0)
GBU808-ASEMI超薄整流扁桥GBU808
摘要：编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 阅读全文
posted @ 2021-10-29 17:00 强元芯 阅读(198) 评论(0) 推荐(0)
以KBL406-ASEMI为例告诉你怎样看整流桥型号
摘要：编辑-Z 整流桥型号繁多，各种型号封装命名都不一样，下面以KBL406-ASEMI为例告诉你怎样看整流桥型号，首先我们要了解整流桥KBL406的命名规则，然后从名称里可以看出重要的参数。 整流桥KBL406的命名规则 一般整流桥的名称有3个数字，第一个数字代表额定电流A；后两位数字代表额定电压（数字 阅读全文
posted @ 2021-10-29 16:50 强元芯 阅读(875) 评论(0) 推荐(0)
整流桥KBPC1010-ASEMI如何测量好坏之压降测试法
摘要：编辑-Z 测量整流桥好坏的方法一般有两种，一种是电阻测试法，一种是压降测试法。整流桥KBPC1010-ASEMI如何测量好坏？我们可以用压降测试法。 KBPC1010参数描述 型号：KBPC1010 封装：KBPC-4 特性：单相整流方桥 电性参数：10A1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io 阅读全文
posted @ 2021-10-28 16:51 强元芯 阅读(632) 评论(0) 推荐(0)
KBU808-ASEMI整流扁桥KBU808
摘要：编辑-Z KBU808参数描述 型号：KBU808 封装：KBU-4/DIP-4 特性：整流、扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流Ifsm：300A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-5 阅读全文
posted @ 2021-10-28 16:49 强元芯 阅读(323) 评论(0) 推荐(0)
整流桥KBP307-ASEMI如何测量好坏之电阻测试法
摘要：编辑-Z 测量整流桥好坏的方法一般有两种，一种是电阻测试法，一种是压降测试法。整流桥KBP307-ASEMI如何测量好坏？我们可以用电阻测试法。 KBP307参数描述 型号：KBP307 封装：KBP-4/DIP-4 特性：整流扁桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：3 阅读全文
posted @ 2021-10-27 16:29 强元芯 阅读(533) 评论(0) 推荐(0)
2W10-ASEMI整流圆桥2W10
摘要：编辑-Z 2W10参数描述 型号：2W10 封装：WOB-4 特性：整流圆桥 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：500n 阅读全文
posted @ 2021-10-27 16:27 强元芯 阅读(301) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI插件整流桥有哪些型号
摘要：编辑-Z 我们知道整流桥根据封装可以分为插件整流桥和贴片整流桥，那它们两者有什么区别呢？插件整流桥又有什么优势？插件整流桥在哪些领域应用比较多？ASEMI插件整流桥有哪些型号呢？下面给大家一一解答。 贴片整流桥，顾名思义是整流桥的引脚是贴片形式。贴片整流器主要用于高密度、小尺寸的电路板上。它们广泛用 阅读全文
posted @ 2021-10-26 16:15 强元芯 阅读(195) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI低压降肖特基二极管怎么检测，低压降肖特基有什么优势
摘要：编辑-Z 低压降肖特基二极管的检测主要是判断低压降肖特基二极管的极性和检测低压降肖特基二极管的好坏。 低压降肖特基二极管的检测 (1)低压降肖特基二极管极性的判断 选择合适的量程，短接万用表的红黑表笔，进行万用表的零欧姆校准，每次选择不同的量程时都必须进行此操作（因为数字万用表不需要调零，所以如果使 阅读全文
posted @ 2021-10-26 16:13 强元芯 阅读(443) 评论(0) 推荐(0)
超快恢复二极管如何选？ASEMI超快恢复二极管资料
摘要：编辑-Z 超快恢复二极管如何选？我们在选用超快恢复二极管时要注意什么呢？下面给大家介绍一下ASEMI超快恢复二极管资料。 当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定正向电流到指定反向电流所需的恢复时间）和Qrr（它代表指定正向电流到指定反向电流所需的恢复电荷，这两项 阅读全文
posted @ 2021-10-25 17:50 强元芯 阅读(708) 评论(0) 推荐(0)
90N10-ASEMI的MOS管90N10
摘要：编辑-Z 90N10在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。90N10的脉冲漏极电流(IDM)为360A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，90N10的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。90N10的电性参数是：持续漏极电流(ID)为90A，漏极电压为100V，二极管正向电 阅读全文
posted @ 2021-10-25 17:49 强元芯 阅读(291) 评论(0) 推荐(0)
6N65-ASEMI的MOS管6N65
摘要：编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电 阅读全文
posted @ 2021-10-23 15:40 强元芯 阅读(267) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI的MOS管6N60如何测量好坏
摘要：编辑-Z MOS管6N60的检测好坏主要是判断6N60的漏电、短路、开路和放大。如果不测试阻值，则说明6N60有漏电现象，具体步骤如下： 6N60参数描述 型号：6N60 封装：TO-220 特性：大电流MOS管 电性参数：6A 600V 芯片材质：GPP 连续二极管正向电流(IS)：6A 脉冲二极 阅读全文
posted @ 2021-10-23 15:38 强元芯 阅读(494) 评论(0) 推荐(0)
9N90-ASEMI的MOS管9N90
摘要：编辑-Z 9N90在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。9N90的脉冲二极管正向电流(ISM)为36A，栅极漏电流(IDSS)为10uA，9N90的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。9N90的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为9A，漏源电压为900V，二极管正向 阅读全文
posted @ 2021-10-22 17:17 强元芯 阅读(559) 评论(0) 推荐(0)
如何判断ASEMI的MOS管10N60的三个极
摘要：编辑-Z MOS管10N60的三个极是什么以及如何判断 MOS管10N60的三个极是：G（栅极）、D（漏极）和s（源极）。栅极和源极之间的电压必须大于一定值，漏极和源极才能导通。 10N60参数描述 型号：10N60 封装：TO-220 特性：大电流MOS管 电性参数：10A 600V 芯片材质：G 阅读全文
posted @ 2021-10-22 17:16 强元芯 阅读(658) 评论(0) 推荐(0)
24N50-ASEMI的MOS管24N50
摘要：编辑-Z 24N50在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。24N50的脉冲集电极电流(ICM)为96A，漏极漏电流(IDSS)为50uA，24N50的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。24N50的电性参数是：二极管连续电流(Is)为24A，集电极-发射极电压为1200 阅读全文
posted @ 2021-10-21 18:03 强元芯 阅读(363) 评论(0) 推荐(0)
25N120-ASEMI的MOS管25N120
摘要：编辑-Z 25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A，G-E极漏电流(IGES)为100nA，25N120的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的电性参数是：集电极电流(Ic)为25A，集电极-发射极电压 阅读全文
posted @ 2021-10-21 18:02 强元芯 阅读(603) 评论(0) 推荐(0)
US1G-ASEMI二极管US1G的特性是什么
摘要：编辑-Z 二极管US1G是由半导体材料制成的电子器件。US1G具有单向导电性，即当二极管正负极加正向电压时，二极管导通。当向阳极和阴极施加反向电压时，二极管截止。因此，US1G二极管的通断相当于开关的通断 US1G参数描述 型号：US1G 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 400V 阅读全文
posted @ 2021-10-20 16:47 强元芯 阅读(652) 评论(0) 推荐(0)
US1M-ASEMI二极管US1M主要用在哪里
摘要：编辑-Z 二极管US1M是最早的半导体器件之一，其应用非常广泛。尤其是在各种电子电路中，二极管US1M与电阻、电容、电感等元件通过合理的连接，形成不同功能的电路，可实现交流整流、调制信号检测、限幅钳位、电源稳压等多种功能。无论是在普通无线电电路还是其他家用电器或工业控制电路中，都可以找到US1M二极 阅读全文
posted @ 2021-10-20 16:46 强元芯 阅读(817) 评论(0) 推荐(0)
M7-ASEMI二极管M7
摘要：编辑-Z M7在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是46MIL，是一小电流、贴片二极管。M7的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。M7采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。M7的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向 阅读全文
posted @ 2021-10-19 16:56 强元芯 阅读(930) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI二极管A7
摘要：编辑-Z A7参数描述 型号：A7 封装：SOD-123 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+125℃ 引线数量：2 A7的电性参数：正向平均电流1 阅读全文
posted @ 2021-10-19 16:54 强元芯 阅读(594) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管是什么？肖特基二极管有什么用
摘要：编辑-Z 肖特基二极管是什么？ 肖特基二极管（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是一种理想的高频快速开关器件。 阅读全文
posted @ 2021-10-18 17:13 强元芯 阅读(476) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥DB107适配充电器、LED适配器
摘要：编辑-Z DB107参数描述 型号：DB107 封装：DB-4/DIP-4 特性：整流、小方桥 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.05V 浪涌电流Ifsm：50A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量 阅读全文
posted @ 2021-10-18 17:10 强元芯 阅读(308) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥GBU808品质家电用桥堆
摘要：编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 阅读全文
posted @ 2021-10-16 16:23 强元芯 阅读(472) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥KBL406用于电脑适配器等
摘要：编辑-Z KBL406参数描述 型号：KBL406 封装：KBL-4/DIP-4 特性：整流、扁桥 电性参数：4A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：4A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数 阅读全文
posted @ 2021-10-16 16:22 强元芯 阅读(284) 评论(0) 推荐(0)
KBU1010-ASEMI电源控制柜整流桥KBU1010
摘要：编辑-Z KBU1010在KBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是100MIL，是一款整流扁桥。KBU1010的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU1010采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU1010的电性参数是：正向电流 阅读全文
posted @ 2021-10-15 16:56 强元芯 阅读(325) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥KBPC1010自带散热片控制温升
摘要：编辑-Z KBPC1010参数描述 型号：KBPC1010 封装：KBPC-4 特性：单相整流方桥 电性参数：10A1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：10A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-65~+150℃ 引 阅读全文
posted @ 2021-10-15 16:48 强元芯 阅读(185) 评论(0) 推荐(0)
什么是ASEMI整流桥，整流桥原理和应用
摘要：编辑-Z 整流桥的整流功能是通过二极管的单向导通原理来完成的。一般来说，二极管是正向导通反向截止，即二极管只允许其正极进入正电，其负极进入负电。整流桥的二极管只允许电流在一个方向通过，所以当它连接到交流电路时，它可以使电路中的电流只向一个方向流动。 ASEMI整流桥通常由单相桥式全波整流器的4个二极 阅读全文
posted @ 2021-10-14 17:01 强元芯 阅读(1070) 评论(0) 推荐(0)
KBU808-ASEMI适配大功率开关电源整流桥KBU808
摘要：编辑-Z KBU808在KBU-4/DIP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款整流扁桥。KBU808的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU808采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBU808的电性参数是：正向电 阅读全文
posted @ 2021-10-14 16:57 强元芯 阅读(279) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI贴片整流桥MB6S，LED驱动器电源适配
摘要：编辑-Z MB6S参数描述 型号：MB6S 封装：MBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：1A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数 阅读全文
posted @ 2021-10-13 17:19 强元芯 阅读(286) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI插件小扁桥KBP310，生活电器配置整流桥
摘要：编辑-Z KBP310参数描述 型号：KBP310 封装：KBP-4/DIP-4 特性：整流扁桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：3A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数 阅读全文
posted @ 2021-10-13 17:17 强元芯 阅读(279) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥ABS10，旅行充电转换插头的标配
摘要：编辑-Z ABS10参数描述 型号：ABS10 封装：ABS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.05V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 阅读全文
posted @ 2021-10-12 16:58 强元芯 阅读(372) 评论(0) 推荐(0)
KBL410-ASEMI整流桥KBL410
摘要：编辑-Z KBL410在KBL-4/DIP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是72MIL，是一款整流扁桥。KBL410的浪涌电流Ifsm为2005A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL410采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBL410的电性参数是：正向 阅读全文
posted @ 2021-10-12 16:57 强元芯 阅读(413) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流桥KBP307，适配小电源、小家电厨电
摘要：编辑-Z KBP307参数描述 型号：KBP307 封装：KBP-4/DIP-4 特性：整流扁桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：3A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：50A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时 阅读全文
posted @ 2021-10-11 17:07 强元芯 阅读(486) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI贴片整流桥DB207S，手机快充适配器标配
摘要：编辑-Z DB207S参数描述 型号：DB207S 封装：DBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.0V 浪涌电流Ifsm：50A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150 阅读全文
posted @ 2021-10-11 17:02 强元芯 阅读(296) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI圆桥2W10安装方便空间占比小
摘要：编辑-Z 对于整流圆桥2W10的电性参数和特性，以ASEMI圆桥2W10为例给大家介绍到底，让大家全面了解圆桥2W10的特性和功能。 2W10参数描述 型号：2W10 封装：WOB-4 特性：整流圆桥 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF 阅读全文
posted @ 2021-10-09 17:13 强元芯 阅读(82) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI贴片整流桥ABS210，多功能快充插座标配
摘要：编辑-Z ABS210参数描述 型号：ABS210 封装：ABS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 阅读全文
posted @ 2021-10-09 17:08 强元芯 阅读(313) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT的优势和应用
摘要：编辑-Z 肖特基二极管MBR20100FCT的优势包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，MBR20100FCT正向导通和正向压降低于PN结二极管（低约0.2V）。 2) 由于MBR20100FCT是多数载流子导电器件，因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT 阅读全文
posted @ 2021-10-08 17:23 强元芯 阅读(450) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管MBR10200FCT结构及主要参数
摘要：编辑-Z 与其他二极管相比，肖特基二极管MBR10200FCT有什么特别之处？ MBR10200FCT参数描述 型号：MBR10200FCT 封装：TO-220 特性：肖特基二极管 电性参数：10A，200V 正向电流(Io)：10A 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流Ifs 阅读全文
posted @ 2021-10-08 17:22 强元芯 阅读(443) 评论(0) 推荐(0)