09 2021 档案

ASEMI二极管FR107和1N4007可以代换吗？
摘要：编辑-Z 二极管作为电路中重要的整流元件应用非常的广泛，而ASEMI家的二极管FR107和1N4007也是我们很常见的二极管，那么FR107和1N4007可以代换吗？首先我们要从FR107和1N4007的封装形式和电性参数来判断，下面是它们的详细参数对比： FR107参数描述 型号：FR107 封装 阅读全文
posted @ 2021-09-30 16:10 强元芯 阅读(878) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别？
摘要：编辑-Z ASEMI家的恢复二极管US系列成员有多个，那其中的US1M和US1G有什么区别呢？从型号上看US1M和US1G就只有后面的字母M和G的不同，而这两天恰恰代表的他们的反向耐压不同，他们的额定电流都是1A，封装形式也是一样的，区别就在于US1M的耐压是1000V，而US1G的耐压是400V。 阅读全文
posted @ 2021-09-30 16:08 强元芯 阅读(525) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管MBR30200FCT的特性与作用
摘要：编辑-Z MBR30200FCT参数描述 型号：MBR30200FCT 封装：ITO-220AB 特性：肖特基二极管 电性参数：30A，200V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：30A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：122MIL 浪涌电流Ifsm：275A 漏电流(Ir)：0 阅读全文
posted @ 2021-09-29 17:16 强元芯 阅读(133) 评论(0) 推荐(0)
L7805CV-ASEMI三端稳压管L7805CV
摘要：编辑-Z ASEMI三端稳压管L7805CV是一款正电压稳压管，输出电压4.75-5.25V，静态电流4.2-8mA。L7805CV输出电流可达1.5A，无需外接补偿元件，内含限流保护电路，防止负载短路烧毁元件。 L7805CV参数描述 型号：L7805CV 封装：TO-220 输出电压(Vo)：4 阅读全文
posted @ 2021-09-29 17:14 强元芯 阅读(1460) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数详解
摘要：编辑-Z MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流( 阅读全文
posted @ 2021-09-28 16:55 强元芯 阅读(772) 评论(0) 推荐(0)
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选用？
摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT是电子产品生产中不可缺少的重要保护器件，MBR20100FCT尤其广泛应用于便携式电子产品和开关电源，深受电子行业的喜爱。然而，在肖特基二极管市场，如何选择合适产品的肖特基二极管呢？ MBR20100FCT参数描述 型号：MBR20100FCT 阅读全文
posted @ 2021-09-28 16:53 强元芯 阅读(453) 评论(0) 推荐(0)
MBR10200FCT-ASEMI肖特基二极管常见型号
摘要：编辑-Z MBR10200FCT参数描述 型号：MBR10200FCT 封装：TO-220 特性：肖特基二极管 电性参数：10A，200V 芯片材质：SI 正向电流(Io)：10A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流Ifsm：150A 漏电流(Ir)：10UA 阅读全文
posted @ 2021-09-27 17:31 强元芯 阅读(357) 评论(0) 推荐(0)
MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT
摘要：编辑-Z MBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性 阅读全文
posted @ 2021-09-27 16:52 强元芯 阅读(317) 评论(0) 推荐(0)
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
摘要：编辑-Z 12N65有TO-262、TO-220/220F、TO-247等多种封装形式，是一款高压MOS管。12N65的浪涌电流Ifsm为48A，G极漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，反向耐压为650V，正向电压(V 阅读全文
posted @ 2021-09-26 15:53 强元芯 阅读(492) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI高压MOS管12N65工作原理及应用领域
摘要：编辑-Z MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体。MOS管12N65的源极和漏极是可以对调的，都是形成在P型backgate中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反，也不会影响12N65的性能，这种装置12N65被认为是对称的。 ASEMI高压MO 阅读全文
posted @ 2021-09-26 15:51 强元芯 阅读(699) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI超快恢复二极管SF58资料
摘要：编辑-Z SF58参数描述 型号：SF58 封装：DO-27 特性：小电流、直插超快恢复二极管 电性参数：5A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：5A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.70V 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间( 阅读全文
posted @ 2021-09-25 16:49 强元芯 阅读(486) 评论(0) 推荐(0)
SFP6006-ASEMI超快恢复二极管SFP6006
摘要：编辑-Z SFP6006在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFP6006的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFP6006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFP6006的电性参数是：正向电流(Io)为60 阅读全文
posted @ 2021-09-25 16:48 强元芯 阅读(148) 评论(0) 推荐(0)
D92-02-ASEMI低压降快恢复二极管D92-02
摘要：编辑-Z D92-02在TO-247/3P封装里采用的2个芯片，是一款低压降快恢复二极管。D92-02的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。D92-02采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。D92-02的电性参数是：正向电流(Io)为2 阅读全文
posted @ 2021-09-24 17:01 强元芯 阅读(1578) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI高效率恢复二极管HER608
摘要：编辑-Z HER608参数描述 型号：HER608 封装： R-6 特性：小电流、直插高效恢复二极管 电性参数：6A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：6A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.7V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-65~+150℃ 恢 阅读全文
posted @ 2021-09-24 16:59 强元芯 阅读(303) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI整流二极管10A10的选用
摘要：编辑-Z 整流二极管10A10是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。二极管10A10最重要的特性是它的单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的阳极流入，从阴极流出。通常它包含一个带有两个端子的 PN 结，一个正极和一个负极。硅整流二极管10A10击穿电压高，反向漏电流小，耐高温性能好。一般高压 阅读全文
posted @ 2021-09-23 16:54 强元芯 阅读(853) 评论(0) 推荐(0)
UF4007-ASEMI高效恢复二极管UF4007
摘要：编辑-Z UF4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装快恢复二极管。UF4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UF4007采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。UF4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压 阅读全文
posted @ 2021-09-23 16:52 强元芯 阅读(783) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI高压整流二极管1N4007
摘要：编辑-Z 1N4007参数描述 型号：1N4007 封装：DO-41 特性：小封装整流管 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.0V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：2 1N 阅读全文
posted @ 2021-09-22 15:54 强元芯 阅读(799) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI快恢复二极管FR107参数释义
摘要：编辑-Z FR107参数描述 型号：FR107 封装：DO-41 特性：小电流、插件 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.2V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：5 阅读全文
posted @ 2021-09-22 15:51 强元芯 阅读(980) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI高效恢复二极管型号之US1G
摘要：编辑-Z US1G参数描述 型号：US1G 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 400V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.3V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：50ns 引 阅读全文
posted @ 2021-09-18 16:35 强元芯 阅读(214) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI常用快恢复二极管US1M参数一览表
摘要：编辑-Z US1M参数描述 型号：US1M 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.7V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：100ns 阅读全文
posted @ 2021-09-18 16:32 强元芯 阅读(1010) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI超快恢复二极管MURF1640CT主要参数
摘要：编辑-Z MURF1640CT参数描述 型号：MURF1640CT 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极管 电性参数：16A 400V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：16A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 芯片尺寸：90MIL 浪涌电流Ifsm：175A 漏电流(Ir) 阅读全文
posted @ 2021-09-17 17:19 强元芯 阅读(243) 评论(0) 推荐(0)
MURF1040CT-ASEMI超快恢复二极管MURF1040CT
摘要：编辑-Z MURF1040CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。MURF1040CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MURF1040CT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MURF1040CT的电性 阅读全文
posted @ 2021-09-17 17:17 强元芯 阅读(305) 评论(0) 推荐(0)
常用超快恢复二极管SFF2004-ASEMI
摘要：编辑-Z SFF2004参数描述 型号：SFF2004 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极管 电性参数：20A，400V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 芯片尺寸：102 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10u 阅读全文
posted @ 2021-09-16 17:37 强元芯 阅读(291) 评论(0) 推荐(0)
SFF1604-ASEMI超快恢复二极管SFF1604
摘要：编辑-Z SFF1604在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF1604的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF1604采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF1604的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文
posted @ 2021-09-16 17:35 强元芯 阅读(78) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI快恢复二极管MURF860AC参数特征
摘要：编辑-Z MURF860AC参数描述 型号：MURF860AC 封装：ITO-220AC 特性：快恢复二极管 电性参数：8A600V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)：8A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.5V 芯片尺寸：70MIL 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：10uA 阅读全文
posted @ 2021-09-15 17:05 强元芯 阅读(105) 评论(0) 推荐(0)
SFF806A-ASEMI超快恢复二极管SFF806A
摘要：编辑-Z SFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF806A采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SFF806A的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文
posted @ 2021-09-15 16:52 强元芯 阅读(123) 评论(0) 推荐(0)
MBR30200FCT-ASEMI肖特基二极管怎么判断是共阴共阳
摘要：编辑-Z 肖特基二极管分为引线式和表面贴装（贴片式）封装。带引线封装的肖特基二极管MBR30200FCT通常用作高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管。肖特基对管有三种引脚引出方式：共阴极（两管的阴极相连）、共阳极（两管的阳极相连）和串联（一个二极管的阳极与另一个二极管的阴极相连）。那么MBR 阅读全文
posted @ 2021-09-14 17:06 强元芯 阅读(889) 评论(0) 推荐(0)
MBR20200FCT-ASEMI肖特基二极管的应用分析
摘要：编辑-Z 在电子行业，几乎每个工程师都知道MBR20200FCT肖特基二极管，但你真的了解MBR20200FCT的内部结构、功能、应用领域以及为什么广泛应用于高频开关电源吗？ MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参 阅读全文
posted @ 2021-09-13 18:01 强元芯 阅读(458) 评论(0) 推荐(0)
MBR20100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT
摘要：编辑-Z MBR20100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR20100FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR20100FCT采用Mikron芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20100FC 阅读全文
posted @ 2021-09-13 17:53 强元芯 阅读(601) 评论(0) 推荐(0)
MBR10200FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10200FCT
摘要：编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数 阅读全文
posted @ 2021-09-11 16:57 强元芯 阅读(199) 评论(0) 推荐(0)
MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管的特点
摘要：编辑-Z 一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管 肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受 RC 时间 阅读全文
posted @ 2021-09-11 16:55 强元芯 阅读(389) 评论(0) 推荐(0)
SF58-ASEMI超快恢复二极管SF58
摘要：编辑-Z SF58在DO-27封装里采用的1个芯片，是一款小电流、直插超快恢复二极管。SF58的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SF58采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SF58的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反向耐压为60 阅读全文
posted @ 2021-09-10 16:39 强元芯 阅读(516) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI超快恢复二极管SFP6006如何检测
摘要：编辑-Z 快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，超快恢复二极管SFP6006的反向恢复电荷进一步降低，使其trr可低至几十纳秒。从内部结构上看，快恢复可分为单管和对管（也称双管）两种，双管内有两个快恢复二极管。根据两种二极管的连接方式不同，有共阴极对管和共阳极对管，SFP6006是属于共阴极对管 阅读全文
posted @ 2021-09-10 16:37 强元芯 阅读(355) 评论(0) 推荐(0)
开关电源为什么需要ASEMI的D92-02快恢复二极管
摘要：编辑-Z D92-02快恢复二极管在开关电源中有两种作用，作为快速整流二极管和并联的续流二极管，用于保护IGBT等核心器件。那为什么说开关电源需要ASEMI的D92-02快恢复二极管呢？ D92-02参数描述 型号：D92-02 封装：TO-247/3P 特性：超快恢复二极管 电性参数：20A，20 阅读全文
posted @ 2021-09-09 17:15 强元芯 阅读(949) 评论(0) 推荐(0)
HER608-ASEMI高效恢复二极管HER608
摘要：编辑-Z HER608在R-6封装里采用的1个芯片，是一款小电流、直插高效恢复二极管。HER608的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。HER608采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。HER608的电性参数是：正向电流(Io)为6A， 阅读全文
posted @ 2021-09-09 17:13 强元芯 阅读(375) 评论(0) 推荐(0)
10A10-ASEMI整流二极管10A10
摘要：编辑-Z 10A10在R-6封装里采用的1个芯片，是一款轴向大电流整流二极管。10A10的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10A10采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。10A10的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为1 阅读全文
posted @ 2021-09-08 17:20 强元芯 阅读(1196) 评论(0) 推荐(0)
UF4007-ASEMI恢复二极管和1N4007有什么不同
摘要：编辑-Z 1N4007是普通的硅整流二极管。这种管的PN结面积大，所以耐压高，工作电流大。但是PN结的结电容也很大，结电容与二极管并联。这种二极管只适用于数百赫兹以下的低频整流电路。如果用在几百KHz以上的高频整流电路中，由于结电容大，管子会失去单向导电性。 虽然UF4007的外封装与1N4007完 阅读全文
posted @ 2021-09-08 17:18 强元芯 阅读(1015) 评论(0) 推荐(0)
1N4007-ASEMI整流二极管1N4007
摘要：编辑-Z 1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为 阅读全文
posted @ 2021-09-07 16:59 强元芯 阅读(1020) 评论(0) 推荐(0)
FR107-ASEMI快恢复二极管FR107可以做整流桥用吗
摘要：编辑-Z 在实际应用中，高频场合采用快恢复二极管，普通的用整流二极管，那么FR107-ASEMI快恢复二极管FR107可以做整流桥用吗？首先，我们先来了解一下快恢复二极管FR107和普通二极管有什么区别？ FR107参数描述 型号：FR107 封装：DO-41 特性：小电流、插件 电性参数：1A 1 阅读全文
posted @ 2021-09-07 16:57 强元芯 阅读(615) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI恢复二极管US1G的代换原则
摘要：编辑-Z US1G快恢复二极管的工作原理与普通二极管相同，但普通二极管在开关状态下的反向恢复时间较长，约为4～5ms，不能满足高频开关电路的要求。快恢复二极管US1G有一个重要参数决定其性能——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是二极管从正向导通状态快速切换到截止状态，从输出脉冲下降到零线，到反向电源 阅读全文
posted @ 2021-09-06 17:05 强元芯 阅读(551) 评论(0) 推荐(0)
US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M
摘要：编辑-Z US1M在SMA封装里采用的1个芯片，是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V 阅读全文
posted @ 2021-09-06 17:02 强元芯 阅读(705) 评论(0) 推荐(0)
MURF1640CT-ASEMI超快恢复二极管MURF1640CT
摘要：编辑-Z MURF1640CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。MURF1640CT的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。MURF1640CT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MU 阅读全文
posted @ 2021-09-03 17:11 强元芯 阅读(333) 评论(0) 推荐(0)
为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好
摘要：编辑-Z 在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般采用反向恢复时间短的MURF1040CT整流二极管。常用的有快恢复二极管、超快恢复二极管和肖特基势垒二极管。那为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好？ MURF1040CT参数描述 型号：MURF1040CT 封装：ITO 阅读全文
posted @ 2021-09-03 17:00 强元芯 阅读(419) 评论(0) 推荐(0)
SFF2004-ASEMI超快恢复二极管SFF2004
摘要：编辑-Z SFF2004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2004的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。SFF2004采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF2004的电性 阅读全文
posted @ 2021-09-02 16:58 强元芯 阅读(208) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI超快恢复二极管型号SFF1604
摘要：编辑-Z SFF1604超快恢复二极管是一种具有良好开关特性和超短反向恢复时间的半导体二极管。SFF1604常用于高频逆变器件的开关器件做续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，可以充分发挥开关器件的功能。 SFF1604参数描述 型号：SFF1604 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极 阅读全文
posted @ 2021-09-02 16:53 强元芯 阅读(182) 评论(0) 推荐(0)
MURF860AC-ASEMI快恢复二极管MURF860AC
摘要：编辑-Z MURF860AC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是70MIL，是一款快恢复二极管。MURF860AC的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MURF860AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MURF86 阅读全文
posted @ 2021-09-01 16:24 强元芯 阅读(117) 评论(0) 推荐(0)
ASEMI快恢复二极管SFF806A的压降是多少
摘要：编辑-Z 我们都知道，正向压降决定着二极管的功耗和性能，那么什么是二极管的正向压降？ASEMI快恢复二极管SFF806A的压降是多少呢？ SFF806A参数描述 型号：SFF806A 封装：ITO-220AC 特性：超快恢复二极管 电性参数：8A，600V 芯片材质：抗冲击硅芯片 正向电流(Io)： 阅读全文
posted @ 2021-09-01 16:23 强元芯 阅读(214) 评论(0) 推荐(0)