08 2021 档案
摘要：编辑-Z 整流二极管DGL50-2B的作用具有明显的单向导电性。DGL50-2B是由半导体硅材料制成。DGL50-2B的作用可有效实现高击穿电压、低反向漏电流和优良的高温性能。DGL50-2B整流二极管的作用是利用PN结的单向导电性，将交流电转变为脉动直流电。DGL50-2B的电流比较大，大多采用面
阅读全文
摘要：编辑-Z MUR20060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复模块。MUR20060CT的浪涌电流Ifsm为800A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR20060CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR20060CT的电性参数是：正向
阅读全文
摘要：编辑-Z MUR10060CT参数描述 型号：MUR10060CT 封装：MUR-2 特性：快恢复模块 电性参数：100A600V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(Io)：100A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 浪涌电流Ifsm：400A 漏电流(Ir)：1mA 恢复时间Trr：110
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS50HB160在MDS-HB封装里采用的4个芯片，是一款三相整流模块。MDS50HB160的浪涌电流Ifsm为750A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MDS50HB160采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MDS50HB160的电性参数是：正
阅读全文
摘要：编辑-Z MTC110-16在D1封装里采用的2个芯片，是一款可控硅整流模块。MTC110-16的工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MTC110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MTC110-16的电性参数是：正向电流(Io)为110A，反向耐压为1600V，其中有3条引线。 M
阅读全文
摘要：编辑-Z MTC160-16参数描述 型号：MTC160-16 封装：MTC可控硅 特性：单向可控 电性参数：110A1600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：110A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.8 芯片尺寸：足160A 浪涌电流Ifsm：2400 漏电流(Ir)：20mA 工作温度
阅读全文
摘要：编辑-Z MSKD165-16在M42封装里采用的2个芯片，是一款单臂大电流、高耐压整流模块。MSKD165-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为9mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MSKD165-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MSKD165-16的电性
阅读全文
摘要：编辑-Z MDK165-16在MDK封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阴极大电流、高耐压整流模块。MDK165-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为9mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDK165-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDK165-16的电性参
阅读全文
摘要：编辑-Z MDK110-16参数描述 型号：MDK110-16 封装：MDK 特性：单臂共阴极整流模块 电性参数：110A 1600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：110A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.35V 芯片尺寸：13*13MM方片*2 浪涌电流Ifsm：2500A 漏电流(I
阅读全文
摘要：编辑-Z MSCD110-16参数描述 型号：MSCD110-16 封装：92*20MM(孔距80MM) M01型 特性：单臂整流模块，大电流、高耐压 电性参数：110A 1600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：110A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.35V 芯片尺寸：13*13MM方
阅读全文
摘要：编辑-Z MSCD110-16参数描述 型号：MSCD110-16 封装：92*20MM(孔距80MM) M01型 特性：单臂整流模块，大电流、高耐压 电性参数：110A 1600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：110A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.35V 芯片尺寸：13*13MM方
阅读全文
摘要：编辑-Z MDC110-16参数描述 型号：MDC110-16 封装：MDC 特性：单臂串联整流模块 电性参数：110A 1600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：110A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.35V 芯片尺寸：13*13MM方片*2 浪涌电流Ifsm：2500A 漏电流(Ir
阅读全文
摘要：编辑-Z MDA165-16在MDA封装里采用的2个芯片，是一款单臂共阳极整流模块。MDA165-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为9mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDA165-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDA165-16的电性参数是：正向电流
阅读全文
摘要：编辑-Z QL5010在KBPC-4封装里采用的4个芯片，是一款变频器用大功率整流桥。QL5010的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。QL5010采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。QL5010的电性参数是：正向电流(Io)为50A，
阅读全文
摘要：编辑-Z 整流电路是开关电源的主要部分。整流电路有单相半波、单相全波、单相桥式、倍压整流和多相整流。这些整流电路都可以用在开关电源电路中，只是开关电源整流电路的工作频率远高于普通线性稳压电源整流电路。MDQ500-16-ASEMI单相整流模块也可以用在开关电源中，那么MDQ500-16在开关电源中有
阅读全文
摘要：编辑-Z 直流电焊机与交流电焊机的本质区别在于，直流电焊机输出直流电，交流电焊机输出交流电。那么如何用ASEMI三相整流桥MT5016A把交流电焊机改直流电焊机呢？ 硅整流电焊机作为弧焊电机的节能换代产品，主要由三相降压变压器、磁放大器和输出电抗器组成。而要把交流改成直流，就要用到MT5016A三相
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS500-16在M34封装里采用的6个芯片，是一款三相整流模块。MDS500-16的浪涌电流Ifsm为2100A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS500-16采用GPP硅芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS500-16的电性参数是：正向电流(I
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS200-16在M22封装里采用的6个芯片，是一款三相整流模块。MDS200-16的浪涌电流Ifsm为2000A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS200-16采用GPP硅芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS200-16的电性参数是：正向电流(Io
阅读全文
摘要：编辑-Z 我们在拿到ASEMI三相整流模块MDST150-16的时候怎么判断是好的还是坏的呢？我们可以用测量的方法来判断，首先我们需要了解一下MDST150-16的参数和结构应用。 MDST150-16参数描述 型号：MDST150-16 封装：MDST模块 特性：机床用三相可控整流模块 电性参数：
阅读全文
摘要：编辑-Z 36MT160在D-63封装里采用的5个芯片，是一款三相整流方桥。36MT160的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。36MT160采用GPP硅芯片材质，里面有5颗芯片组成。36MT160的电性参数是：正向电流(Io)为36A，
阅读全文
摘要：编辑-Z DGL50-2B在DGL-2封装里采用的4个芯片，是一款大功率整流二极管。DGL50-2B的浪涌电流Ifsm为450A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。DGL50-2B采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。DGL50-2B的电性参数是：正向电流(Io)
阅读全文
摘要：编辑-Z 众所周知，当前电子技术的发展方向是：应用技术高频化、硬件结构模块化、半导体器件智能化、控制技术数字化、产品性能绿色化（对电网无污染）。而ASEMI快恢复模块MUR20060CT正是硬件结构模块化的产物，所以MUR20060CT符合未来的发展方向。 MUR20060CT参数描述 型号：MUR
阅读全文
摘要：编辑-Z MUR10060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片，是一款快恢复模块。MUR10060CT的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR10060CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR10060CT的电性参数是：正向电
阅读全文
摘要：编辑-Z DH2F200N6S快恢复模块和快恢复二极管有什么区别？两者都是具有快速反向恢复功能的二极管，主要区别在于功率、速度和封装。那么DH2F200N6S-ASEMI快恢复模块比快恢复二极管好在哪里？ 快恢复二极管一般是指电流、电压、功率都比较小的单管。一般电流小于几安培，电压可达1000V，但
阅读全文
摘要：编辑-Z DH2F100N6S在DH2F-2封装里采用的2个芯片，是一款快恢复模块。DH2F100N6S的浪涌电流Ifsm为2000A，漏电流(Ir)为1mA，其工作时耐温度范围为-40~170摄氏度。DH2F100N6S采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。DH2F100N6S的电性参数是：正
阅读全文
摘要：编辑-Z 什么是整流桥模块MDS50HB160 整流桥的作用是将交流电转换为直流电。整流桥是利用二极管的单向导通原理进行整流的，所以当它接入交流电路时，可以使电路中的电流只向一个方向流动，这就是所谓的“整流”。整流器通常由4个二极管组成单相桥式全波整流器和6个二极管组成三相桥式全波整流器，分别用于单
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS30HB160在MDS-HB封装里采用的4个芯片，是一款三相整流模块。MDS30HB160的浪涌电流Ifsm为750A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MDS30HB160采用GPP玻璃钝化芯片材质，里面有4颗芯片组成。MDS30HB160的电性参数
阅读全文
摘要：编辑-Z MFC160-16的主要反向关断特性参数为：反向恢复时trr；反向恢复峰值电流IRM；MFC160-16正向导通的主要参数有：正向平均电流IF(AV)；正向峰值电压UFM；正向均方根电流 IF (RMS) 和正向（非重复）浪涌电流 IFSM。MFC160-16的反向阴极特性参数为：反向重复
阅读全文
摘要：编辑-Z MFC110-16在D1封装里采用的6个芯片，是一款三相整流模块。MFC110-16的浪涌电流Ifsm为1200A，漏电流(Ir)为12mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MFC110-166采用GPP硅芯片材质，里面有6颗芯片组成。MFC110-16的电性参数是：正向电流(I
阅读全文
摘要：编辑-Z 可控硅模块通常称为功率半导体模块。西门康于1970年首次将模块原理引入电力电子技术领域，是一种采用模块封装形式的四层结构、三个PN结的大功率半导体器件。ASEMI可控硅模块MTC110-16为何能得到大家的青睐？MTC110-16有什么特别之处呢？ MTC110-16参数描述 型号：MTC
阅读全文
摘要：编辑-Z MTC160-16在MTC封装里采用的2个芯片，其尺寸是160MIL，是一款单向可控硅整流模块。MTC160-16的浪涌电流Ifsm为2400A，漏电流(Ir)为20mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MTC160-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MTC160-1
阅读全文
摘要：编辑-Z 在直流通信供电系统中，MSKD165-16整流模块是最关键的电源元件。MSKD165-16的作用是将输入的380V/220交流电经脉宽调制整流成标称电压为240V的直流电，通过直流配电电路输出，为通信设备和IT设备供电。 MSKD165-16参数描述 型号：MSKD165-16 封装：94
阅读全文
摘要：编辑-Z MSKD110-16在MDK封装里采用的2个芯片，其尺寸是13*13MM方片*2，是一款单臂共阴极整流模块。MSKD110-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MSKD110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。M
阅读全文
摘要：编辑-Z 整流模块：将二极管集成在一个电路中，完成整流功能（通常集成4个二极管）。根据电路的频率，可以使用普通二极管或快恢复二极管。而ASEMI整流模块MDK165-16是属于单臂共阴极整流模块，所以MDK165-16是由两个普通二极管组成的，那么MDK165-16与快恢复模块有什么区别呢？ MDK
阅读全文
摘要：编辑-Z MDK110-16在MDK封装里采用的2个芯片，其尺寸是13*13MM方片*2，是一款单臂共阴极整流模块。MDK110-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDK110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDK1
阅读全文
摘要：编辑-Z 在拿到ASEMI整流模块MSCD165-16时要怎么更换呢？下面给大家讲讲ASEMI整流模块MSCD165-16更换流程和注意事项。 MSCD165-16参数描述 型号：MSCD165-16 封装：MDC 特性：单臂整流模块，大电流、高耐压 电性参数：165A 1600V 芯片材质：GPP
阅读全文
摘要：编辑-Z MSCD110-16在MDC封装里采用的2个芯片，其尺寸是13*13MM方片*2，是一款单臂串联整流模块。MSCD110-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MSCD110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MS
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI整流模块MDC165-16的作用是什么？简单地说，MDC165-16是一种将交流电（AC）转换成直流电（DC）的设备。MDC165-16有两个主要功能：第一，把交流电（AC）转换成直流电（DC），经滤波并提供给负载或逆变器；第二，它提供充电电压到电池。因此，它也起到一个充电器的作
阅读全文
摘要：编辑-Z MDC110-16在MDC封装里采用的2个芯片，其尺寸是13*13MM方片*2，是一款单臂串联整流模块。MDC110-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDC110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDC11
阅读全文
摘要：编辑-Z ASEMI高频整流模块MSAD165-16在开关电源中起什么作用呢？随着我国科技生产水平的不断提高，各行业对电源质量的要求越来越高。智能高频开关电源作为继电保护装置和控制回路装置，为生活和生产的可靠性提供了强有力的保证。当市电中断时，也可作为备用电源使用。因此，智能高频开关电源是电源质量保
阅读全文
摘要：编辑-Z MSAD110-16在MDA封装里采用的2个芯片，其尺寸是13*13MM方片*2，是一款单臂共阳极整流模块。MSAD110-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MSAD110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。M
阅读全文
摘要：编辑-Z 桥式整流是我们常用的整流方式，桥式整流模块的种类很多。我们应该如何选择？今天，我将分享怎样选用ASEMI桥式整流模块MDA165-16？ 1、在选择MDA165-16元器件之前，首先要明确自己的需求。器件用在哪里，无论是民用设备，工业设备，还是军工产品，只有明确了要求，才能进行后续的行动。
阅读全文
摘要：编辑-Z MDA110-16在MDA封装里采用的2个芯片，其尺寸是13*13MM方片*2，是一款单臂共阳极整流模块。MDA110-16的浪涌电流Ifsm为2500A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDA110-16采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MDA1
阅读全文
摘要：编辑-Z 工业电磁炉又称工业电磁加热机，是一种利用磁场感应电流（也称涡流）加热原理的电磁工具。而电磁炉的整流需要用到整流桥QL5010，是因为QL5010低正向压降，体积小、重量轻，热阻小、导热率高、温升低等特点使其成为工业电磁灶用整流桥。 QL5010参数描述 型号：QL5010 封装：KBPC-
阅读全文
摘要：编辑-Z MDQ500-16在M34封装里采用的4个芯片，是一款直流电机单相整流模块。MDQ500-16的浪涌电流Ifsm为2100A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDQ500-16采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MDQ500-16的电性参数是：正向
阅读全文
摘要：编辑-Z 整流电路的作用是将交流降压电路输出的低压交流电转换成单向脉动直流电。这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。那么ASEMI单相整流模块MDQ300-16在整流电路中有什么优势呢，整流模块属于什么类型的整流呢？ MDQ300-16参数描述 型号：MDQ300-16 封装：M25
阅读全文
摘要：编辑-Z 前段时间厂里要上一批直流电机，需要一些MDQ200-16整流模块，由于之前供应的小厂商缺少芯片供应不上，为了寻找新的货源，我在网上查了大量资料，发现厂家倒是挺多的，信息最多的就是ASEMI这家，各种好评也是比较多，想着曝光量这么多，用的人应该不少，就申请了一点样品试一下，以下是MDQ200
阅读全文
摘要：编辑-Z MDQ100-16在M18封装里采用的4个芯片，其尺寸都是200MIL，是一款医疗设备单相整流模块。MDQ100-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDQ100-16采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MDQ100-1
阅读全文
摘要：编辑-Z MT5016A在D-63封装里采用的5个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款三相电机整流桥。MT5016A的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MT5016A采用GPP芯片材质，里面有5颗芯片组成。MT5016A的电性参数是：正
阅读全文
摘要：编辑-Z 由于ASEMI三相整流模块MDS500-16的额定电流和反向耐压都非常大，所以很多大功率设备都能用到它，因此MDS500-16的应用非常广泛，也是我们见得非常多的整流模块，今天我们就来讲讲拿到ASEMI三相整流模块MDS500-16怎么测量它的好坏？首先我们先了解一下它的具体参数和外形：
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS300-16在MDS封装里采用的6个芯片，其尺寸都是Φ18，是一款数控机床三相整流模块。MDS300-16的浪涌电流Ifsm为2100A，漏电流(Ir)为15mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS300-16采用GPP芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS300-16的
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS200-16桥式整流模块采用方形芯片和先进的芯片支撑板。经过特殊的烧结工艺，保证焊层无空洞，使用更可靠。MDS200-16采用DCB板等高级隔热材料，导热性好，导热基板不带电（MDY2000型模块除外），确保使用安全。热循环负荷次数超过国家标准，使用寿命长。MDS200-16广泛应用
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS50-16整流桥开关模块由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连接后共同封装在PPS（40%玻璃纤维）外壳中。MDS50-16模块主要结构及特点如下： MDS50-16参数描述 封装：MDS模块 特性：工业机电三相整流模块 电性参数：50A1600V 芯片材质：
阅读全文
摘要：编辑-Z MDS100-16在MDS封装里采用的6个芯片，其尺寸都是Φ13，是一款工业焊机用大功率整流模块。MDS100-16的浪涌电流Ifsm为920A，漏电流(Ir)为5mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDS100-16采用GPP芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS100-16的
阅读全文
摘要：编辑-Z 近二十年来，随着专业生产各类电力半导体模块的工艺制造技术、设计能力、工艺和测试设备，以及制造经验的提升。2005年开发出满足VVVF变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不间断电源、高频感应加热电源和伺服电机驱动放大器所需的“三相整流二极管整流桥开关模块MDST200-16”，由于MDST
阅读全文
摘要：编辑-Z MDST150-16在MDST封装里采用的6个芯片，其尺寸都是420MIL，是一款机床用三相可控整流模块。MDST150-16的浪涌电流Ifsm为1186A，漏电流(Ir)为8mA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。MDST150-16采用GPP芯片材质，里面有6颗芯片组成。MDS
阅读全文
浙公网安备 33010602011771号