06 2021 档案

摘要:编辑-Z 型号:RS1M 封装:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.3V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-40~+150℃ 恢复时间(Trr):150 阅读全文
posted @ 2021-06-30 16:36 强元芯 阅读(794) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z FR107在DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、插件快恢复二极管。FR107的浪涌电流Ifsm为25A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FR107采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。FR107的电性参数是:正向电流(Io 阅读全文
posted @ 2021-06-30 16:34 强元芯 阅读(725) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。1N4007的电性参数是:正向电流(Io 阅读全文
posted @ 2021-06-29 16:52 强元芯 阅读(1004) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 尽管肖特基二极管已经上市数十年,但新的发展和产品不断增强其特性并扩大应用的可能性。除了太阳能电池板和汽车,它们现在还用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电池充电器。但是,MBR20100CT肖特基二极管应用领域有哪些呢? MBR20100CT肖特基二极管主要用于以下两个领域: 1、整流,在 阅读全文
posted @ 2021-06-28 16:45 强元芯 阅读(518) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MB6S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐 阅读全文
posted @ 2021-06-26 17:17 强元芯 阅读(546) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z KBP310在KBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是60MIL,是一款整流扁桥。KBP310的浪涌电流Ifsm为60A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBP310采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBP310的电性参数是:正向电流(Io)为3 阅读全文
posted @ 2021-06-25 17:28 强元芯 阅读(708) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z DB107在DB-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥。DB107的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB107采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。DB107的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压 阅读全文
posted @ 2021-06-24 17:12 强元芯 阅读(1179) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ES1J在SMA封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、贴片超快恢复二极管。ES1J的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ES1J采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。ES1J的电性参数是:正向电流(Io)为1A, 阅读全文
posted @ 2021-06-23 16:58 强元芯 阅读(1651) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z US1G在SMA封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1G的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1G采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。US1G的电性参数是:正向电流(Io)为1A, 阅读全文
posted @ 2021-06-22 17:09 强元芯 阅读(704) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z US1M快恢复整流二极管属于整流二极管中的高频整流二极管。US1M之所以称为快恢复二极管,是因为普通整流二极管一般工作在低频(如市电频率为50Hz),其工作频率低于3kHz。而US1M的恢复时间快,可以用在高频工作中,以下是US1M的详细参数: 型号:US1M 封装:SMA 特性:小电流、 阅读全文
posted @ 2021-06-22 17:08 强元芯 阅读(790) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z RS1M在SMA封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、贴片快恢复二极管。RS1M的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS1M采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。RS1M的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反 阅读全文
posted @ 2021-06-21 16:18 强元芯 阅读(1374) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z FR107具有短恢复过程(特别是反向恢复过程),所以FR107称为快恢复二极管。在高频电力电子电路中,不仅要求FR107快恢复二极管具有良好的正向恢复特性,即正向瞬态压降小,恢复时间短,特别是反向恢复特性,即反向恢复时间短,反向恢复电荷小,具有较软的恢复特性。下面是FR107的详细参数: 阅读全文
posted @ 2021-06-21 16:16 强元芯 阅读(387) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 1N5819在DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是32MIL,是一款小电流肖特基二极管。1N5819的浪涌电流Ifsm为25A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N5819采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。1N5819的电性参数是:正向电流( 阅读全文
posted @ 2021-06-19 17:09 强元芯 阅读(1723) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 我们要了解1N4007-ASEMI整流二极管如何代换就需要先了解1N4007的详细参数,根据1N4007的具体参数判断能不能代换。 型号:1N4007 封装:DO-41 特性:小封装整流管 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP硅芯片 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压( 阅读全文
posted @ 2021-06-19 17:08 强元芯 阅读(942) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z A7在SOD-123封装里采用的1个芯片,其尺寸都是46MIL,是一款小电流、贴片小封装整流二极管。A7的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。A7采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。A7的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向 阅读全文
posted @ 2021-06-18 16:59 强元芯 阅读(742) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 下面给大家详细介绍一下ASEMI整流二极管M7型号参数,M7是一种硅整流二极管,硅整流二极管是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。M7具有击穿电压高、反向漏电流小、耐高温性能好等特点,主要用于各种电源整流电路。硅整流二极管的种类很多: M1-M7二极管,SMA(DO-214AC)封装 阅读全文
posted @ 2021-06-18 16:57 强元芯 阅读(2880) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 10V45在TO-277封装里采用的1个芯片,其尺寸都是110MIL,是一款超低压降贴片肖特基二极管。10V45的浪涌电流Ifsm为275A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10V45采用Mikron芯片材质,里面有1颗芯片组成。10V45的电性参数是: 阅读全文
posted @ 2021-06-17 16:20 强元芯 阅读(352) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),MBR20200CT-ASEMI肖特基二极管是一种低功耗、超高速的半导体器件。MBR20200CT最显着的特点是反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向压降仅为0.8V左右,下面是MBR20200CT的详细参数: 型号:MBR20200CT 阅读全文
posted @ 2021-06-17 16:18 强元芯 阅读(973) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MBR20100CT在TO-220封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款肖特基二极管。MBR20100CT的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为20uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20100CT采用si芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR2010 阅读全文
posted @ 2021-06-16 16:03 强元芯 阅读(1539) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选型?选型时主要考虑MBR10100FCT的导通压降、反向饱和漏电流、额定电流、最大浪涌电流、最大反向峰值电压、最大直流反向电压、最大工作频率、反向恢复时间、最大耗散功率等参数。下面我们看一下MBR10100FCT的详细电性参数: 型号:M 阅读全文
posted @ 2021-06-16 16:00 强元芯 阅读(318) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MBR30200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片,其尺寸都是122MIL,是一款肖特基二极管。MBR30200FCT的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30200FCT采用si芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR3 阅读全文
posted @ 2021-06-15 16:40 强元芯 阅读(235) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 肖特基二极管是有极性的,电阻元件可以不分正负极连接到电路,但肖特基二极管必须正确安装。肖特基二极管安装不当不仅会损坏自身,还会损坏电路的许多其他零件。那么MBR10200FCT-ASEMI肖特基二极管为什么是三个引脚?MBR10200FCT的引脚极性又怎么分辨呢?我们先详细了解一下MBR1 阅读全文
posted @ 2021-06-15 16:39 强元芯 阅读(1897) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MBR20200FCT在ITO-220CT封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款肖特基二极管。MBR20200FCT的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20200FCT采用si芯片材质,里面有2颗芯片组成。M 阅读全文
posted @ 2021-06-11 16:29 强元芯 阅读(497) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MBR60100PT肖特基二极管ASEMI的怎么看正负?一般普通的插件二极管可以通过引脚的长度或草帽内侧的面积来判断,普通贴片二极管可以以横条一端是负极来判断,一般也标有发光二极管的负极。今天做了板子,买了肖特基二极管MBR60100PT,发现正负极的标记和其他普通二极管不一样。我们先看一 阅读全文
posted @ 2021-06-11 16:28 强元芯 阅读(634) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z GBU808在GBU-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是95MIL,是一款超薄扁桥整流桥。GBU808的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU808采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBU808的电性参数是:正向电流(Io 阅读全文
posted @ 2021-06-10 17:29 强元芯 阅读(659) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 首先我们要了解KBPC1010的详细参数,然后根据参数选好合适的电容,下面我们先来看一下ASEMI整流桥KBPC1010的参数: 型号:KBPC1010 封装:KBPC-4 特性:单相整流方桥 电性参数:10A1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):10A 芯片个数:4 正向电压( 阅读全文
posted @ 2021-06-10 17:28 强元芯 阅读(562) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z KBJ2510在KBJ-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是140MIL,是一款超薄扁桥整流桥。KBJ2510的浪涌电流Ifsm为400A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ2510采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBJ2510的电性参数是:正向 阅读全文
posted @ 2021-06-09 17:41 强元芯 阅读(756) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 220v经过ASEMI整流桥MB10F输出电压是多少呢?首先我们先了解一下MB10F的参数,然后在看看MB10F在各种情况下的输出电压是多少。 型号:MB10F 封装:MBF-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆、超薄体 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io) 阅读全文
posted @ 2021-06-09 17:39 强元芯 阅读(4282) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z MB10S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄贴片整流桥。MB10S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB10S的电性参数是:正向电流(Io)为1.0A 阅读全文
posted @ 2021-06-08 17:27 强元芯 阅读(1676) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 整流桥堆MB6S,MBS-4贴片封装,正向整流1A,反向耐压600V,正向压降1.0V,正向峰值浪涌电流30A,反向泄漏电流5UA,ASEMI四脚整流桥MB6S电路图外观参数如下: 型号:MB6S 封装:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:1A 600V 芯片材质 阅读全文
posted @ 2021-06-08 17:26 强元芯 阅读(2607) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥堆KBL406,最大正向整流电流:4A;反向峰值电压:600V;KBL406广泛应用于开关电源、LED电源、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 型号:KBL406 封装:KBL- 阅读全文
posted @ 2021-06-07 17:22 强元芯 阅读(702) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI-KBP210整流桥怎么测量好坏?跟其他整流桥一样“一四单通、二三断”七个字就能判断整流桥的好坏!,我们先了解一下KBP210的参数,有助于我们对它好坏的测量。 型号:KBP210 封装:KBP-4/DIP-4 特性:整流扁桥 电性参数:2A 1000V 芯片材质:GPP 正向电 阅读全文
posted @ 2021-06-07 17:20 强元芯 阅读(868) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥堆KBP310,最大正向整流电流:3A;反向峰值电压:1000V;KBP310广泛应用于开关电源、LED电源、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 型号:KBP310 封装:KBP 阅读全文
posted @ 2021-06-05 16:14 强元芯 阅读(477) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI-KBP307整流桥是电路中常见的电子元器件,我们都知道在电源电路中都需要整流,那么KBP307整流桥起什么作用呢?它跟单二极管整流又有什么优势呢? 1、将交流发电机产生的交流电变为直流电,以实现向用电设备供电和向蓄电池充电; 2、限制蓄电池电流倒流回发电机,保护发电机不被逆电流 阅读全文
posted @ 2021-06-05 16:12 强元芯 阅读(613) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI整流桥堆DB107,最大正向整流电流:1A;反向峰值电压:1000V;DB107广泛应用于开关电源、LED电源、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 型号:DB107 封装:DB-4/D 阅读全文
posted @ 2021-06-03 15:31 强元芯 阅读(279) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 先说结论,ASEMI-DB207S是桥式整流器,它是属于全桥整流桥堆,简称桥堆,下面是DB207S的详细参数: 型号:DB207S 封装:DBS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:2A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):2A 芯片个数:4 正向电压(VF) 阅读全文
posted @ 2021-06-03 15:29 强元芯 阅读(612) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 下面讲解一下ASEMI整流桥堆DB107S型号及参数。整流桥的型号有很多,如DB、KBPC、KBU、KBL、KBJ、KBP等,代表不同的形状。有两个主要参数:电流和电压。例如DB107S表示最大电流只能1A,最高电压1000V,前者代表电流,后者代表电压。 如果整流桥超过该参数,则可能无法 阅读全文
posted @ 2021-06-02 16:44 强元芯 阅读(2755) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z 2W10整流桥是非常常见的圆桥堆了,相信大家用得也非常多了,其中又以ASEMI的2W10为佳,下面我们就以ASEMI整流桥堆2W10来介绍一下它的四脚接线方法。 型号:2W10 封装:WOB-4 特性:整流圆桥 电性参数:2A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):2A 芯片个数 阅读全文
posted @ 2021-06-02 16:42 强元芯 阅读(1109) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI贴片整流桥堆ABS10,最大正向整流电流:1A;反向峰值电压:1000V;ABS10广泛应用于开关电源、LED电源、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 型号:ABS10 电性参数:1A 阅读全文
posted @ 2021-06-01 17:00 强元芯 阅读(427) 评论(0) 推荐(0)
摘要:编辑-Z ASEMI品牌ABS210采用GPP技术制作大芯片,芯片尺寸为60MIL,ABS10的电气参数为正向电流2.0A,反向电压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,采用GPP芯片材料保证4芯片配置下,ABS10的漏电流(Ir)仅为5uA,恢复时间(Trr)可达500ns! 型号:ABS21 阅读全文
posted @ 2021-06-01 16:59 强元芯 阅读(605) 评论(0) 推荐(0)