03 2025 档案

功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息
摘要：功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。。。 阅读全文
posted @ 2025-03-26 15:36 oneyac唯样 阅读(131) 评论(3) 推荐(3)
功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计
摘要：功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 阅读全文
posted @ 2025-03-18 16:31 oneyac唯样 阅读(153) 评论(2) 推荐(2)
功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子
摘要：功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 阅读全文
posted @ 2025-03-14 15:13 oneyac唯样 阅读(145) 评论(2) 推荐(0)
功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数
摘要：/ 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。 为什么引入结构函数？ 在功 阅读全文
posted @ 2025-03-04 15:54 oneyac唯样 阅读(191) 评论(1) 推荐(1)