01 2020 档案
摘要:1.简介 === 引导启动时,NAND FLASH存储器开始的4K字节将被加载到Steppingstone中并且执行加载到Steppingstone的引导代码。 通常引导代码会复制NAND FLASH的内容到SDRAM中,通过使用硬件ECC,有效地检查NAND FLASH的数据在赋值完成的基础上,将
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摘要:1.Nor Flash与Nand Flash的对比 === a.Nor Flash的块大小范围为64kb,128kb:Nand Flash的块大小范围为8kb,64kb,擦/写一个Nor Flash块需4s,而擦/写一个Nand Flash块仅需2ms b.Nand Flash一般以512字节为单位
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摘要:1.ARM异常与中断的处理流程 === 硬件实现部分 1.初始化 a.设置中断源,让它可以产生中断 b.设置中断控制器(屏蔽,优先级) c.设置CPU总开关(使能中断) 2.执行程序 3.产生中断 4.CPU每执行一条代码都会检查有无中断异常 5.发现有异常时,开始处理 对于不同的异常,跳到不同的地
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摘要:1.重定位的引入 === NOR FLASH 可以像内存一样的读,但不能像内存一样的写。无法直接去修改全局变量和静态变量 NAND FLASH 把前面4k的代码放入SRAM。如果程序大于4k时,前面4k的代码需要把整个程序读出来 针对以上情况,引入重定位 程序结构 代码段:text 数据段(全局变量
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摘要:前言 === SRAM 静态随机存储器 SROM 静态只读存储器 RAM 随机存储器 ROM 只读存储器 DRAM 动态随机存储器 SDRAM 同步动态随机存储器 NOR FLASH, NAND FLASH 非易失闪存技术 1.内存接口概念 === 特性 支持大/小端(通过软件选择) 每个BANK的
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摘要:1.UART连线图 === S3C2440有3个独立通道的UART 2.数据传输流程 === 1.平时数据线处于“空闲”状态(1状态) 2.当要发送数据时,UART改变TxD数据线的状态(变为0状态),并维持1位的时间,这样接收方检测到开始位后,在等待1.5位的时间就开始一位一位的检测数据线的状态得
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