nor flash驱动
Nor Flash与Nand flash的不同之处在于Nor Flash的地址和数据线是不共用的，所以Nor Flash比较象ROM,是可以按地址自由读的，这样就非常适合存储代码，在开机时从Nor Flash中取代码来执行。在我的板子上有16M的Intel的Nor Flash E28F128J3A150，以此为例来研究一下Nor Flash的一些常用操作。E28F128J3A150每个sector是128k，擦除是按扇区操作了。
首先来看下E28F128J3A150与s3c2410的接口吧。
一般情况下ROM与s3c2410的接口我们可以在s3c2410的手册上看到，如下图所示
仔细看下16位和8位数据接口在地址线连接上的区别吧，16位的地址线是要移位的，A1接到A0上，这当然是比较容易理解的，位宽大了一倍，地址就少了一条。对于E28F128J3A150其实也是这样，不过又有点不一样，仔细看看E28F128J3A150的手册吧。下面给出接线图。
不同之处E28F128J3A150貌似并没有移位，其实只是因为E28F128J3A150的A1就相对于别的16位ROM的A0，其A0就相当于他们的A(-1)是用来指示8位地址的，所以还是一样的。
来看看Flash操作的命令集吧
以几个比较重要的操作来说明比较容易懂
首先就是Read Identifier Codes
先给定我们的flash开始的地址吧，flash_addr=ioremap(0x0,0x1000000);
物理地址从0x0开始的0x1000000（16M）地址空间，这样得到了可访问的虚拟地址flash_addr
很简单，看命令表,先写一个命令 writew(0x90,flash_addr);
然后把Manufacture Code读回来 readw(flash_addr)；
接着再读Device Code readw(flash_addr+2);
细节部分还是参考手册吧
其实内核已经MTD驱动完全支持Nor Flash的操作，所以不必要自己再写了。
不过在JTAG烧写flash的程序中可以加入对我们自己的flash的支持。
来看看其中对E28F128J3A150的烧写代码，分析一下。
int Strata_CheckID(int targetAddr) //返回Manufacture Code
{
_WR(targetAddr, 0x0090);
return _RD(targetAddr); //_WR和_RD都是半字操作
}
int Strata_CheckDevice(int targetAddr) //返回Device Code
{
_WR(targetAddr, 0x0090);
return _RD(targetAddr+0x2);
}
看着Block Erase Flowchart再对照着Block Erase的函数看就比较能完全看懂了
void Strata_EraseSector(int targetAddress)
{
unsigned long ReadStatus;
unsigned long bSR5;
unsigned long bSR7;
_WR(targetAddress, 0x0020); //擦除命令first cycle
_WR(targetAddress, 0x00d0); //擦除命令second cycle
_WR(targetAddress, 0x0070); //读状态寄存器命令
ReadStatus=_RD(targetAddress); //读状态寄存器
bSR7=ReadStatus & (1<<7);
while(!bSR7 ) //需要判断状态寄存器的第７位
{
_WR(targetAddress, 0x0070);
ReadStatus=_RD(targetAddress);
bSR7=ReadStatus & (1<<7);
}
_WR(targetAddress, 0x0070);
ReadStatus=_RD(targetAddress);
bSR5=ReadStatus & (1<<5);
if (bSR5==0)
{
printf("Block @%xh Erase O.K. "n",targetAddress);
}
else
{
_WR(targetAddress, 0x0050); //// Clear Status Register
error_erase=1;
}
_RESET(); //就相当于_WR(targetAddress, 0x00ff)，回到Read Array的状态。
}
很清晰的流程吧。
Byte/Word Program Flowchart
共两种Program方式可以把数据写到Flash中，一般也只用到这种就可以了
int Strata_ProgFlash(U32 realAddr,U16 data)
{
unsigned long ReadStatus;
unsigned long bSR4;
unsigned long bSR7;
_WR(realAddr, 0x0040);
_WR(realAddr, data);
_WR(realAddr, 0x0070);
ReadStatus=_RD(realAddr);
bSR7=ReadStatus & (1<<7);
while(!bSR7)
{
_WR(realAddr, 0x0070);
ReadStatus=_RD(realAddr);
bSR7=ReadStatus & (1<<7);
}
_WR(realAddr, 0x0070);
ReadStatus=_RD(realAddr);
bSR4=ReadStatus & (1<<4);
if (bSR4==0)
{
//printf("Successful Program!!"n");
}
else
{
_WR(realAddr, 0x0050); // Clear Status Register
error_program=1;
}
_RESET();
return 0;
}
以上这种写会很慢，以致于JTAG烧写相当得慢。
int Strata_unprotect_sector(int targetAddr) //去除sector的写保护
{
int SR7,SR3,SR4,SR5,ReadStatus;
int res=0;
_WR(targetAddr,0x0050); //Clear Status Register
_WR(targetAddr,0x0060); //First bus cycle
_WR(targetAddr,0x00D0); //Second bus cycle
_WR(targetAddr,0x0070);
ReadStatus=_RD(targetAddr);
SR7=ReadStatus & (1<<7);
while(!SR7)
{
_WR(targetAddr,0x0070);
ReadStatus=_RD(targetAddr);
SR7=ReadStatus & (1<<7);
}
_WR(targetAddr,0x0070);
ReadStatus=_RD(targetAddr);
SR3=ReadStatus & (1<<3);
SR4=ReadStatus & (1<<4);
SR5=ReadStatus & (1<<5);
if(SR3) {printf("Voltage Range Error"); res=-1;}
if(SR4 && SR5) {printf("Command Sequence Error"); res=-2;}
if(SR5) {printf("Clear Block Lock-Bits Error"); res=-3;}
_RESET();
return res;
}
另外按照write to buffer的流程自己写了一个函数，没有test，不想再去烧写了，太烦了，就这样好了。
void Strata_buffer_program(int blockAddress,int tagetAddress,U16* buf)
{
unsigned long ReadStatus;
unsigned long bSR4;
unsigned long bSR7;
int i;
do {
_WR(blockAddress, 0x00E8);
_WR(blockAddress, 0x0070);
ReadStatus=_RD(blockAddress);
bSR7=ReadStatus & (1<<7);
} while(!bSR7);
_WR(blockAddress, 0x001F);
for(i=0;i<=0x1F;i++)
_WR(targetAddress+2*i, *(buf+i));
_WR(blockAddress, 0x00D0);
do {
_WR(blockAddress, 0x0070);
ReadStatus=_RD(blockAddress);
bSR7=ReadStatus & (1<<7);
} while(!bSR7);
_WR(blockAddress, 0x0070);
ReadStatus=_RD(blockAddress);
bSR4=ReadStatus & (1<<4);
if (bSR4==0)
{
//printf("Successful Program!!"n");
}
else
{
_WR(blockAddress, 0x0050);
error_program=1;
}
_RESET();
}
