在NAND Flash中有8个I/O引脚（IO0—IO7）、5个全能信号（nWE ALE CLE nCE nRE）、一个引脚，1个写保护引脚。操作NAND Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读写数据。对于64MB的NAND Flash，需要一个26位的地址。只能8个I/O引脚充当地址、数据、命令的复用端口，所以每次传地址只能传8位。这样就需要4个地址序列。因此读写一次nand flash需要传送4次（A[7:0] A[16:9] A[24:17] A[25]）。64M的NAND Flash的地址范围为0x00000000—0x03FFFFFF。128M的NAND Flash的地址范. Read More
摘要： 本文介绍了FLASH相关理论知识，旨在更好地设计文件系统。首先从原理和特点两方面介绍两种架构SLC和MLC，进而介绍了NOR和NAND FLASH工作原理，读写擦除原理，编址方式，进而导出NOR和NAND FLASH区别。最后顺带简单介绍下SD卡。一、SLC与MLC 从架构上来分，Flash可以分为SLC Flash和MLC Flash。闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中，每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储 Read More