随笔分类 -  ddr

learning ddr specfication
摘要:reference: JEDS79-3F.pdf , page:181 阅读全文
posted @ 2019-03-29 10:48 嵌入式实操 阅读(662) 评论(0) 推荐(0)
摘要:referce :https://blog.csdn.net/ghostyu/article/details/7728106 tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间” tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间” CL(CAS Lat 阅读全文
posted @ 2019-03-29 10:40 嵌入式实操 阅读(1478) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2019-03-29 09:35 嵌入式实操 阅读(432) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2019-03-29 09:18 嵌入式实操 阅读(421) 评论(0) 推荐(1)
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posted @ 2019-03-27 16:49 嵌入式实操 阅读(412) 评论(0) 推荐(0)
摘要:Rtt: Dynamic ODT.DDR3引入的新特性。在特定的应用环境下为了更好的在数据总线上改善信号完整性, 不需要特定的MRS命令即可以改变终结强度(或者称为终端匹配)。在MR2中的A9和A10位设置了Rtt_WR。Ddr3中, 有两种RTT值是可以选择的,一种是RTT_Nom,另一种是RTT 阅读全文
posted @ 2019-03-27 16:40 嵌入式实操 阅读(1877) 评论(0) 推荐(0)
摘要:tMRD: tMOD: 阅读全文
posted @ 2019-03-27 16:21 嵌入式实操 阅读(468) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2019-03-27 16:03 嵌入式实操 阅读(192) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2019-03-27 16:01 嵌入式实操 阅读(315) 评论(0) 推荐(0)
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posted @ 2019-03-22 11:12 嵌入式实操 阅读(235) 评论(0) 推荐(0)
摘要:example: if DDR is 512MB*16*8 COLBITS = 10, A0-A9 be used for cloumn address. ORG = 16 , each bank's datas bit 16. pagesize = 1024*16*8 =2k. 阅读全文
posted @ 2019-03-22 11:07 嵌入式实操 阅读(754) 评论(0) 推荐(0)