2的10次方等于1024 即1K（看做是数量单位）,主要用来表示地址线的所有组合数量
半导体存储器的结构：
片选信号的作用：可以让某个芯片或者某些芯片同时进行工作
半导体芯片的译码驱动方式：
解决的问题是：如何根据给定的地址信号获得对应的存储单元
1）线选法，将存储单元的地址像一位数组那样编址，不适用与容量大的存储器，因为容量过大时，地址线就要很多很多
2）重合法，相比线选法，多了行地址和列地址的概念，将存储单元像二维矩阵那样编址，同时行地址和列地址某个时刻只能有一个有效。适用于大容量的存储器
---------有了以上基本呢知识就可以针对每一种存储器进行分析了
随机存取存储器（RAM）
静态RAM（SRAM）：基本单元电路(只能存储1为数据，实际使用需要多个基本单元电路组合起来)如图，主要存储数据的是双稳态触发器
静态RAM基本单元电路的读操作：
静态RAM基本单元电路的写操作：需要在T1-T4构成的电路的A端和A‘端写入相反的数据（要求）
动态RAM（DRAM）:基本单元电路(只能存储1为数据，实际使用需要多个基本单元电路组合起来)如图，主要存储数据的是利用电容的充电房放电。读取的数据和存储的数据相反，所以需要在读数据线上加上非门，图下是三管的，还有单管的
由于DRAM是由电容来存储数据，具有易失性，所以使用的时候需要刷新，且刷新只与行地址有关，与列地址无关，也就是说刷新是一次性刷新一行的存储单元的数据。由于DRAM的行列地址可以缓存起来，所有DRAM的引脚数相比SRAM更少。具体的DRAM和SRAM的对比如下图：
所以一般的内存用的是DRAM，而内存与cpu之间的高速缓存用的是SRAM
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