DRAM几个关键的参数

1、tRCD

Active to Read/Write command delay; RCD 为 Row Command Delay的缩写，描述的是一个Row被Active之后，数据从DRAM cell到Sense Amp的时间。

2、tCAS

the delay time between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular memory column on a memory module, and the moment the data from given array location is available on the module’s output pin.

注意，SDRAM中，CAS的单位是时钟周期，所以对于同一个SDRAM，时钟速率变化时，CAS的值也可能变化

3、tRAS

定义为Active to Precharge Command Period，ACT命令之后，某个Bank在进行Precharge或者Close的操作前，必须保持至少是tRAS的时间是Open。

tRAS = tRCD + CAS Latency，所以tRAS又可以理解为，ACT之后，第一个data出现的时间。

4、tRP

Precharge Command Period

5、tRC

Row Cycle Time in the same bank

详细定义如下：The minimum time interval between successive ACTIVE commands to the same bank is defined by tRC.

tRC = tRAS + tRP，同一个Bank的两个连续ACT的最小时间间隔。

6、tRRD

ACTIVE bank a to ACTIVE bank b time interval

不同Bank之间ACT的时间间隔